nand閃存

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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

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nand閃存資訊

韓國SKMP開發(fā)出高厚度KrF光刻膠助力3D NAND閃存制造

據(jù)報(bào)道，韓國SK集團(tuán)于2020年斥資400億韓元收購當(dāng)?shù)劐\湖石化的電子材料業(yè)務(wù)，收購后成立的新子公司SK Materials Performance（S...

2023-11-29 標(biāo)簽：晶圓 NAND閃存 1.8k 0

三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線

三星電子即將啟動(dòng)一項(xiàng)計(jì)劃，將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓，現(xiàn)預(yù)計(jì)將通...

2024-11-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子 NAND閃存 1.8k 0

ZYNQ - 以太網(wǎng)遠(yuǎn)程更新貼片SD卡/TF卡應(yīng)用程序

寫在前面對于ZYNQ系列的板卡固化，可以通過JTAG接口，使用SDK固化到FLASH中，或者可將SD卡取出將SD卡中保存的固化工程進(jìn)行修改，但在很多情況...

2023-06-16 標(biāo)簽：SD卡 NAND閃存存儲芯片 1.8k 0

傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能　　消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mi...

2010-02-11 標(biāo)簽：東芝 NAND閃存 1.8k 0

今日看點(diǎn)丨蘋果著手開發(fā)M4芯片，采用臺積電2納米或3納米制程升級版；三星擬與下游廠商就NAND閃存漲價(jià)談判

1. 三星擬與下游廠商就NAND 閃存漲價(jià)談判，目標(biāo)漲價(jià)15~20% ? 近日，有報(bào)道稱三星計(jì)劃在本月至下月期間，同主要移動(dòng)端、PC 端、服務(wù)器端客戶就...

2024-03-14 標(biāo)簽：臺積電蘋果 NAND閃存 1.8k 0

8月2日快訊：NAND閃存意外缺貨/USB 3.1公布

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2013-08-02 標(biāo)簽：AMD處理器 NAND閃存電子快訊 1.8k 0

DRAM大廠第三季對DDR5再度調(diào)漲,價(jià)格將上漲15%以上

8月20日最新供應(yīng)鏈動(dòng)態(tài)揭示，DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）行業(yè)巨頭計(jì)劃在第三季度對DDR5產(chǎn)品實(shí)施新一輪的價(jià)格上調(diào)，預(yù)計(jì)漲幅將超過15%。此次調(diào)價(jià)背后...

2024-08-20 標(biāo)簽：DRAM NAND閃存 DDR5 1.7k 0

三星NAND閃存芯片銷量開始全面超越東芝

3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴(kuò)大。

2017-03-07 標(biāo)簽：東芝三星電子 nand閃存 1.7k 0

Kingston FURY叛逆者SSD 4TB深度測試

隨著閃存顆粒在整體趨勢上價(jià)格的降低，各類超高分辨率大容量視頻的流行，以及《使命召喚:現(xiàn)代戰(zhàn)爭3》這類安裝空間需要200GB以上的3A游戲大作的出現(xiàn)，消費(fèi)...

2024-01-16 標(biāo)簽：SSD NAND閃存固態(tài)硬盤 1.7k 0

eMRAM究竟是融合還是替代？

eMRAM屬于新型存儲技術(shù)，同目前占據(jù)市場主流的NAND閃存相比較，其具有更快的存取速度和更高的耐用性，在邊緣設(shè)備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...

2020-04-07 標(biāo)簽：NAND閃存 MRAM eMRAM 1.6k 0

三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI）浪潮帶來的存儲設(shè)備市場快速增長...

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NAND Flash封裝模組短缺大容量消費(fèi)級SSD價(jià)格或許會大幅上漲

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2024-01-24 標(biāo)簽：SSD 閃存芯片 NAND閃存 1.6k 0

iPhone 15 Pro Max分析：比前代高37.7美元、OLED屏下降4%

市場調(diào)查機(jī)構(gòu) Counterpoint Research 近日發(fā)布報(bào)告，表示蘋果 iPhone 15 Pro Max 的物料成本，相比較增加了 37....

2023-11-14 標(biāo)簽：處理器電源管理IC UWB 1.6k 0

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三星企業(yè)級SSD計(jì)劃漲價(jià)，需求激增推動(dòng)市場格局

這一價(jià)格調(diào)整的背后，實(shí)際上反映出市場需求“遠(yuǎn)超預(yù)期”的現(xiàn)實(shí)情況。

2024-04-03 標(biāo)簽：SSD NAND閃存固態(tài)硬盤 1.6k 0

6月份DRAM價(jià)格停止大幅下跌

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三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。

2024-04-17 標(biāo)簽：閃存芯片 NAND閃存人工智能 1.6k 0

SK海力士企業(yè)再獲大額訂單

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2024-10-17 標(biāo)簽：SSD NAND閃存固態(tài)硬盤 1.6k 0

AI推動(dòng)硬盤價(jià)格上漲，固態(tài)硬盤成AI訓(xùn)練首選

近幾年來，NAND閃存價(jià)格步入下行通道，固態(tài)硬盤與機(jī)械硬盤間的成本差距逐漸收窄，這使得固態(tài)硬盤在部分應(yīng)用場景中逐漸取代HDD。例如，在2TB以下的消費(fèi)P...

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2022-10-28 標(biāo)簽：NAND 存儲卡 NAND閃存 1.5k 0

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云存儲是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個(gè)好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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