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標(biāo)簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
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Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來五年產(chǎn)品規(guī)劃圖
嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC N...
近日,業(yè)界傳出消息稱,三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給,并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品,而到了2025年6月,MLC N...
三星QLC第九代V-NAND量產(chǎn)啟動,引領(lǐng)AI時代數(shù)據(jù)存儲新紀(jì)元
三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九代產(chǎn)品,集成了多項前沿技術(shù)突破,標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲性能與容量的全新飛躍。...
基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
目前,針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及,基于NAND閃存...
良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進(jìn)行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造...
DRAM價格上漲因存儲巨頭減產(chǎn),供需緊張料持續(xù)至年底
據(jù)報道,近期三星宣布自明年第一季度起,DRAM價格將上漲至少15%;盡管NAND閃存漲價跡象尚不明顯,但預(yù)測同樣存在跟進(jìn)上漲的可能。據(jù)IT之家引用集邦觀...
蘋果將在iPhone中運用QLC NAND閃存技術(shù)
據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒...
英特爾聯(lián)合美光宣布晶圓廠擴(kuò)建完成,3D XPoint被推上產(chǎn)業(yè)制高點
英特爾(INTC. US)、美光科技(MU. US)13日宣布,IM Flash B60晶圓廠已完成擴(kuò)建工程。 新聞稿指出,規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D...
近期,眾多知名品牌如三星電子、LG電子和惠普推出了搭載英特爾和 AMD 處理器的AI PC新品。這類AI PC(使用生成式AI算法)可以獨立運行,無需依...
東芝發(fā)布全球首款QLC內(nèi)存:壽命什么的不是事 直接比肩TLC閃存
NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài):SLC單比特單元,性能最好,壽命最長,但成本也最高;MLC雙比特單元,性能、壽命、成本比較均衡,目前主要用于高端和...
最近,從各個公司的數(shù)據(jù)顯示,SSD的出貨量一直下跌。西部數(shù)據(jù)是全球最大的硬盤生產(chǎn)企業(yè),同時生產(chǎn)SSD固態(tài)硬盤和機械硬盤,一季度西部數(shù)據(jù)出貨為1260萬塊...
三星今年或?qū)⒋罅ν七M(jìn)先進(jìn)DRAM生產(chǎn)
消息透露,自2023年末起,存儲芯片價格逐漸上漲;盡管整個行業(yè)陷入衰退期,受服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用拉動,先進(jìn)DRAM芯片需求依然穩(wěn)健。而在另一方面,NAN...
2024-01-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)中心NAND閃存 1.4k 0
三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn),堆疊層數(shù)將達(dá)290層
據(jù)韓媒Hankyung透露,第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層,但I(xiàn)T之家此前曾報道過,三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存,其I...
2024-04-12 標(biāo)簽:NAND閃存半導(dǎo)體行業(yè)三星 1.4k 0
TrendForce預(yù)測2025年DRAM與NAND閃存產(chǎn)業(yè)營收將創(chuàng)歷史新高
根據(jù)市場調(diào)研公司TrendForce最新公布的一份深入詳盡的研究報告,得益于對位元需求持續(xù)攀升,市場供求狀況得到顯著改善從而帶動產(chǎn)品價格穩(wěn)步上升,再加上...
有存儲模組廠收到三星2024年第一季度將DRAM價格提高至少15%的通知。但三星并未提及NAND閃存定價,但預(yù)計NAND價格將繼續(xù)上漲。2023年12月...
SK海力士將在2025年底量產(chǎn)400+層堆疊NAND
近日,韓國權(quán)威媒體ETNews爆出猛料,SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程,并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時間表——計劃在2025年底之前...
存儲技術(shù)革新之戰(zhàn) 閃存與內(nèi)存巨頭競相突破
三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達(dá)到1b nm級別,并計劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。
據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)日報和科技媒體Blocks&Files的最新報道,全球半導(dǎo)體巨頭SK海力士正考慮將其NAND閃存與固態(tài)硬盤子公司Solidigm在美國...
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