Kioxia（原東芝存儲），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進行批量生產(chǎn)。 東芝開發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲就在國際會議VLSI研討會上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 畿道華城的三星華城半導體工廠停電約1分鐘。 由于這次事故，三星電子停止了其位于韓國華城芯片工廠的部分DRAM和NAND閃存芯片生產(chǎn)線，該公司目前這些產(chǎn)線正在檢修中。 預計損失將小于三星平澤半導體工廠在2018年的損失。在平澤半導體工廠停電期間，三星
2020-01-02 10:45:156202 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:231561 一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個禮拜的時間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。
2013-08-15 09:11:161488 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512858 
包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線進行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。
2016-07-13 10:32:437470 句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個領(lǐng)域的實力產(chǎn)品。
2016-08-11 13:58:0644661 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017~2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
2017-02-07 07:50:011519 國產(chǎn)手機勢頭越來越強勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042528 電子發(fā)燒友早八點訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002458 據(jù)Bloomberg消息，世界上最大的內(nèi)存芯片制造商三星電子公司將投資70億美元用于中國半導體工廠，以滿足日益增長的對智能手機和其他設(shè)備使用的NAND閃存的需求。
2017-08-29 09:39:441501 六大NAND Flash顆粒制造商之一的東芝也宣布了自家96層3D NAND產(chǎn)品的新消息：他們正式推出了旗下首款使用96層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前三星第9代
2024-05-25 00:55:005554 
本文摘自《手機風暴》（Mobile Unleashed），文章詳細介紹了三星半導體的歷史。原文詳見：https://www.semiwiki.com/forum/content
2021-07-28 07:32:28
”，無疑令三星雪上加霜。 因受市況每況愈下的影響和制約，韓國三星電子的發(fā)展面臨著巨大的挑戰(zhàn)。據(jù)最新報導顯示，三星電子計劃明年將半導體事業(yè)的投資ST22I支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前
2012-09-21 16:53:46
（Frame sequential）功能的3D顯示器應(yīng)該只有三星一家。 說到這里，筆者最近正在測試三星的23吋SA950系列3D顯示器，并且親自體驗了一把接藍光播放機的原生3D效果，可以說非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
, 一款三星note8手機殼引起熱議，因為這款產(chǎn)品可以實現(xiàn)一邊散步一邊看3D電影或者電視劇。換句話說，這個手機殼就是超清晰3D顯示屏啊！喜歡玩高科技產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò)達人怎能放過？！終于搜到這個寶貝，原來
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功舉辦，來自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美光、長江存儲等全球存儲業(yè)大咖，與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來。我們來看看他們都說了什么。三星：看好在UFS市場的絕對優(yōu)勢
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
Insights資料顯示，2017年全球半導體頂尖大廠的研發(fā)投資，以英特爾的130.98億美元排名第一，成長3%，但占營收比重竟然高達21.2%；這個數(shù)字也是三星、東芝、高通、博通的總和。高通為
2018-12-25 14:31:36
綜合技術(shù)研究院(SAIT)。這兩個作為先驅(qū)的R&D組織，成功地幫助三星將其業(yè)務(wù)甚至進一步擴大到電子、半導體、高分子化學、基因工程、光纖通訊、航空，以及從納米技術(shù)到先進的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)等廣闊的領(lǐng)域。 在
2019-04-24 17:17:53
韓國《每日經(jīng)濟新聞》3月15日消息，三星電子已在日本建立一個新的半導體研發(fā)中心，將現(xiàn)有的兩個研發(fā)機構(gòu)合二為一，旨在推進其芯片技術(shù)并雇傭更多優(yōu)秀研發(fā)人員。據(jù)報道，三星電子于去年年底重組在日本橫濱和大阪
2023-03-15 14:04:55
！ 那么今年China Joy MM們最關(guān)注的是什么呢？當然是核心話題“3D”啦，本次展會最大的顯示器贊助商三星提供了800多臺顯示器在整個展會，其中3D顯示器體驗區(qū)是最吸引China Joy MM們的地區(qū)，下面就來看一下三星3D顯示器與China Joy MM們的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
步伐。據(jù)韓媒Kinews等報導，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，傳出將延至2019年，取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進行補強投資，期望獲利維持一定水平。同時，另一家半導體大廠
