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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是Si...

2025-09-23 標(biāo)簽：MOSFET 封裝 IGBT 1.7k 0

浮思特 | 高壓高效，SiC新力量——至信微SMD600HB200EDA1功率模塊

在新能源、電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源等領(lǐng)域，功率器件正在迎來一場(chǎng)深刻變革。硅基器件逐漸向碳化硅(SiC)過渡，而如何在高壓、大電流環(huán)境下兼顧效率、可...

2025-09-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率模塊 317 0

【新啟航】大尺寸碳化硅（150mm+）TTV 厚度均勻性提升技術(shù)

一、引言隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，碳化硅（SiC）作為關(guān)鍵的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其應(yīng)用愈發(fā)廣泛。大尺寸碳化硅（150mm+）晶圓在提高芯片生產(chǎn)效率、降...

2025-09-20 標(biāo)簽：晶圓 SiC 碳化硅 289 0

解析Wolfspeed頂部散熱碳化硅功率器件

面對(duì)電力電子應(yīng)用與日俱增的需求，高電壓系統(tǒng)研發(fā)工程師正更多地轉(zhuǎn)向采用碳化硅 (SiC) 方案，借助其固有的溫度特性和開關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。工程師們常常面臨多方面...

2025-09-17 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 368 0

如何優(yōu)化碳化硅清洗工藝

優(yōu)化碳化硅（SiC）清洗工藝需要綜合考慮材料特性、污染物類型及設(shè)備兼容性，以下是系統(tǒng)性的技術(shù)路徑和實(shí)施策略：1.精準(zhǔn)匹配化學(xué)配方與反應(yīng)動(dòng)力學(xué)選擇性蝕刻控...

2025-09-08 標(biāo)簽：SiC 硅清洗 343 0

芯干線SiC功率模塊的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

碳化硅（SiC）的禁帶寬度約為3.3eV，顯著大于硅（Si）的1.1eV。禁帶寬度大的材料，需更多能量才能將電子從價(jià)帶激發(fā)至導(dǎo)帶，這使得 SiC 能在更...

2025-09-05 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 433 0

傾佳電子三電平拓?fù)渲兄悬c(diǎn)電位不平衡的根本原因、解決對(duì)策及SiC MOSFET功率模塊的作用深度分析

傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚...

2025-09-06 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 646 0

浮思特|SiC MOSFET與普通MOSFET的區(qū)別及應(yīng)用分析

在現(xiàn)代功率電子技術(shù)中，MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是不可或缺的關(guān)鍵組件。它廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、逆變器、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。而隨著功率需求和系統(tǒng)效率的不斷提高...

2025-09-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC SiC MOSFET 288 0

高性能隔離式DC/DC電源模塊UCC14240-Q1技術(shù)解析

Texas Instruments UCC14240-Q1穩(wěn)壓汽車直流-直流模塊是一款高隔離電壓 (3kV ~RMS~ ) 直流/直流模塊，設(shè)計(jì)用于為I...

2025-09-03 標(biāo)簽：隔離電壓 IGBT SiC 1.8k 0

薄膜電容器助力SiC和IGBT技術(shù)高速推進(jìn)：永銘電容應(yīng)用方案

近年來，光儲(chǔ)充和電動(dòng)汽車（EV）等新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，導(dǎo)致了直流支撐（DC-Link）電容需求的急劇增長(zhǎng)。簡(jiǎn)而言之，DC-Link電容在電路中扮演著至...

2025-09-01 標(biāo)簽：IGBT SiC 薄膜電容 1.7k 0

淺談SiC MOSFET器件的短路耐受能力

SiC MOSFET器件的短路耐受能力，在高壓和低壓應(yīng)用是有所不同的，在耐受時(shí)間上通常在?2-7μs?范圍內(nèi)。多數(shù)規(guī)格書標(biāo)稱的短路時(shí)間是供應(yīng)商在評(píng)估器件...

2025-09-02 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 封裝 461 0

CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性深度解析：高效選型指南

在功率器件領(lǐng)域，英飛凌的CoolSiCMOSFETG2以其卓越性能備受關(guān)注。然而，面對(duì)復(fù)雜的應(yīng)用場(chǎng)景，如何正確選型成為工程師們的關(guān)鍵問題。今天，我們將從...

2025-09-01 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET SiC 892 0

浮思特 | 為什么新能源離不開碳化硅?聊聊至信微的 SiC MOSFET 模塊

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2025-08-29 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 SiC MOSFET 317 0

超景深顯微鏡航天領(lǐng)域應(yīng)用：織構(gòu)化超分子復(fù)合材料摩擦性能三維表征

超高分子量聚乙烯（UHMWPE）具優(yōu)異自潤(rùn)滑性、耐腐蝕性與抗沖擊性，在航空航天、精密機(jī)械領(lǐng)域應(yīng)用前景廣，但低硬度、抗磨粒磨損差的缺陷限制極端工況適配。表...

2025-08-26 標(biāo)簽：航天 SiC 復(fù)合材料 419 0

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型硬開關(guān)與軟開關(guān)場(chǎng)景解析

在功率電子領(lǐng)域，英飛凌的CoolSiCMOSFETG2以其卓越性能備受關(guān)注。本文將重點(diǎn)分析如何在硬開關(guān)和軟開關(guān)兩種應(yīng)用場(chǎng)景下，正確選型CoolSiCMO...

2025-08-26 標(biāo)簽：MOSFET SiC Infineon 5.2k 0

Force-I QSCV技術(shù)在SiC MOSFET界面陷阱測(cè)量中的應(yīng)用

電容-電壓 (C-V) 測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測(cè)量電流...

2025-08-25 標(biāo)簽：放大器 MOSFET 半導(dǎo)體 3.5k 0

柵極驅(qū)動(dòng)器環(huán)路設(shè)計(jì)對(duì)SiC MOSFET開關(guān)性能的影響

摘要每個(gè)功率開關(guān)都需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路，這是必要的，但容易被忽視。柵極驅(qū)動(dòng)電路對(duì)功率器件的開關(guān)過程有著非常重要的影響，本文分析了驅(qū)動(dòng)電路的輸出能力和雜散參數(shù)...

2025-08-22 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器 584 0

PCIM2025論文摘要 | 1200V CoolSiC? MOSFET G2分立器件的開關(guān)行為調(diào)查

完整版內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIMAsia英飛凌將為您帶來更多分享*本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布摘要英飛凌CoolSiCMOSFETG2通過單元間距縮...

2025-08-20 標(biāo)簽：MOSFET 分立器件 SiC 623 0

三種功率器件的區(qū)別解析

600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS)，SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間，其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...

2025-08-16 標(biāo)簽：封裝功率器件 SiC 3k 0

工業(yè)充電器中元器件選型策略

碳化硅（SiC）功率開關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。...

2025-08-15 標(biāo)簽：MOSFET 充電器安森美 2.3k 0

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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