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標簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲設備,在不超過4GB的低容量應用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術,即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
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近日,三星電子宣布將對其在中國西安的NAND閃存工廠實施減產措施,以應對全球NAND市場供過于求的現(xiàn)狀及預期的價格下滑趨勢。據(jù)《朝鮮日報》報道,三星決定...
據(jù)外媒最新報道,為了應對NAND閃存市場的供應過剩問題,三星電子與SK海力士兩大半導體巨頭已悄然采取措施,通過工藝轉換實現(xiàn)“自然減產”。 據(jù)業(yè)內消息透露...
鎧俠將10月IPO,或尋求重啟與西部數(shù)據(jù)合并談判
自2019年從東芝獨立出來之后,鎧俠一直在積極籌備IPO事宜。原本定于2020年10月上市,但由于突發(fā)狀況而被迫推遲;隨后計劃在2021年上市,可惜仍未實現(xiàn)。
NAND閃存售價下降,需求量猛增,SK海力士Q3創(chuàng)新高銷售額達到477億元
SK海力士預計第四季度D-RAM和NAND閃存需求不斷增長。公司計劃第四季度批量生產10納米級D-RAM和72層NAND閃存,明年業(yè)績仍將向好。
SK海力士CEO:HBM內存占比料將破兩位數(shù),全面提升盈利能力
面對股東對該公司去年在AI領域備受矚目及HBM熱賣背景下,仍然出現(xiàn)9萬億韓元(折合約482.4億元人民幣)凈虧問題的質疑,郭魯正解釋為主要由占銷售額主導...
從客觀上對于中國半導體業(yè)是一次前所未曾有過的大好時機。因為除了如三星,臺積電,英特爾等仍繼續(xù)追趕“定律”之外,其它的業(yè)者幾乎都在尋找另外的出路。所以中國...
NAND閃存的未來發(fā)展涉及每個存儲單元更多的層和位。與此同時,NVMe-oF、存儲類內存和其他新技術將從根本上改變內存和存儲器的應用和發(fā)展。
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