2018-10-12 14:46:09
NAND只需要提高堆棧層數(shù)，目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第一款24層SLC/MLC 3D V-NAND，到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進200+層，并即將進入300+層階段。目前，三星/西部數(shù)據(jù)
2024-12-17 17:34:06
為我國最大的半導體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬片晶圓，而在去年七月份紫光集團還參與了長江存儲的投資，計劃投資1600億元，打造國產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生，它不僅揭示了信息技術(shù)進步的速度，更在接下來的半個實際中，猶如一只無形大手般推動了整個半導體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50
小幅上漲 有手機從業(yè)者曾告訴記者，存儲已經(jīng)超過屏幕、CPU，成為手機最大的成本，存儲在手機中的成本達到25%-35%，可見其重要性。而三星、SK海力士均在存儲器領(lǐng)域占據(jù)壟斷地位。 根據(jù)集邦咨詢半導體
2020-02-27 10:45:14
優(yōu)勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來，存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當中，也
2020-03-19 14:04:57
三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23700 三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB
2010-01-14 17:00:041005 三星啟動量產(chǎn) 3D電視決戰(zhàn)正式開火
在三星宣布正式開始量產(chǎn)40寸、46寸與55寸3D電視開始，全球3D電視的市場熱戰(zhàn)也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 東芝近日公布聚焦能源、社會基礎(chǔ)設(shè)施、半導體存儲業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴大在存儲業(yè)務(wù)上的投資。為擴大3D閃存“BiCS FLASH TM”的生產(chǎn)，東芝在毗鄰日本四日市工廠（三重縣四日市市）的區(qū)域建造新廠房以及引進生產(chǎn)設(shè)備的投資方案已獲得董事會批準。
2016-04-06 13:42:22563 上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴大。
2017-03-07 15:53:451726 三星、SK海力士、東芝、西數(shù)、美光和英特爾在將生產(chǎn)線從2D-NAND轉(zhuǎn)至3D-NAND之后，產(chǎn)能和價格上漲問題將獲得部分緩解。三星位于韓國京畿道平澤市的新半導體工廠近日已基本完成，預計將在今年7月份開始正式運營。
2017-04-13 15:21:544243 
市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。
2017-05-06 01:03:11860 做為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠。同時，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。
2017-07-04 15:57:301192 三星是全球最大的NAND閃存芯片制造商，這次開足馬力讓第四代3D NAND閃存芯片大規(guī)模生產(chǎn)，可以緩解閃存、SSD目前短缺的狀況，當然也能拉低產(chǎn)品的售價。
2017-07-05 08:47:54795 此前，SSD漲價的主要推手就是主要顆粒廠在改造3D NAND生產(chǎn)設(shè)備，現(xiàn)在老大三星和老幺SK海力士均行動，相信會穩(wěn)定住市場格局，并在不遠的將來看到市場供貨改善。
2017-07-06 15:20:51706 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:26
35 的33%。同時，三星半導體四季度銷售額有望占到全球半導體銷售額的16%左右。
IC Insights估計，今年三星260億美元的半導體支出將分成如下幾部分： 3D NAND閃存：140億美元
2017-11-17 11:24:251522 
三星電子、NAND型快閃存儲器商今(2018)年紛紛延遲投產(chǎn)，分析師擔憂這恐怕會沖擊明年的半導體設(shè)備市況。
2018-07-20 12:55:001169 三星電子(Samsung Electronics)3D NAND生產(chǎn)比重，傳已在2017年第4季突破80%，三星計劃除了部分車用產(chǎn)品外，2018年將進一步提升3D NAND生產(chǎn)比重至90%以上，全面進入3D NAND時代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日報道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。
2018-02-03 11:07:271538 三星電子內(nèi)存解決方案的需求，隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半導體是拉動三星營收和利潤的關(guān)鍵，三星正在轉(zhuǎn)向一家半導體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318 
位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的芯片廠是三星電子最大的海外投資項目之一，也是中國最先進的半導體工廠之一。其生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式NAND存儲、固態(tài)硬盤、移動設(shè)備和其它消費電子產(chǎn)品。
2018-02-09 10:18:468073 三星第五代V-NAND 3D堆疊閃存業(yè)界首次采用Toggle DDR 4.0接口，傳輸速率提升至1.4Gbps，與前代64層堆棧的V-NAND閃存相比提升了40%。數(shù)據(jù)寫入延遲僅為500微秒，比上代提升30％，而讀取信號響應(yīng)時間也大幅縮短到50微秒。
