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SiC MOSFET的廠商現(xiàn)狀以及產(chǎn)品差別

隨著新能源市場的爆發(fā)，電動汽車、光伏、儲能等下游應(yīng)用驅(qū)動下，碳化硅功率器件迎來了新一輪增長期。特別是電動汽車上SiC MOSFET的大規(guī)模應(yīng)用后，在近幾...

2022-07-25 標簽：功率器件 SiC MOSFET 1.8k 0

安世半導(dǎo)體推出首款SiC MOSFET，聚焦電動汽車充電樁等市場

，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出...

2023-12-05 標簽：電動汽車充電樁 SiC MOSFET 1.8k 0

恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動交通領(lǐng)域的采用

在此次合作中，恩智浦GD3160隔離式柵極驅(qū)動器與日立能源RoadPak SiC電源模塊相結(jié)合，將高效、可靠且功能安全的電子動力傳動系統(tǒng)更快地推向市場

2022-03-30 標簽：恩智浦 SiC MOSFET 1.7k 0

傾佳電子ANPC三電平拓撲深度解析及SiC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價值研究報告

傾佳電子ANPC三電平拓撲深度解析及SiC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價值研究報告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體...

2025-09-01 標簽：SiC 功率模塊 SiC MOSFET 1.6k 0

Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?(“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)...

2025-08-29 標簽：封裝 Toshiba SiC 1.5k 0

安森美半導(dǎo)體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊，基于平面技術(shù)，適合18 V到20 V范圍內(nèi)的驅(qū)動電壓，易于用負門極電壓驅(qū)動。

2021-06-08 標簽：MOSFET 安森美半導(dǎo)體電動車充電 1.5k 0

碳化硅1700v sic mosfet供應(yīng)商

ModelName：ASC5N1700MT3Package：TO-247-3LVoltage：1700VRon：1000mohmTemperatureR...

2022-03-04 標簽：碳化硅 SiC MOSFET 1.5k 0

SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀分析

對于SiC功率MOSFET技術(shù)，報告指出，650-1700V SiC MOSFET技術(shù)快速迭代，單芯片電流可達200A。提升電流密度同時，解決好特有可靠...

2023-08-08 標簽：二極管 MOSFET 光電半導(dǎo)體 1.4k 0

1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報告

2023-12-05 標簽：二極管功率器件碳化硅 1.3k 0

IFWS&SSLCHINA2024 蘇州盛大開幕，超千人齊聚探尋產(chǎn)業(yè)科技創(chuàng)新融合新思路

2024年11月19日，第十屆國際第三代半導(dǎo)體論壇SSLCHINA2024）在蘇州開幕。本屆論壇由蘇州實驗室、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA...

2024-11-20 標簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC MOSFET 1.3k 0

如何更好地驅(qū)動SiC MOSFET器件？

IGBT的驅(qū)動電壓一般都是15V，而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動電壓各品牌并不一致，15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動電壓有助于降低器...

2024-05-13 標簽：芯片 MOSFET IGBT 1.2k 0

全球汽車半導(dǎo)體行業(yè)正在以每年10%速度增長

汽車半導(dǎo)體市場預(yù)計到 2022 年將達到 599 億美元，2023 年至 2032 年復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 10.3%，達到 1531.1

2023-12-21 標簽：存儲器功率器件半導(dǎo)體器件 1.2k 0

傾佳電子算力電源PSU核心技術(shù)報告：無橋PFC與LLC拓撲中SiC MOSFET的決定性價值

傾佳電子算力電源PSU核心技術(shù)報告：無橋PFC與LLC拓撲中SiC MOSFET的決定性價值傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體...

2025-09-15 標簽：PFC LLC PSU 1.2k 0

貿(mào)澤開售Microchip AgileSwitch相臂功率模塊兼具SiC MOSFET與二極管之長

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開始備貨Microchip Technology的全新AgileSwitch?相臂SiC MO...

2020-10-15 標簽：二極管 microchip 貿(mào)澤電子 1.2k 0

淺談SiC 和 GaN 的未來發(fā)展路線

SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關(guān)，其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。

2023-02-06 標簽：SiC GaN GaN晶體管 1.2k 0

SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值

基本半導(dǎo)體BMF240R12E2G3 SiC MOSFET模塊在英偉達800V HVDC電源系統(tǒng)中的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用價值隨著AI數(shù)據(jù)中心對算力需求的爆發(fā)...

2025-05-23 標簽：電源系統(tǒng)英偉達 SiC MOSFET 911 0

廣東佳訊邀您一起探究：SiC MOSFET 替代 IGBT ，這是必然走向嗎？

碳化硅MOSFET以其高開關(guān)速度、高溫工作能力和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)勢，在電動汽車、太陽能逆變器等領(lǐng)域替代IGBT。盡管IGBT在成本和成熟度上仍有優(yōu)勢，但碳...

2025-01-15 標簽：IGBT SiC MOSFET 833 0

BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET特點及設(shè)計要點

BASiC基本半導(dǎo)體新一代（G3）SiC MOSFET技術(shù)深度分析與應(yīng)用設(shè)計指南傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...

2025-09-19 標簽：半導(dǎo)體 SiC BASIC 791 0

新品 | 采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiC MOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kW PFC評估板

新品采用電平位移驅(qū)動器碳化硅SiCMOSFET交錯調(diào)制圖騰柱5kWPFC評估板電子設(shè)備會污染電網(wǎng)，導(dǎo)致電網(wǎng)失真，威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此，電源...

2025-05-22 標簽：驅(qū)動器評估板碳化硅 786 0

瑞薩電子推出用于驅(qū)動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET——RAJ2930004AGM

瑞薩電子推出一款全新柵極驅(qū)動IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSF...

2023-02-03 標簽：逆變器 IGBT 瑞薩電子 761 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標準，將該標準引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標準交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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