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NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。

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SD NAND技術(shù)在穿戴醫(yī)療設(shè)備中的創(chuàng)新應(yīng)用及影響

隨著科技的不斷進(jìn)步，可穿戴醫(yī)療設(shè)備在個(gè)體健康監(jiān)測和健康管理中扮演著越來越關(guān)鍵的角色。這些設(shè)備不僅要求實(shí)時(shí)監(jiān)控用戶的生理參數(shù)，如心率、血壓等，還需求能夠長...

2024-07-31 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)芯片穿戴醫(yī)療設(shè)備 803 0

三星電子堅(jiān)持下調(diào)DRAM和NAND產(chǎn)能，即便市場需求上升

? ? ? 近日有消息稱，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四發(fā)布的二季度財(cái)報(bào)中預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)芯片的需求在下半年將逐漸恢復(fù)，但是即便如此，三星電子并沒有計(jì)劃增加產(chǎn)量，并且...

2023-07-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 三星電子 802 0

美光艾倫預(yù)測：今年存儲(chǔ)器產(chǎn)能還會(huì)繼續(xù)增長，高于產(chǎn)業(yè)平均數(shù)

存儲(chǔ)器大廠美光科技全球制造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）昨（24）日指出，企業(yè)級(jí)線上交易、自駕車、云端大數(shù)據(jù)、網(wǎng)通、行動(dòng)裝置、物聯(lián)網(wǎng)等六大領(lǐng)...

2018-07-09 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲(chǔ)器 793 0

SD NAND工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的新選擇

據(jù)CFM閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年一季度全球NAND Flash市場規(guī)模環(huán)比增長24.2%，達(dá)到了151.78億美元。這一顯著的增長表明，全球NAND...

2024-11-17 標(biāo)簽：NAND FlaSh 存儲(chǔ) 792 0

群聯(lián)欲大幅征才200名工程師，進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)3D NAND

NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器)隨著2D轉(zhuǎn)3D制程良率改善，量產(chǎn)能力大為提升，盡管價(jià)格已經(jīng)松動(dòng)，但包括存儲(chǔ)器、控制IC、封測等供應(yīng)體系業(yè)者紛紛...

2018-07-09 標(biāo)簽：NAND 3D 790 0

NAND Flash 和DRAM的價(jià)格將持續(xù)下滑下半年有待改善局面

集邦科技記憶體儲(chǔ)存研究（DRAMeXchange）表示，今年第一季除了受到傳統(tǒng)淡季因素影響外，智能手機(jī)及伺服器OEM廠從去年第四季便因需求疲弱而開始調(diào)節(jié)...

2019-05-31 標(biāo)簽：DRAM NAND 788 0

明年的NAND Flash市場或?qū)?qiáng)勢增長存儲(chǔ)行業(yè)即將迎來曙光

IC Insights 表示，2020 年預(yù)測成長最快 IC 產(chǎn)品中，NAND flash 排第一、DRAM 排第三。今年這兩項(xiàng)商品的市場崩盤，201...

2019-12-06 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 788 0

西部數(shù)據(jù)正式通知減產(chǎn)15%以縮減庫存

近日，據(jù)外媒報(bào)道，全球NAND Flash存儲(chǔ)市場中的一大重要參與者——西部數(shù)據(jù)，已經(jīng)正式向其客戶發(fā)出了減產(chǎn)通知。這一決定旨在縮減當(dāng)前庫存水平，以應(yīng)對(duì)市...

2025-02-06 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 785 0

晶圓現(xiàn)貨市場的短期飆升有晶圓合約成功漲價(jià)10%

近期，受晶圓合約價(jià)格成功上漲的推動(dòng)，NAND Flash芯片現(xiàn)貨市場部分產(chǎn)品的詢價(jià)活躍度有所上升。TrendForce報(bào)告稱，這一增長主要源于8月底 N...

2023-09-04 標(biāo)簽：NAND 晶圓 SSD 785 0

NAND平均成本上升，備貨需求回暖，近期存儲(chǔ)現(xiàn)貨行情謹(jǐn)慎樂觀

隨著NAND資源供應(yīng)收緊，近期現(xiàn)貨NAND行情持續(xù)回溫，各環(huán)節(jié)陸續(xù)回補(bǔ)庫存，尤其有實(shí)際需求的終端積極備貨。不過目前行情主要是基于NAND wafer漲價(jià)...

