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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設計和更高的效率。
人類社會的進步離不開社會上各行各業(yè)的努力，各種各樣的電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代離不開我們的設計者的努力，其實很多人并不會去了解電子產(chǎn)品的組成，比如SiC光伏并網(wǎng)逆變器。
短路引起的 SiC MOSFET 電學參數(shù)的退化受到了電、熱、機械等多種應力的作用，其退化機理需要從外延結構、芯片封裝以及器件可靠性等多方面進行論證分析。
摘要： 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應用前景，其中金屬-氧化物-場效應晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...
除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力，例如，短路能力或脈沖電流處理能力。
連續(xù)纖維增強陶瓷基復合材料(以下簡稱陶瓷基復合材料)發(fā)明于20世紀70年代，歷經(jīng)近40年的發(fā)展，陶瓷基復合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國外機構已具備了...
如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。從MOSFET的結構上講，體二極管是由源極-漏極間的pn結形成的，也被...
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域...
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
帶保護環(huán)的SiC屏蔽DMOSFET的模擬 A.Kanale和B.J.Baliga，“加強短路電流抑制方法的比較”1.2kV SiC功率MOSF...
碳化硅 （SiC）是一種越來越重要的半導體材料：用這種材料制造的電子元件越來越普遍和高效。最好的電子仿真程序已經(jīng)用這些組件豐富了他們的庫，這些組件現(xiàn)在在...
什么是SiC boat？SiC boat有幾種不同的制作工藝？
SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中，裝載載晶圓進行高溫處理的耐高溫配件。
從晶體到系統(tǒng)之路：關于碳化硅的關鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術發(fā)展相關性不是特別大，所以我單獨把這兩個流程拿出來和大家分享，接下來的芯片技術發(fā)展比如MOSFET的平面結構或者溝槽結構都是直...
SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們...
剖析SiC-MOSFET特征及其與Si-MOSFET的區(qū)別 1
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現(xiàn)低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體有如下優(yōu)勢，如低損耗、高速開關、高溫...
碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強度和高熱導率等優(yōu)異性能，在眾多高端應用領域表現(xiàn)出色，已成為半導體材料技術的重要發(fā)展方向...
選擇合適的柵極驅動器來解決碳化硅(SiC)的設計挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題，例如保護功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關速度和裸片上的熱點，這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
碳化硅 （ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強大、熱導率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點。應用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大，難以匹配 SiC 器件...
2023-12-27 標簽：電力系統(tǒng)封裝技術SiC 4.5k 0
對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業(yè)標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現(xiàn)反映外延層...
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