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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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淺談高壓SiC MOSFET發(fā)展歷程與研究現(xiàn)狀

高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術存在著幾個重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導通電阻隨電壓等級相應增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進一步提高了總導通電阻。

2023-05-04 標簽：二極管 MOSFET 導通電阻 3645 0

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...

2024-01-09 標簽：半導體功率器件 SiC 3630 0

VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長電動車續(xù)航能力

因續(xù)航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關...

2022-08-31 標簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 3599 0

Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性

通過AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對比研究發(fā)現(xiàn)，PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...

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什么是碳化硅？碳化硅的拋光方法主要有哪些？

碳化硅（SiC）材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向，用于制作功率器件，可顯著提高電能利用率。

2023-02-10 標簽：功率器件 SiC CMP 3543 0

功率半導體迎來SiC時代？碳化硅（SiC）的需求快速增長

在新能源汽車終端市場中，隨著SiC材料價格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長，來自于車載充電、驅(qū)動逆變和DC-DC轉(zhuǎn)換。

2023-08-27 標簽：新能源汽車 DC-DC轉(zhuǎn)換器 IGBT 3527 0

如何選取SiC門極電壓

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未...

2022-06-06 標簽：電壓 SiC 開關頻率 3498 0

什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？

SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。

2024-04-18 標簽：SiC 熱處理碳化硅 3490 0

對Si3N4-AMB覆銅基板較為關心的三大方面

隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求。

2023-03-16 標簽：PVD SiC 功率模塊 3475 0

碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應嗎？

　碳化硅的應用主要在于它的半導體性能與力學性能兩個方面。高溫下與氧反應。

2023-02-20 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3457 0

全電飛機航空電子系統(tǒng)的設計方案解析

SOI獨特的“Si/絕緣層/Si”三層結(jié)構(gòu)，帶來了諸多優(yōu)勢：首先，“絕緣埋層”實現(xiàn)了器件功能有源部分和襯底的全介質(zhì)隔離，減小了寄生電容，開關頻率得以提高。

2023-01-10 標簽：電機驅(qū)動 SiC 碳化硅 3442 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

650V SiC MOSFET的擁護者可能會指出，他們發(fā)現(xiàn)其他類似器件在Tj =125°C下的該數(shù)值通常為+20-25%。這能說明SiC MOSFET比...

2021-01-08 標簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動 3425 0

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別

SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們...

2024-09-10 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 3418 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術

碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優(yōu)異性能，在眾多高端應用領域表現(xiàn)出色，已成為半導體材料技術的重要發(fā)展方向...

2024-01-17 標簽：半導體晶體管 SiC 3417 0

深度了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)

SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能...

2024-11-14 標簽：半導體晶體 SiC 3415 0

碳化硅外延設備技術研究

與傳統(tǒng)半導體材料硅、鍺相比，第三代半導體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

2023-12-18 標簽：半導體半導體材料 SiC 3403 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

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2024-01-04 標簽：MOSFET 光伏晶體管 3392 0

IGBT和SiC這兩者的存在意義

近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關注。

2023-03-28 標簽：IGBT SiC 氮化鎵 3349 0

氮化鎵的優(yōu)勢特點！

傳統(tǒng)上，半導體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

2022-12-13 標簽：晶體管 SiC 氮化鎵 3323 0

基于SiC MOSFET的儲能變流器功率單元設計方法

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發(fā)展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研究熱點。然而SiC器件過高的開關速度使其對電路中雜散...

2024-02-22 標簽：MOSFET 變換器 SiC 3315 0

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