2018-07-17 11:52:173338 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:328259 半導體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 三星在位居全球第一的半導體和顯示事業(yè)領(lǐng)域投資了天文學數(shù)字般的金額?？傆嬓略?b class="flag-6" style="color: red">投資180萬億韓元（約1.1萬億人民幣）中130萬億韓元（約8,000億人民幣）將投資在韓國。整個投資方案分三年進行，
2018-08-11 09:39:256576 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預期。
2018-09-16 10:38:14759 8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎？
2018-10-01 16:12:003303 宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。什么是3D NAND閃存？從新聞到評測
2018-10-08 15:52:39780 據(jù)日媒指出，三星2019年針對存儲器的投資總體會減少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星將大減20%資本支出；而在NAND Flash部分，三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814 集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出，在三星及美光等領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下，預估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進3D NAND Flash時代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打！目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨大的情況將劃下句點。
2018-12-13 15:07:471294 今年三星電子可謂動作不斷，14日剛剛爆出三星將收購以色列多相機制造商Corephotonics，16日又有消息稱三星將于亞馬遜共同投資一家以色列半導體公司W(wǎng)iliot，以尋找未來業(yè)務(wù)的增長點。
2019-01-18 11:09:035154 三星電子近日申請了Depth Vision Lens商標，據(jù)推測這或許將用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF攝像頭。
2019-07-04 16:44:103519 
三星電子計劃將其NAND閃存價格提高10％，原因是日本政府對半導體材料出口限制導致生產(chǎn)中斷的擔憂日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013 三星是全球最大的存儲芯片生產(chǎn)商、供應(yīng)商，僅僅是NAND閃存就占了全球1/3的份額，不過韓國本土的工廠已經(jīng)不是最大的閃存生產(chǎn)基地了，三星這幾年來大力投資中國西安，一期及正在建設(shè)中的二期投資已經(jīng)將西安工廠變成了全球最大的閃存基地。
2019-12-11 15:25:071436 12 月 11 日訊，近日，三星電子閃存芯片項目二期第二階段 80 億美元投資正式啟動。據(jù)悉，三星電子一期投資 108 億美元，建成了三星電子存儲芯片項目和封裝測試項目；二期項目總投資 150 億美元，主要制造閃存芯片。
2019-12-12 11:37:56743 根據(jù)AnandTech的報道，三星計劃投資數(shù)十億美元擴大其在中國西安的3D NAND生產(chǎn)設(shè)施。
2019-12-18 10:38:203458 固態(tài)硬盤市場的霸主三星，是四大NAND閃存廠商中最早量產(chǎn)3D NAND閃存的，也是目前技術(shù)最強的，已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND閃存，堆棧層數(shù)達到了48層。
2019-12-22 11:19:011517 據(jù)了解，136層第六代V-NAND閃存是三星今年的量產(chǎn)主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝，從現(xiàn)在的單堆棧（single-stack）升級到雙堆棧（double-stack），以便制造更高層數(shù)的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01776 上周中國的長江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù)，QLC類型容量做到了1.33Tb容量，創(chuàng)造了三個世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進，三星等公司也沒閑著，三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。
2020-04-20 09:29:47834 的投資額就達8萬億韓元（約合470億元人民幣）。新冠肺炎疫情導致NAND市場的不確定性大增。然而，三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資，以此增強其在存儲器領(lǐng)域的競爭力，此次再度大舉投資擴產(chǎn)，或?qū)悠渌?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存廠商的跟進，再掀NAND閃存的擴產(chǎn)浪潮。
2020-06-16 10:07:173960 三星計劃明年開始與臺積電在封裝先進芯片方面展開競爭，因而三星正在加速部署3D芯片封裝技術(shù)。
2020-09-20 12:09:163743 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:553696 NAND 非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著 2D NAND 容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND 的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的 3D
