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nand

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NAND閃存是一種比硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過(guò)4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。

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nand資訊

全球NAND Flash季度營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)28.1%

其中,三星以54億美元的銷售額領(lǐng)跑市場(chǎng),環(huán)比增長(zhǎng)28.6%。得益于企業(yè)級(jí)SSD出貨量的提升與NAND Flash價(jià)格的上漲,預(yù)計(jì)下個(gè)季度將繼續(xù)保持20%...

2024-05-29 標(biāo)簽:NAND西部數(shù)據(jù)AI服務(wù)器 900 0

美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩

近日,根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議文稿,公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃存市場(chǎng)需求放緩的應(yīng)對(duì)措施。 美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官M(fèi)ar...

2024-12-26 標(biāo)簽:閃存NAND晶圓 898 0

佰維EPS200、C1008斬獲“硬核中國(guó)芯”最佳存儲(chǔ)芯片獎(jiǎng)、“汽車(chē)電子創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)”

近期,佰維EPS200、C1008產(chǎn)品喜報(bào)頻傳。兩款芯片先后在眾多參評(píng)產(chǎn)品中脫穎而出,一舉斬獲硬核中國(guó)芯2022年度最佳存儲(chǔ)芯片獎(jiǎng)、維科杯·OFweek...

2022-11-30 標(biāo)簽:NAND汽車(chē)電子SSD 897 0

2023年存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)下滑將比去年減少17%

由主要半導(dǎo)體廠商組成的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)發(fā)布的報(bào)告稱,2023年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1%,降至5565億美元,此前曾預(yù)期增長(zhǎng)4....

2022-12-01 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)芯片SK海力士 896 0

DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯

TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tài)勢(shì)。

2025-02-08 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 894 0

DRAM價(jià)格沒(méi)有回升跡象,DDR5繼續(xù)下跌

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士稱,到 2022 年為止,DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格已下跌超過(guò) 40%,而 NAND 閃存晶圓價(jià)格已跌至供應(yīng)商的現(xiàn)金成本水平以下。

2023-01-04 標(biāo)簽:閃存DRAMNAND 892 0

三星計(jì)劃明年一季度與二季度再次逐季調(diào)漲20%

根據(jù)近日三星向客戶公布的四季度官價(jià),移動(dòng)DRAM合約價(jià)環(huán)比漲幅在11%-25%左右。NAND閃存方面,UFS4.0漲幅約2%,eMCP、uMCP漲幅不等...

2023-11-03 標(biāo)簽:NAND閃存芯片三星 885 0

NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯,NOR成明日黃花

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NAND成本優(yōu)勢(shì)明顯,NOR成明日黃花 市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機(jī)內(nèi)存行業(yè)研究報(bào)告”指出,NOR閃存在512Mb是個(gè)門(mén)檻。高于350...

2009-11-25 標(biāo)簽:NANDNOR 882 0

東芝或?qū)⒉脝T數(shù)千名 分拆NAND存儲(chǔ)器事業(yè)部

被東芝(Toshiba)視為營(yíng)運(yùn)重建支柱的半導(dǎo)體部門(mén)新整編方案內(nèi)容曝光,據(jù)悉東芝擬把在三重縣四日市工廠進(jìn)行生產(chǎn)的“NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Me...

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盡管漲勢(shì)減緩,但DRAM與NAND營(yíng)收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄

半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)ICinsights 指出,全球記憶體下半年價(jià)格上漲動(dòng)能可能減緩,包含DRAM 與NAND 快閃記憶體均是如此。

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西數(shù)5毫米500GB硬盤(pán),讓Ultrabook輕松“瘦身”

平板機(jī)內(nèi)部空間極為有限,因此在存儲(chǔ)方面都選擇了NAND、eMMC方案,使得容量受到了很大限制,尤其是Windows平板機(jī),排除操作系統(tǒng)、備份等需要的空間...

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今年全球晶圓設(shè)備支出衰退13.3% 估2014年恢復(fù)成長(zhǎng)

研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)發(fā)布最新預(yù)測(cè),預(yù)估今年全球晶圓設(shè)備(WFE)支出金額總計(jì)達(dá)314億美元,較2011年362億美元下滑13.3%,預(yù)期2014年才可重回正成長(zhǎng)。

2012-10-16 標(biāo)簽:NAND晶圓晶圓制造 879 0

消息稱三星西安半導(dǎo)體工廠開(kāi)啟工藝升級(jí),正采購(gòu)新設(shè)備備產(chǎn) 236 層 NAND

10 月 16 日消息,上周一,三星電子和 SK 海力士等韓國(guó)公司獲得美國(guó)政府無(wú)限期豁免,其中國(guó)工廠無(wú)需特別許可即可進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備。 對(duì)于三星來(lái)說(shuō)這無(wú)...

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Q3季度NAND閃存價(jià)格跌了10-15%,Q4價(jià)格還會(huì)更慘

從Q1季度之后,NAND閃存價(jià)格就止不住下滑了,主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增,而需求卻降下來(lái)了,智能手機(jī)市場(chǎng)已經(jīng)連續(xù)多個(gè)季...

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提出了一種集成傳感和計(jì)算功能的MEMS神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)以同時(shí)執(zhí)行加速度傳感和分類任務(wù),這種一體化結(jié)構(gòu)以零電路和低功耗運(yùn)行。

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7月6日,三星預(yù)估2018年Q2季度營(yíng)收在57兆韓元-59兆韓元(約合510億美元-527億美元),平均值58兆韓元(518億美元)相較于上一季度環(huán)比下...

2018-08-09 標(biāo)簽:NAND三星電子 874 0

存儲(chǔ)器4Q寒氣蔓延 第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上

NAND價(jià)格從2022年第1季在缺貨拉抬調(diào)漲報(bào)價(jià)后,市場(chǎng)價(jià)格快速反轉(zhuǎn)走跌,第3季NAND晶圓跌價(jià)約達(dá)3成以上,相當(dāng)于從年初高點(diǎn)下跌約達(dá)50%,由于終端備...

2022-11-01 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器晶圓 873 0

瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議物理層的規(guī)范

瀚海微SD NAND應(yīng)用之SD協(xié)議物理層的規(guī)范

本文中的數(shù)字規(guī)則 十六進(jìn)制數(shù)字以小寫(xiě)“h”后綴書(shū)寫(xiě),例如FFFFh和80h。 二進(jìn)制數(shù)用小寫(xiě)“b”后綴書(shū)寫(xiě)(例如,10b)。 大于四位數(shù)的二進(jìn)制數(shù)用一個(gè)...

2024-07-18 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)卡SD 872 0

三星電子和SK海力士計(jì)劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開(kāi)發(fā)出10nm級(jí)第5代(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。韓國(guó)投資證券分析師預(yù)計(jì),由于DDR5需...

2023-10-24 標(biāo)簽:DRAMNAND服務(wù)器 872 0

NAND供貨持續(xù)吃緊 價(jià)格難以回歸平衡

NAND的價(jià)格在近幾年來(lái)都是水漲船高的局勢(shì),隨著三星和SK海力士宣布繼續(xù)投產(chǎn),預(yù)估明年DRAM仍舊是供貨吃緊,因此DRAM價(jià)格下修的可能性也會(huì)很低。

2017-12-18 標(biāo)簽:dramnand三星電子 872 0

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