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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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消費者、各行業(yè)及政府都在采取各項措施以增加對可再生能源的利用,這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的,支持本地發(fā)電的拓撲,并通過...
2020-12-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)太陽能光伏SiC 7997 0
外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進...
Si3N4為何要用AMB工藝?AMB Si3N4的生產(chǎn)流程介紹
功率電子器件在電力存儲,電力輸送,電動汽車,電力機車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進的技術(shù),指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小,與平面柵相比,溝槽柵MOSFET...
眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率,還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點。
2023-09-27 標(biāo)簽:SiC電磁感應(yīng)硅晶片 7459 0
長距離電動汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實現(xiàn)
內(nèi)燃機 (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對動力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級增長,以支持高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動車窗、車門和后視鏡、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)...
SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2:短路保護—軟關(guān)斷
想象一個場景:一輛高端新能源車行駛在高速公路上,作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機的核心部件,SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的,你關(guān)...
SiC和GaN功率半導(dǎo)體在混合動力和電動汽車的主傳動系逆變器中的應(yīng)用
SiC電力電子器件主要包括功率二極管和三極管(晶體管、開關(guān)管)。SiC功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增,帶來體積...
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
SiC MOSFET模塊串?dāng)_問題及應(yīng)用對策
針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題,文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測 量波形進行對比,有效減小測量誤差;然后詳細分析串?dāng)_引起模塊柵...
在現(xiàn)實世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...
2018-10-30 標(biāo)簽:天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6638 0
SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰的抑制方法簡析(下)
高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一,這能讓系統(tǒng)效率顯著提升,但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩,從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。
SiC MOSFET的實時結(jié)溫監(jiān)控電路測量方案
本文介紹了一種新穎的測量電路,以測量用于測量SiC MOSFET的實時或?qū)嶋H結(jié)溫。可以看出,出于訂購和處理數(shù)據(jù)或電流傳感器的目的,不需要本質(zhì)上復(fù)雜的任何算法。
2021-04-23 標(biāo)簽:MOSFET監(jiān)控電路SiC 6333 0
碳化硅(SiC)由于其固有的寬帶隙和高導(dǎo)熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導(dǎo)體器件的制造中。如今,肖特基二極管,MOSFET和JFET是市場上最受歡...
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