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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如電動(dòng)汽車(chē)充電和牽引、儲(chǔ)能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體肖特基二極管 6273 0

通過(guò)RECOM的DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)的SiC技術(shù)

在許多人的頭腦中，電力電子與可再生能源及電動(dòng)力緊密關(guān)聯(lián) 換言之：數(shù)百伏的電壓以及中等到高功率范圍的功率輸出。樂(lè)高盒式模塊化電源（即 DC/DC 轉(zhuǎn)換器...

2018-06-29 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 SiC DC/DC轉(zhuǎn)換器 6217 0

如何更加快速地為電動(dòng)汽車(chē)充電

推出電動(dòng)汽車(chē)（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車(chē)遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛...

2018-08-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)充電技術(shù)SiC 6206 0

液相法、3C-SiC！中科院又取得新成果

該團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一個(gè)生長(zhǎng)3C-SiC的液相TSSG長(zhǎng)晶設(shè)備，其生長(zhǎng)過(guò)程是這樣的：首先，在高溫石墨坩堝區(qū)域中溶解C粉；然后在對(duì)流作用下，將C粉從高溫區(qū)輸送到低...

2023-04-24 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 6099 0

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開(kāi)關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢(shì)之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會(huì)在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFET emc 電磁干擾 6089 1

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 晶體中不同類(lèi)型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來(lái)完成定量分析的。如圖 7（a）所示，大六邊形沒(méi)有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 6051 0

柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型要求，如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)芯片

柵極驅(qū)動(dòng)芯片可根據(jù)功能分為多種類(lèi)型，如單路、雙路、多路等。因此，在選型時(shí)需要根據(jù)具體應(yīng)用情況進(jìn)行選擇。

2023-07-14 標(biāo)簽：MOSFET SiC 柵極驅(qū)動(dòng) 6043 0

碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性

　　SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)，主要有二種：平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)，如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是工藝簡(jiǎn)單，單元...

2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 5972 0

三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了首款6.5kV全SiC(Silicon Carbide)功率模塊

6.5kV新型全SiC MOSFET功率模塊內(nèi)部采用半橋拓?fù)?，一般的大功率?yīng)用可以采用并聯(lián)連接來(lái)提高輸出功率。高電壓功率模塊在高頻下運(yùn)行，需要考慮模塊自...

2018-09-13 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 5967 0

SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進(jìn)展概述

隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展，作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅（Si）與砷化鎵（GaAs）在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)MOSFET 功率器件 5827 0

碳化硅SIC MOSFET替代傳統(tǒng)MOSFET及IGBT的優(yōu)點(diǎn)

碳化硅MOS優(yōu)點(diǎn)：高頻高效，高耐壓，高可靠性?？梢詫?shí)現(xiàn)節(jié)能降耗，小體積，低重量，高功率密度。

2023-04-12 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET IGBT 5750 0

基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)要求

如何驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET以?xún)?yōu)化高功率系統(tǒng)的性能和可靠性

2018-08-02 標(biāo)簽：mosfet ti sic 5679 0

電機(jī)碳化硅技術(shù)指標(biāo)是什么碳化硅國(guó)家技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)介紹

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料的發(fā)展開(kāi)始受到重視，并在多個(gè)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標(biāo)簽：電動(dòng)車(chē)SiC 碳化硅 5677 0

第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場(chǎng)及應(yīng)用分析

SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車(chē)逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)之處在于，降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。

2019-05-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 5665 0

ALD是什么？半導(dǎo)體制造的基本流程

在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片...

2023-07-11 標(biāo)簽：ASM SiC 半導(dǎo)體芯片 5633 0

SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)完整的系統(tǒng)解決方案

驅(qū)動(dòng) SiC/GaN 功率開(kāi)關(guān)需要設(shè)計(jì)一個(gè)完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng)，這些 IC 經(jīng)過(guò)精密調(diào)整，彼此配合。于是這里的設(shè)計(jì)重點(diǎn)不再只是以開(kāi)關(guān)為中心……

2018-06-22 標(biāo)簽：功率開(kāi)關(guān)SiC GaN 5626 0

什么是GaN氮化鎵？為什么充電器用GaN而不是SiC？

新能源車(chē)的功率控制單元（PCU）是汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng)，管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成，強(qiáng)電流與高壓...

2022-10-08 標(biāo)簽：充電器 SiC 氮化鎵 5549 0

簡(jiǎn)述碳化硅襯底類(lèi)型及應(yīng)用

碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 5494 0

碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠(chǎng)商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)便可滿(mǎn)足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...

2023-10-27 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件 SiC 5470 0

淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對(duì)汽車(chē)電子技術(shù)挑戰(zhàn)

在開(kāi)始討論技術(shù)和開(kāi)發(fā)目標(biāo)前，先看一下圖1的電動(dòng)汽車(chē)概念的簡(jiǎn)單示意圖。在這種情況下，功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機(jī)所用的電子元器件是本項(xiàng)目的研究方向。

2018-12-23 標(biāo)簽：汽車(chē)電子 SiC 5454 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話(huà)，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線(xiàn)中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線(xiàn)供電

無(wú)線(xiàn)供電

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無(wú)線(xiàn)供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線(xiàn)供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線(xiàn)供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線(xiàn)充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠(chǎng)商。2015年2 月底，智能手表廠(chǎng)商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線(xiàn)不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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手機(jī)快充

手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
電池系統(tǒng)

電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線(xiàn)充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線(xiàn)分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

太陽(yáng)能充電

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PSR

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浪涌抑制器

浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線(xiàn)電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線(xiàn)共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
系統(tǒng)電源

系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
LT8705

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電機(jī)控制	DSP	氮化鎵	功率放大器	ChatGPT	自動(dòng)駕駛	TI	瑞薩電子
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瑞薩	沁恒股份	全志	國(guó)民技術(shù)	瑞芯微	兆易創(chuàng)新	芯?？萍?/a>	Altium
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Coilcraft	LRC	trinamic

放大器	運(yùn)算放大器	差動(dòng)放大器	電流感應(yīng)放大器	比較器	儀表放大器	可變?cè)鲆娣糯笃?	隔離放大器
時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開(kāi)關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線(xiàn)性穩(wěn)壓器	LDO	開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
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