力挺西部數(shù)據(jù)與鎧俠業(yè)務(wù)合并，日本多家銀行承諾提供127億美元資金

此次合并的新公司將占據(jù)全世界nand閃存市場的三分之一，市場占有率有望與三星電子不相上下。新公司將在納斯達(dá)克，東京證券交易所上市。鎧俠的總經(jīng)理Nobuo...

2023-10-20 標(biāo)簽：三星電子NAND閃存西部數(shù)據(jù) 1.1k 0

DRAM與NAND閃存市場表現(xiàn)分化

近日，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報(bào)告，DRAM和NAND閃存市場近期呈現(xiàn)出截然不同的表現(xiàn)。 在DRAM方面，消費(fèi)者需求在...

2025-02-07 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存NAND閃存 1.1k 0

中國大陸存儲器模組廠暫停報(bào)價，NAND或調(diào)漲8~10%

消息人士補(bǔ)充說：“盡管nand閃存價格上漲，但中國存儲器模塊企業(yè)最近停止了價格供應(yīng)和訂單。預(yù)計(jì)不久就會上調(diào)價格，因此模塊企業(yè)計(jì)劃將價格上調(diào)8至10%?！?/p>

2023-08-18 標(biāo)簽：模塊存儲器NAND閃存 1k 0

慧榮推出FerriSSD單芯片高性能PCIe 4.0 BGA固態(tài)硬盤

FerriSSD BGA系列固態(tài)硬盤配有PCIe 4.0 x4傳輸協(xié)議，搭載了高密度3D NAND閃存，規(guī)格為16mm x 20mm，最高存儲容量達(dá)1T...

2024-03-27 標(biāo)簽：NAND閃存PCIe固態(tài)硬盤 1k 0

第四季度NAND芯片合約價預(yù)計(jì)上漲8~13%

以企業(yè)用ssd為例，北美云服務(wù)企業(yè)（csp）的庫存仍然很高。但部分服務(wù)器品牌企業(yè)的需求比上半年有所恢復(fù)，庫存動力逐漸增加。中國csp企業(yè)的庫存量已經(jīng)降至...

2023-10-17 標(biāo)簽：服務(wù)器SSDNAND閃存 1k 0

SK海力士投建全球最大三層晶圓廠，預(yù)計(jì)2046年完工

早在2019年，SK海力士便宣布了這一宏偉計(jì)劃，然而因許可等問題，開發(fā)工作曾遭遇延誤。2022年，經(jīng)過與中央及地方政府以及企業(yè)的協(xié)商，項(xiàng)目方略獲得重大突破。

2024-03-25 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士HBM 1k 0

蘋果欲與長江存儲合作來降低NAND閃存的價格

蘋果公司將長江存儲（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應(yīng)商多樣化來降低NAND閃存的價格。

2022-09-08 標(biāo)簽：NAND三星電子NAND閃存 998 0

SK海力士尋求東電低溫蝕刻設(shè)備，或降低NAND閃存堆棧層數(shù)

當(dāng)前，3D NAND閃存在通過提高堆棧層數(shù)來增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而，在這種趨勢下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。

2024-05-07 標(biāo)簽：晶圓NAND閃存SK海力士 947 0

AI浪潮拉動DRAM與NAND閃存合約價飆升

首先來看DRAM內(nèi)存，TrendForce原本預(yù)測2024年第二季度的合約價會上漲3~8%，現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存，原預(yù)測漲幅為13...

2024-05-07 標(biāo)簽：DRAMNAND閃存DDR5 940 0

三星電子NAND晶圓投片量上調(diào)約30%，謹(jǐn)慎對待市場發(fā)展

以全速運(yùn)轉(zhuǎn)狀態(tài)，三星NAND閃存生產(chǎn)線季度晶圓投片量可超過200萬片。同時，該公司已為二至四季度設(shè)定晶圓投片量紅線，總計(jì)120萬片，使整體產(chǎn)能利用率保持...

2024-04-16 標(biāo)簽：三星電子晶圓NAND閃存 940 0

日本西海岸地震或沖擊半導(dǎo)體供應(yīng)與價格

東芝電子設(shè)備與存儲業(yè)務(wù)部發(fā)表聲明稱，能美市工廠已停產(chǎn)，當(dāng)前正全方位開展評估工作。聲明特別指出，當(dāng)天所有在崗員工安然無恙，公司現(xiàn)正聯(lián)絡(luò)部分休假員工，確保他...

2024-01-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體NAND閃存東芝電子 931 0

NAND閃存超級周期將發(fā)生逆轉(zhuǎn),三星重挫其他閃存供應(yīng)商

2018年DRAM、NAND型快閃存儲器供需預(yù)估將持續(xù)呈現(xiàn)吃緊。三星電子27日盤中下跌4.2%，創(chuàng)一年多以來最大跌幅。三星競爭對手SKHynix一度下跌...

2017-11-28 標(biāo)簽：三星電子臺積電nand閃存 929 0

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9...

2023-08-21 標(biāo)簽：閃存NAND閃存SK海力士 905 0

三星電子Q3營收522.4億美元,同比增長145%,內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)獲頭功

三星電子第三季度凈利潤為11.1萬億韓元（約合98.7億美元），較去年同期的4.53萬億韓元增長145%，超出市場平均預(yù)期的10.8萬億韓元；運(yùn)營利潤為...

2017-10-31 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存芯片nand閃存 892 0

三星與SK海力士實(shí)施NAND閃存“自然減產(chǎn)”

據(jù)外媒最新報(bào)道，為了應(yīng)對NAND閃存市場的供應(yīng)過剩問題，三星電子與SK海力士兩大半導(dǎo)體巨頭已悄然采取措施，通過工藝轉(zhuǎn)換實(shí)現(xiàn)“自然減產(chǎn)”。 據(jù)業(yè)內(nèi)消息透露...

2025-02-12 標(biāo)簽：NAND閃存SK海力士三星 891 0

東芝暫時關(guān)閉NAND閃存工廠！

1月4日消息，據(jù)外媒報(bào)道，日本的7.6級地震迫使石川縣的芯片和電子公司暫時關(guān)門，受影響的公司包括東芝、環(huán)球晶圓（GlobalWafers）、Murata等。

2024-01-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓NAND閃存 885 0

三星削減中國西安NAND閃存產(chǎn)量應(yīng)對市場變化

近日，三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實(shí)施減產(chǎn)措施，以應(yīng)對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預(yù)期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道，三星決定...

2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓NAND閃存三星 884 0

三星將在2024年升級NAND設(shè)備供應(yīng)鏈

三星業(yè)績近期表現(xiàn)非常差，三星為了增強(qiáng)NAND閃存競爭力計(jì)劃在2024年升級其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈。

2023-08-30 標(biāo)簽：閃存NANDNAND閃存 877 0