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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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國(guó)產(chǎn)SiC模塊（碳化硅MOSFET功率模塊）及SiC分立器件產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)分析

碳化硅（SiC）屬于第三代寬禁帶半導(dǎo)體，帶隙寬度高達(dá)3.26 eV（為硅的近3倍），決定了其具備高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率和優(yōu)異的高溫...

2025-09-06 標(biāo)簽：分立器件 SiC 功率模塊 449 0

電流密度1 kA/cm2，二極管耐壓比SiC大3倍！氧化鎵器件商業(yè)化！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào) 道（文/梁浩斌）最近，康奈爾大學(xué)孵化的初創(chuàng)企業(yè)Gallox semiconductors成功入選 Activate Fellowshi...

2025-09-06 標(biāo)簽：SiC 氧化鎵 6.4k 0

基本半導(dǎo)體連獲兩個(gè)行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)

近日，基本半導(dǎo)體憑借在碳化硅模塊領(lǐng)域的突出表現(xiàn)，連獲“國(guó)產(chǎn)SiC模塊TOP企業(yè)獎(jiǎng)”和“年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)”兩個(gè)行業(yè)獎(jiǎng)項(xiàng)。

2025-09-05 標(biāo)簽：功率器件 SiC 基本半導(dǎo)體 703 0

傾佳電子Hydrogen Rectifier制氫電源拓?fù)?、技術(shù)演進(jìn)與SiC功率模塊的顛覆性作用

傾佳電子Hydrogen Rectifier制氫電源拓?fù)洹⒓夹g(shù)演進(jìn)與SiC功率模塊的顛覆性作用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)...

2025-09-05 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 282 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面替代

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET功率模塊在電力電子應(yīng)用中對(duì)IGBT模塊的全面升級(jí)替代傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源...

2025-09-05 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1.8k 0

SiC技術(shù)如何提高電池儲(chǔ)能系統(tǒng)性能

儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）是一種儲(chǔ)存能量以供后續(xù)使用的技術(shù)，這些系統(tǒng)可以捕獲一次產(chǎn)生的能量，并在需要時(shí)提供可靠的供應(yīng)，這一過(guò)程對(duì)于維持穩(wěn)定的能源供應(yīng)、優(yōu)化能源使...

2025-09-04 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能系統(tǒng)電池 561 0

傾佳電子行業(yè)洞察：中國(guó)SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線

傾佳電子行業(yè)洞察：中國(guó)SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的崛起如何重新定義行業(yè)熱點(diǎn)與技術(shù)路線一些曾被視為行業(yè)發(fā)展關(guān)鍵瓶頸和熱點(diǎn)議題的技術(shù)挑戰(zhàn)，例如柵氧可靠性問(wèn)題以及作...

2025-09-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC 351 0

揚(yáng)杰科技斬獲2025年度優(yōu)秀功率器件產(chǎn)品獎(jiǎng)

8月26-28日，2025深圳國(guó)際電子展(ELEXCON)在深圳會(huì)展中心成功舉辦。這場(chǎng)電子行業(yè)的年度盛會(huì)，一如既往地吸引了眾多優(yōu)秀企業(yè)同臺(tái)交流，展示最新...

2025-09-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 揚(yáng)杰科技 293 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)行為深度解析及體二極管的關(guān)斷特性

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)行為深度解析，特別是其本征體二極管的關(guān)斷特性傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車...

2025-09-01 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 769 0

傾佳電子ANPC三電平拓?fù)渖疃冉馕黾癝iC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價(jià)值研究報(bào)告

傾佳電子ANPC三電平拓?fù)渖疃冉馕黾癝iC MOSFET功率模塊在ANPC中應(yīng)用價(jià)值研究報(bào)告傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體...

2025-09-01 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 SiC MOSFET 1.6k 0

SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯

傾佳電子電源LLC深度研究分析與SiC碳化硅MOSFET在LLC應(yīng)用中取代超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)和邏輯傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于...

2025-09-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC LLC 1.7k 0

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)行為深度研究與波形解析

傾佳電子SiC碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)行為深度研究與波形解析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服...

2025-09-01 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.8k 0

電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略

電力電子應(yīng)用中IGBT模塊向SiC模塊的技術(shù)升級(jí)與應(yīng)用策略傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服...

2025-09-01 標(biāo)簽：IGBT SiC 835 0

基本半導(dǎo)體SiC功率模塊與驅(qū)動(dòng)板技術(shù)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用價(jià)值深度分析

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，其物理特性，如寬禁帶、高臨界電場(chǎng)和高熱導(dǎo)率，從根本上超越了傳統(tǒng)硅（Si）基功率器件的性能極限。這些本征優(yōu)...

2025-08-30 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 4.1k 0

CoolSiC? 2000V SiC 溝槽柵MOSFET定義新能源應(yīng)用中功率密度增強(qiáng)的新基準(zhǔn)

本文為2024年P(guān)CIM論文更多精彩內(nèi)容請(qǐng)關(guān)注2025PCIM本文介紹了新的CoolSiC2000VSiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產(chǎn)品采用新的...

2025-08-29 標(biāo)簽：新能源 MOSFET SiC 928 0

Toshiba推出TOLL封裝650V第三代SiC MOSFET

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?(“Toshiba”)推出三款650V碳化硅(SiC)...

2025-08-29 標(biāo)簽：封裝 Toshiba SiC 1.5k 0

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)

8月26日上午，英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊，以其卓越的產(chǎn)品性能...

2025-08-27 標(biāo)簽：英飛凌 MOSFET 半導(dǎo)體 1.1k 0

碳化硅器件在工業(yè)應(yīng)用中的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

隨著全球能源轉(zhuǎn)型、智能制造和高效電力系統(tǒng)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在工業(yè)領(lǐng)域中的地位日益重要。近年來(lái)，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC,SiliconCarb...

2025-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 945 0

維也納整流器技術(shù)深度解析：起源、演進(jìn)與SiC碳化硅應(yīng)用

傾佳電子維也納整流器技術(shù)深度解析：起源、演進(jìn)與SiC碳化硅MOSFET應(yīng)用傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器...

2025-08-24 標(biāo)簽：整流器 SiC 碳化硅 475 0

T型三電平拓?fù)洌簭钠鹪础⒓夹g(shù)特性到SiC器件賦能的深度分析

傾佳電子T型三電平拓?fù)洌簭钠鹪?、技術(shù)特性到SiC器件賦能的深度分析傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商...

2025-08-25 標(biāo)簽：SiC 器件 559 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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浪涌抑制器

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
USB-PD

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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