2020-11-20 16:07:133095 。 3D NAND 路線圖：三星最早入局，長江存儲跨級追趕 Choe 介紹了 2014-2023 年的世界領(lǐng)先存儲公司的閃存路線圖，包括三星、鎧俠（原東
2020-11-20 17:15:444306 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:493617 據(jù)Korea IT News報道，三星電子已經(jīng)開始進行巨額半導體投資，總價值達317億美元。該公司最近開始對其在中國的NAND閃存工廠和在韓國的DRAM工廠進行投資。 據(jù)報道，除NAND閃存
2021-01-29 09:05:242367 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:373205 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進至128層。
2022-06-14 15:21:153354 
長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應(yīng)鏈。
2022-06-17 10:56:218286 據(jù)知名半導體和微電子情報提供商TechInsights報道，長江存儲的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國品牌在半導體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國際競爭者。__
2022-12-05 17:07:381876 我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計劃，預計在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達到280層
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集團援引業(yè)界有關(guān)負責人的話表示，計劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預計將采用將nand存儲器制作成兩個獨立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開始首次使用雙線程技術(shù)。
2023-08-18 11:09:052015 三星決定升級西安工廠的原因大致有兩個。第一，在nand閃存市場尚未出現(xiàn)恢復跡象的情況下，在nand閃存市場保持世界領(lǐng)先地位。受從去年年底開始的it景氣低迷和半導體景氣低迷的影響，三星nand的銷量增加，從而使虧損擴大。
2023-10-16 14:36:001975 三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價格，并實現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標。
2023-11-03 17:21:112284 三星電子，全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商，近日宣布在美國設(shè)立新的研究實驗室，專注于開發(fā)新一代3D DRAM技術(shù)。這個實驗室將隸屬于總部位于美國硅谷的Device Solutions America (DSA)，負責三星在美國的半導體生產(chǎn)。
2024-01-30 10:48:461306 三星將在IEEE國際固態(tài)電路研討會上展示其GDDR7產(chǎn)品以及280層堆疊的3D QLC NAND技術(shù)。
2024-02-01 10:35:311299 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 三星在德州的半導體投資計劃確實有了顯著的增長。據(jù)報道，三星計劃將其在美國德克薩斯州泰勒市的半導體投資增加至約440億美元。
2024-04-09 10:35:371138 據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
2024-04-17 15:06:591502 三星公司預計將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行業(yè)中最高的可量產(chǎn)堆疊層數(shù)。
2024-04-18 09:49:201500 近日，據(jù)韓國媒體報道，全球領(lǐng)先的半導體制造商三星即將在今年推出其高帶寬內(nèi)存（HBM）的3D封裝服務(wù)。這一重大舉措是三星在2024年三星代工論壇上正式宣布的，同時也得到了業(yè)內(nèi)消息人士的證實。
2024-06-19 14:35:501643 在全球半導體行業(yè)的激烈競爭中，日本知名存儲芯片制造商鎧俠（Kioxia）展現(xiàn)了其雄心壯志和堅定決心。在結(jié)束了長達20個月的NAND閃存減產(chǎn)計劃后，鎧俠的兩座日本工廠生產(chǎn)線開工率已提升至100%，同時上周還公布了其令人矚目的3D NAND閃存技術(shù)路線圖計劃。
2024-06-29 09:29:371369 近日，據(jù)供應(yīng)鏈消息，三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn)，并預計根據(jù)市場狀況分階段實施。
2024-10-30 16:18:46970 近日，業(yè)界傳出消息稱，三星電子將大幅削減MLC NAND閃存的產(chǎn)能供給，并計劃在2024年底停止在現(xiàn)貨市場銷售該類產(chǎn)品，而到了2025年6月，MLC NAND閃存可能會正式停產(chǎn)。這一消息引起了業(yè)界
2024-11-21 14:16:121474 近日，據(jù)相關(guān)報道，三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破，成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉，三星已經(jīng)制定了未來NAND閃存的生產(chǎn)路線圖，并計劃在這一生產(chǎn)過程中，將光刻膠
2024-11-27 11:00:24957 近日，三星電子已做出決定，將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護自身盈利能力而采取的重要措施。 當前，全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面，預計今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867
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