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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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Al2O3/AIN/AIGaN/GaN MIS-HEMT器件結(jié)構(gòu)與特性
通過(guò)AlN柵介質(zhì)層MIS-HEMT和Al2O3柵介質(zhì)層MOS-HEMT器件對(duì)比研究發(fā)現(xiàn),PEALD沉積AlN柵絕緣層可以大幅改善絕緣柵器件的界面和溝道輸...
淺談各種SiC IGBT器件的制作過(guò)程與相關(guān)性能
通常來(lái)講,全控型半導(dǎo)體器件可以依照其導(dǎo)通狀態(tài)下的載流子類(lèi)型分為單極型半導(dǎo)體器件和雙極型半導(dǎo)體器件,在每一類(lèi)中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
2023-02-13 標(biāo)簽:IGBTSiC功率半導(dǎo)體 2372 0
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)。2010年在日本國(guó)內(nèi)率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn),目前...
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單,單元...
在SiC MOSFET的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級(jí)的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升,硅基器件物理極限無(wú)法滿(mǎn)足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來(lái),以碳化硅(silicon carb...
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 1766 0
碳化硅(SiC)材料是功率半導(dǎo)體行業(yè)主要進(jìn)步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
具體而言,SiC 近年來(lái)在很多領(lǐng)域都有應(yīng)用,比如工業(yè)領(lǐng)域。對(duì)于 GAN 來(lái)說(shuō),可使用場(chǎng)景非常廣泛。SiC 產(chǎn)品在高功率市場(chǎng)中有著很好的應(yīng)用,例如 IGB...
搭載了SiC-MOSFET/SiC-SBD的全SiC功率模塊介紹
ROHM在全球率先實(shí)現(xiàn)了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比,“全SiC...
2023-02-10 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)MOSFETIGBT 2218 0
實(shí)現(xiàn)大電流化的技術(shù)要點(diǎn)
轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”和“BSM600D12P3G001”。
1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D1...
高耐壓超級(jí)結(jié)MOSFET的種類(lèi)與特征
上一篇介紹了近年來(lái)的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的產(chǎn)品定位,以及近年來(lái)的高耐壓Si-MOSFET的代表超級(jí)結(jié)MOSF...
BD9S系列: 配置Power Good功能的車(chē)載ADAS用超小型降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器(2)
ROHM最近面向ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))的傳感器、攝像頭及雷達(dá)等要求小型化、節(jié)能化和高可靠性的汽車(chē)安全駕駛輔助模塊,開(kāi)發(fā)出二次降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器“...
2023-02-09 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 823 0
高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹
ROHM面向以戶(hù)外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測(cè)試儀等評(píng)估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)充電站等要求高效率的應(yīng)用開(kāi)發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
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