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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

UCC23514 5kVrms 4A/5A，單通道光學(xué)兼容隔離柵極驅(qū)動(dòng)器，帶有鉗位和分割輸出選項(xiàng)數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC23514 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4.5A 的拉電流和 5.3A ...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET FET SiC 249 0

UCC21550 4A/6A、5kVRMS 雙通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC21550 是具有可編程死區(qū)時(shí)間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器系列。它采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流設(shè)計(jì)，可驅(qū)動(dòng)功率 MOSFE...

2025-05-16 標(biāo)簽：MOSFET 可編程晶體管 231 0

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...

2025-05-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 462 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)

柵極驅(qū)動(dòng)器是確保SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解柵極驅(qū)動(dòng)電壓的影響以及驅(qū)動(dòng)...

2025-05-06 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 555 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

柵極驅(qū)動(dòng)器是保證SiC MOSFET安全運(yùn)行的關(guān)鍵，設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵點(diǎn)包括柵極電阻、柵極電壓和布線方式等，本章節(jié)帶你了解SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電...

2025-04-24 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 830 0

半導(dǎo)體材料電磁特性測(cè)試方法

從鍺晶體管到 5G 芯片，半導(dǎo)體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。

2025-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料 SiC 參數(shù)分析儀 308 0

TSSG生產(chǎn)碳化硅的優(yōu)勢(shì)

微管是SiC晶體中極為有害的缺陷，哪怕數(shù)量極少，也會(huì)對(duì)SiC器件的性能產(chǎn)生毀滅性打擊。在傳統(tǒng)物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)SiC單晶時(shí)，微管極易形成，并且...

2025-04-24 標(biāo)簽：晶體 SiC 碳化硅 344 0

TSSG法生長(zhǎng)SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長(zhǎng)難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無(wú)熔點(diǎn)，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會(huì)直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預(yù)測(cè)，只有在壓強(qiáng)高達(dá)1...

2025-04-18 標(biāo)簽：晶體工藝 SiC 354 0

UCC14141-Q1 汽車級(jí) 1.5W、12V VIN、25V VOUT 高密度 >5kVRMS 隔離式直流/直流模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

UCC14141-Q1 是一款符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的高隔離電壓 DC/DC 電源模塊，旨在為 IGBT 或 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器供電。UCC14141-Q1 將變...

2025-04-17 標(biāo)簽：IGBT 電源模塊 SiC 356 0

使用安森美Elite Power仿真工具的125KW儲(chǔ)能系統(tǒng)設(shè)計(jì)

安森美(onsemi)近期推出的開發(fā)工具試用活動(dòng)已圓滿收官，本次活動(dòng)吸引了眾多工程師的積極參與，通過(guò)實(shí)際應(yīng)用體驗(yàn)安森美先進(jìn)的開發(fā)工具，共同挖掘其在設(shè)計(jì)中...

2025-04-17 標(biāo)簽：安森美 SiC 儲(chǔ)能系統(tǒng) 342 0

TMS320F280034-Q1 汽車級(jí) C2000? 32 位 MCU 120MHz 128KB 閃存數(shù)據(jù)手冊(cè)

TMS320F28003x （F28003x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件專為提高電力電子效率而設(shè)計(jì)，包括但不...

2025-04-15 標(biāo)簽：微控制器電力電子 SiC 373 0

TMS320F28P550SJ 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列可擴(kuò)展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標(biāo)簽：微控制器 AI SiC 713 0

F29H850TU C2000? 64 位 MCU，帶 C29x 200MHz 三核技術(shù)手冊(cè)

F29H85x 和 F29P58x 是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包括但不限于：...

2025-04-14 標(biāo)簽：微控制器 cpu SiC 487 0

TMS320F28P559SJ-Q1 實(shí)時(shí)微控制器技術(shù)手冊(cè)

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實(shí)時(shí)微控制器系列的成員，該系列是可擴(kuò)展、超低延遲的器件，旨在提高電力電子器件的效率，包...

2025-04-14 標(biāo)簽：微控制器電力電子器件 SiC 349 0

SiC在光伏逆變器中的應(yīng)用

隨著全球?qū)δ茉吹男枨蠛涂沙掷m(xù)發(fā)展的日益關(guān)注，環(huán)境保護(hù)和碳中和也越來(lái)越重要，這愈發(fā)凸顯綠色能源的重要性。

2025-04-12 標(biāo)簽：高頻逆變器光伏 SiC 708 0

工業(yè)電池充電器的PFC級(jí)拓?fù)鋵?duì)比

工業(yè)設(shè)備正在向電動(dòng)化轉(zhuǎn)型，亟需穩(wěn)健、可靠、高效的電池充電方案。從電動(dòng)工具到重型機(jī)械，其充電器必須能夠適應(yīng)惡劣的環(huán)境和不同的電源(120-480 Vac)...

2025-04-09 標(biāo)簽：MOSFET 充電器安森美 661 0

安森美SiC JFET Cascode開關(guān)特性解析

碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET)相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻(稱為RDS.A)。

2025-04-03 標(biāo)簽：安森美 JFET 晶體管 937 0

創(chuàng)新非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制二極管在SiC MOSFET門保護(hù)中的應(yīng)用

保護(hù)半導(dǎo)體設(shè)備和電子設(shè)備是任何穩(wěn)健的電源管理和電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹非對(duì)稱瞬態(tài)電壓抑制(TVS)二極管系列，這些二極管非常適合用于硅碳...

2025-03-27 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 瞬態(tài)電壓 430 0

安森美SiC JFET共源共柵結(jié)構(gòu)詳解

安森美 (onsemi)cascode FET （碳化硅共源共柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢(shì)，SiC JFET cascode應(yīng)用指南...

2025-03-26 標(biāo)簽：MOSFET 安森美晶體管 1154 0

SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性

本文詳細(xì)介紹了SiC MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。包括閾值電壓特性、開通和關(guān)斷特性以及體二極管的反向恢復(fù)特性。此外，還應(yīng)注意測(cè)試波形的準(zhǔn)確性。

2025-03-26 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體三菱電機(jī) 879 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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PSR

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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
LT8705

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