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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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SiC作為寬禁帶半導體材料，與Si相比具有擊穿場強高、導熱系數(shù)高、載流能力大、開關速度快、可高溫工作等優(yōu)點，適用于高壓、高溫、高頻等領域的應用。
控制、驅(qū)動、檢測高密度SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換
了解關鍵的ADI iCoupler?數(shù)字隔離、控制、傳感和通信技術如何直接通過部署SiC和GaN功率轉(zhuǎn)換及日益復雜的多級控制拓撲來解決面臨的挑戰(zhàn)。
IGBT 和 GaN、SiC 和硅 FET 的統(tǒng)一視圖和價格-性能分析
在設計電力電子設備時，我們需要評估所有業(yè)務需求和技術要求，以優(yōu)化設計周期時間，從而以更低的成本實現(xiàn)更高性能的系統(tǒng)。這是DiscoverEE及其創(chuàng)始人 S...
如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效
作者：Bill Schweber 在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅(qū)動器、AC/DC 和 DC/DC逆變器/轉(zhuǎn)換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力...
氮化鎵提供更低的開關損耗、更快的開關速度、更高的功率密度、更好的熱預算、從而提高電動汽車的功率輸出和能效，且降低了重量和成本。
進一步提高切換頻率會導致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低，但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明，工作頻率高達72kHz...
SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學氣相反應法(CVR)和化學氣相沉積法(CVD)。
如何混合Si和SiC器件實現(xiàn)完整SiC MOSFET轉(zhuǎn)換器相同效率的調(diào)制方案
在現(xiàn)代時代，隨著電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）領域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉(zhuǎn)換器的需求已經(jīng)增加，尤其是在電動汽車充電點的并網(wǎng)系統(tǒng)中[...
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特...
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領域主...
與 Si 器件相比， SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能， 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn)， 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...
寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。
SiC 和 GaN 被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG 設備顯示出以下優(yōu)點：
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構是把柵極構建在結(jié)構內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOS...
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構，主要有二種：平面結(jié)構和溝槽結(jié)構。平面SiC MOSFET的結(jié)構，
在PWM逆變器驅(qū)動時的損耗仿真中，與同等額定電流的IGBT模塊相比，相同開關頻率的損耗在5kHz時減少30%、20kHz時減少55%，總體損耗顯著降低。...
基于SiC的MOSFET器件在電源與電機驅(qū)動電路設計中的特點分析
商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設計。
碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...
汽車、工業(yè)、太空和國防領域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
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