美光率先量產(chǎn)232層QLC NAND產(chǎn)品

美光科技再次領(lǐng)跑行業(yè)前沿，近日宣布其232層QLC NAND產(chǎn)品已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已開始應(yīng)用于部分Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤中。這一突破性的技術(shù)不僅滿...

2024-05-09 標(biāo)簽：NAND美光科技 994 0

SK海力士推出新一代移動(dòng)端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日，SK海力士公司宣布了一項(xiàng)革命性的技術(shù)突破，他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)（On-Device）AI應(yīng)用的全新移動(dòng)端NAND閃存解決方案——“ZUFS（Z...

2024-05-09 標(biāo)簽：閃存NANDSK海力士 1.1k 0

美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破，其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤（SSD）中。此外，美光還...

2024-05-06 標(biāo)簽：NAND美光科技 1.1k 0

三星第九代V-NAND 1TB TLC量產(chǎn)，密度提升逾50%

第九代V-NAND采用雙堆疊設(shè)計(jì)，將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層，主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。

2024-04-28 標(biāo)簽：NAND云計(jì)算人工智能 1.3k 0

三星電子NAND開工率已提高至90%

據(jù)相關(guān)業(yè)內(nèi)人士21日透露，近期三星電子NAND開工率已提高至90%，此前存儲(chǔ)行業(yè)衰退時(shí)三星開工率一度下降至60%。

2024-04-22 標(biāo)簽：NAND三星電子SSD 915 0

三星量產(chǎn)第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄

三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NA...

2024-04-18 標(biāo)簽：NAND閃存芯片三星 1.4k 0

“神仙打架”的車企背后，智能汽車產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)歷了什么？

2024 年伊始，汽車市場就開始彌漫著濃濃的硝煙味道，年味還沒散盡，比亞迪就用“電比油低”揭開了新一輪“戰(zhàn)爭”序幕。

2024-04-17 標(biāo)簽：DRAMNAND智能汽車 1.1k 0

三星電子即將開啟290層V9 NAND芯片量產(chǎn)

市場研究機(jī)構(gòu)Omdia的最新預(yù)測(cè)顯示，盡管NAND閃存市場在2023年經(jīng)歷了下滑，但預(yù)計(jì)今年將迎來強(qiáng)勁反彈，增長率高達(dá)38.1%。

2024-04-12 標(biāo)簽：NAND三星電子存儲(chǔ)芯片 1.6k 0

美光科技擬上調(diào)產(chǎn)品報(bào)價(jià)，漲幅預(yù)計(jì)突破20%

就在幾天前的4月3日，臺(tái)灣花蓮縣海域遭受了一場7.3級(jí)的強(qiáng)烈地震，并伴隨著多次余震，給當(dāng)?shù)貛砹藝?yán)重的破壞。

2024-04-10 標(biāo)簽：閃存DRAMNAND 1.2k 0

西部數(shù)據(jù)調(diào)整NAND閃存和硬盤價(jià)格，因需求旺盛供應(yīng)不足

已證實(shí)，西部數(shù)據(jù)已向客戶發(fā)函，宣布將對(duì)NAND閃存及硬盤產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整。西部數(shù)據(jù)就產(chǎn)品供應(yīng)困難發(fā)表聲明，稱市場需求遠(yuǎn)超預(yù)期，導(dǎo)致供應(yīng)緊張，加劇了電子行...

2024-04-09 標(biāo)簽：NAND硬盤西部數(shù)據(jù) 1.3k 0

鎧俠計(jì)劃2030-2031年推出千層級(jí)3D NAND閃存，并開發(fā)存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）

目前，鎧俠和西部數(shù)據(jù)共同研發(fā)NAND閃存技術(shù)，他們最杰出的作品便是218層堆疊的BICS8 3D閃存，這項(xiàng)產(chǎn)品能達(dá)到的傳輸速度高達(dá)3200MT/s。

2024-04-07 標(biāo)簽：NAND西部數(shù)據(jù)鎧俠 1.3k 0

三星半導(dǎo)體再度沖擊行業(yè)第一寶座？

內(nèi)存由 DRAM 和 NAND 產(chǎn)品組成，對(duì)于自 1993 年以來成為全球最大內(nèi)存制造商的三星來說，最為重要。雖然該公司始終只公布 DS 部門的盈利，但...

2024-04-02 標(biāo)簽：DRAMNAND存儲(chǔ)器 803 0

創(chuàng)見MTE310S PCIe 4.0固態(tài)硬盤，支持SLC緩存與LDPC糾錯(cuò)

值得一提的是，創(chuàng)見為 MTE310S 固態(tài)硬盤提供長達(dá)五年的保修期，保證 200 萬小時(shí)的平均故障間隔時(shí)間。至于產(chǎn)品售價(jià)和具體上市日期，官方暫未對(duì)外透露。

2024-04-01 標(biāo)簽：DRAMNAND固態(tài)硬盤 1.3k 0

美光科技宣布西安封裝和測(cè)試工廠擴(kuò)建項(xiàng)目破土動(dòng)工

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體企業(yè) Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布其位于西安的封裝和測(cè)試新廠房已...

2024-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAMNAND 1.4k 0

慧榮科技推出PCIe Gen4 BGA FerriSSD? ，搭載i-temp的高性能工業(yè)和汽車解決方案

臺(tái)北和美國加州訊,2024 年 3 月 27 日-- 全球 NAND 閃存主控芯片領(lǐng)導(dǎo)廠商慧榮科技 (NasdaqGS: SIMO),今日宣布推出新一代...

2024-03-27 標(biāo)簽：芯片NANDPCIe 1.1k 0