半導體切割-研磨-拋光工藝簡介

SiC襯底切割是將晶棒切割為晶片，切割方式有內圓和外圓兩種。由于SiC價格高，外圓、內圓刀片厚度較大，切割損耗高、生產效率低，加大了襯底的成本。

2023-06-25 標簽：半導體技術SiCCMP 5.3k 0

淺談SiC MOSFET芯片的短路能力

SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承諾短路能力，有少數在數據手冊上標明短路能力的幾家，也通常把短路耐受時間（SCWT：shor...

2023-12-13 標簽：芯片MOSFETIGBT 5.2k 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。

2023-09-28 標簽：晶圓場效應晶體管肖特基二極管 5.1k 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工...

2023-12-22 標簽：半導體功率器件SiC 5.1k 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理 在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標簽：晶體SiC襯底 5.1k 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應用前景。

2023-06-28 標簽：新能源汽車轉換器逆變器 5.1k 0

橫向型與垂直型MOSFET簡介

橫向型MOSFET，又稱之為橫向導電型的MOSFET，結構如下圖所示。這里橫向的意思是指電流的流動方向與晶圓襯底之間的方向。

2023-06-25 標簽：MOSFET晶圓電壓源 5.1k 1

一種適用于自舉供電的SiC MOSFET可靠驅動方案

碳化硅場效應晶體管（SiC MOSFET）憑借高速開關特性，大幅降低開關損耗，目前已在各行業(yè)應用中加速滲透。然而，其器件特性所伴隨的高 dV/dt（電壓...

2025-11-05 標簽：MOSFET晶體管SiC 5.1k 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生長、特性、應用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學顯微鏡，TEM，SEM/散射光等...

2023-12-28 標簽：SEMSiCTEM 5k 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。

2024-04-01 標簽：功率器件SiC碳化硅 4.9k 0

功率半導體迎來SiC時代？碳化硅（SiC）的需求快速增長

在新能源汽車終端市場中，隨著SiC材料價格下降，碳化硅（SiC）的需求快速增長，來自于車載充電、驅動逆變和DC-DC轉換。

2023-08-27 標簽：新能源汽車DC-DC轉換器IGBT 4.9k 0

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性

SiC MOSFET并聯的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯參數會更為敏感。

2021-09-06 標簽：英飛凌pcbMOSFET 4.9k 0

基于3KW雙向變換器的電源設計方案

　本文介紹了一種3KW雙向變換器的設計考慮，該變換器滿足大功率便攜式儲能產品的需求。首先，我們在設計中比較了幾種功率器件的性能，并指出SiC器件可以提高...

2023-11-27 標簽：二極管轉換器電源電路 4.8k 0