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標(biāo)簽 > nand閃存
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。
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傳東芝將投入89.4億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能 消息人士周三透露,東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元,在日本三重縣(Mi...
3月7日消息,雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者,但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者,并且其優(yōu)勢在不斷擴大。
韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造
據(jù)報道,韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù),收購后成立的新子公司SK Materials Performance(S...
ZYNQ - 以太網(wǎng)遠(yuǎn)程更新貼片SD卡/TF卡應(yīng)用程序
寫在前面對于ZYNQ系列的板卡固化,可以通過JTAG接口,使用SDK固化到FLASH中,或者可將SD卡取出將SD卡中保存的固化工程進(jìn)行修改,但在很多情況...
三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線
三星電子即將啟動一項計劃,將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓,現(xiàn)預(yù)計將通...
今日看點丨蘋果著手開發(fā)M4芯片,采用臺積電2納米或3納米制程升級版;三星擬與下游廠商就NAND閃存漲價談判
1. 三星擬與下游廠商就NAND 閃存漲價談判,目標(biāo)漲價15~20% ? 近日,有報道稱三星計劃在本月至下月期間,同主要移動端、PC 端、服務(wù)器端客戶就...
eMRAM屬于新型存儲技術(shù),同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存 鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向...
DRAM大廠第三季對DDR5再度調(diào)漲,價格將上漲15%以上
8月20日最新供應(yīng)鏈動態(tài)揭示,DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)行業(yè)巨頭計劃在第三季度對DDR5產(chǎn)品實施新一輪的價格上調(diào),預(yù)計漲幅將超過15%。此次調(diào)價背后...
NAND Flash封裝模組短缺 大容量消費級SSD價格或許會大幅上漲
1月23日消息,據(jù)外媒Tom’s Hardware報導(dǎo),有市場人士表示,由4個或8個NAND Flash芯片組成的NAND封裝模組已經(jīng)供不應(yīng)求,特別是大...
這一價格調(diào)整的背后,實際上反映出市場需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實情況。
基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
目前,針對NOR Flash設(shè)計的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲介質(zhì)的普及,基于NAND閃存...
Spansion發(fā)布SLC NAND閃存系列產(chǎn)品以及未來五年產(chǎn)品規(guī)劃圖
嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC N...
佰維高性能CFexpress卡解決方案 挑戰(zhàn)讀寫速度和讀寫穩(wěn)定性
隨著專業(yè)相機和高端攝像設(shè)備的更新迭代,4K、8K等高分辨率設(shè)備的出現(xiàn)和逐步普及,用戶對于存儲卡的性能要求也越來越高。其中, 讀寫速度 和讀寫 穩(wěn)定性 成...
AI推動硬盤價格上漲,固態(tài)硬盤成AI訓(xùn)練首選
近幾年來,NAND閃存價格步入下行通道,固態(tài)硬盤與機械硬盤間的成本差距逐漸收窄,這使得固態(tài)硬盤在部分應(yīng)用場景中逐漸取代HDD。例如,在2TB以下的消費P...
全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時代的400層V-NAND閃存芯片,旨在把握人工智能(AI)浪潮帶來的存儲設(shè)備市場快速增長...
東芝發(fā)布全球首款QLC內(nèi)存:壽命什么的不是事 直接比肩TLC閃存
NAND閃存目前已經(jīng)發(fā)展出了四種形態(tài):SLC單比特單元,性能最好,壽命最長,但成本也最高;MLC雙比特單元,性能、壽命、成本比較均衡,目前主要用于高端和...
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