2023-09-05 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ) 783 0

美光財(cái)報(bào)公布：超出預(yù)期,盤后大漲5%

受益于DRAM 與 NAND 快閃存儲(chǔ)器的供求和價(jià)格的上漲，美國存儲(chǔ)器廠家美光本季度中EPS 財(cái)測超標(biāo)。據(jù)悉，盤后大漲超過 5%。

2017-12-20 標(biāo)簽：dram nand 美光 782 0

NAND客戶備貨意愿提升存儲(chǔ)器價(jià)格預(yù)估持續(xù)跌至年底

存儲(chǔ)器市況不明，針對(duì)存儲(chǔ)器價(jià)格波動(dòng)趨勢，存儲(chǔ)器控制芯片廠慧榮總經(jīng)理茍嘉章表示，預(yù)估快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）價(jià)格已近谷底，下半年若再跌，幅度大約...

2019-05-06 標(biāo)簽：NAND 存儲(chǔ)器 782 0

閃存漲價(jià)潮來臨國內(nèi)產(chǎn)品跟海外的先進(jìn)水平又一步縮短

12 月 30 日訊，報(bào)道稱，閃存貶價(jià)現(xiàn)已兩年了，可是現(xiàn)在好日子要完畢了。自從 6 月份東芝、西數(shù)坐落日本的 NAND 閃存工廠斷電罷工一個(gè)月之后，閃存...

2019-12-31 標(biāo)簽：閃存 NAND 781 0

因2018年第四季總體經(jīng)濟(jì)不確定性提高 NAND Flash大廠營收持續(xù)走跌

全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）表示，部分服務(wù)器廠商因2018年第四季總體經(jīng)濟(jì)不確定性提高，決定延后進(jìn)貨或取消訂單，與...

2019-02-24 標(biāo)簽：NAND 三星電子 SK海力士 781 0

2011年全球第四季度NAND閃存芯片市場規(guī)模達(dá)到48.9億美元

據(jù)媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度...

2012-02-07 標(biāo)簽：NAND 閃存芯片 779 0

NAND Flash報(bào)價(jià)暫時(shí)回跌，SSD控制器將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)整合期

連續(xù)多季走強(qiáng)的NAND Flash報(bào)價(jià)，在2018年第一季可望暫時(shí)回跌，然由于3D NAND Flash制程工序繁復(fù)，會(huì)使晶圓廠的實(shí)際產(chǎn)能下滑，故NA...

2018-07-09 標(biāo)簽：NAND 內(nèi)存 SSD 774 0

韓廠首傳減產(chǎn)消息，NAND Flash市場迎供需平衡預(yù)期

近期，NAND Flash市場再次迎來重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道，繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后，市場又傳出三星、SK海力士兩大韓廠也將減產(chǎn)消費(fèi)級(jí)NAND Fla...

2025-01-07 標(biāo)簽：NAND 美光 SK海力士 774 0

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售

IMFT宣布25nm NAND閃存二季度開售 Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，...

2010-03-23 標(biāo)簽：NAND IMFT 772 0

淺析國產(chǎn)存儲(chǔ)面臨的挑戰(zhàn)

當(dāng)你與一位半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)的老投資者交談時(shí)，你會(huì)看到，他面對(duì)這個(gè)模棱兩可行業(yè)所表現(xiàn)出的冷靜態(tài)度。因?yàn)槠茐睦麧櫟囊蛩乜偸谴嬖?，而一些因素可能?huì)壓倒你在投...

2018-06-06 標(biāo)簽：NAND 770 0

美光宣布在印度建造封測工廠，投資總額高達(dá)27.5億美元

近日，美光科技公司今天宣布計(jì)劃在印度古吉拉特邦建造一座新的組裝和測試工廠，新工廠將實(shí)現(xiàn) DRAM 和 NAND 產(chǎn)品的組裝和測試制造。

2023-06-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 NAND 美光 768 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
長鑫存儲(chǔ)

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2016年5月，長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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