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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)...
東芝推出隔離柵極驅(qū)動(dòng)器電路參考設(shè)計(jì)
隨著SiC材料特性的深入發(fā)掘和技術(shù)的不斷成熟,SiC MOSFET模塊在光伏逆變器、工業(yè)變頻器、軌道交通牽引變流器等工業(yè)應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì),不僅大幅提...
2025-05-22 標(biāo)簽:MOSFET東芝驅(qū)動(dòng)電路 380 0
2025上海車展,電驅(qū)逆變磚的“百家爭(zhēng)鳴” | 10大逆變磚技術(shù)方案匯總與解讀
-關(guān)于2025上海車展·10大逆變磚(InverterBrick)技術(shù)方案解讀-文字原創(chuàng),素材來源:2025上海車展,廠商官網(wǎng)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選,完整...
2025-05-21 標(biāo)簽:新能源汽車SiC電控系統(tǒng) 881 0
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起
從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)碳化硅崛起:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的范式突破與全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu) 一、Wolfspeed的隕落:技術(shù)霸權(quán)崩塌的深層邏輯 作為...
2025-05-21 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 508 0
SiC模塊BMF240R12E2G3全面替代英飛凌SiC單管IMZA120R014M1H并聯(lián)方案
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊BMF240R12E2G3全面替代英飛凌SiC單管IMZA120R014M1H并聯(lián)方案的技術(shù)經(jīng)濟(jì)性分析 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理...
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在SiC行業(yè)逐步進(jìn)入8英寸時(shí)代后,業(yè)界并沒有停下腳步,開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月,天岳先進(jìn)率先出手,...
2025-05-21 標(biāo)簽:SiC 6511 0
美信檢測(cè)榮獲車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)服務(wù)杰出供應(yīng)商
近日,以 “車啟芯時(shí)代,引領(lǐng)芯未來” 為主題的 2025 全球車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體峰會(huì)(GAPS)在杭州隆重開幕。深圳市美信檢測(cè)技術(shù)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“...
2025-05-20 標(biāo)簽:二極管SiC功率半導(dǎo)體 422 0
芯長(zhǎng)征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎(jiǎng)新銳產(chǎn)品獎(jiǎng)
此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(huì)(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場(chǎng)盛會(huì)聚焦汽車電子產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)與發(fā)展趨勢(shì),匯聚了眾...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性
國(guó)產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級(jí)代理傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率...
為何必須通過TDDB(時(shí)間相關(guān)介質(zhì)擊穿)方法檢驗(yàn)國(guó)產(chǎn)SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機(jī)(OBC)、汽車空調(diào)、光伏逆變器及逆變焊機(jī)等應(yīng)用中,部分國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問題頻繁爆雷,其根源在于柵氧化層...
聞泰科技榮膺2025中國(guó)上市公司年度智創(chuàng)品牌
近日,“2025第九屆中國(guó)上市公司品牌價(jià)值榜”發(fā)布會(huì)在上海圓滿落幕。聞泰科技憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越創(chuàng)新實(shí)力與全球化品牌影響力,從眾多優(yōu)秀企業(yè)中脫穎而...
老舊MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)下的部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET柵氧爆雷隱患
以下是對(duì)部分國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET因一味滿足老舊光伏逆變器MPPT設(shè)計(jì)中+15V驅(qū)動(dòng)電壓需求而引發(fā)柵氧可靠性隱患的深度分析。
SiC碳化硅功率模塊賦能商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)高效升級(jí)的技術(shù)革新
在“雙碳”目標(biāo)推動(dòng)下,商用空調(diào)與熱泵系統(tǒng)的能效提升需求日益迫切。傳統(tǒng)IGBT模塊受限于高損耗與低開關(guān)頻率,難以滿足高效、高頻、高溫場(chǎng)景的嚴(yán)苛要求。碳化硅...
東芝第3代SiC MOSFET助于降低應(yīng)用中電源損耗分享個(gè)人觀點(diǎn)
功率器件是管理和降低各種電子設(shè)備電能功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和社會(huì)的重要元器件。由于與比硅材料相比,碳化硅具有更高的電壓和更低的損耗,因此碳化硅(SiC)被廣泛...
近年來,為實(shí)現(xiàn)無碳社會(huì),電動(dòng)汽車的普及速度進(jìn)一步加快。在電動(dòng)汽車領(lǐng)域,為延長(zhǎng)車輛的續(xù)航里程并提升充電速度,所采用的電池正在往更高電壓等級(jí)加速推進(jìn),同時(shí),...
聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn),高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V Si...
PCIM 2025:面向電動(dòng)汽車與工業(yè)系統(tǒng)的新型SiC功率器件
隨著全球電氣化進(jìn)程加速,工程師們面臨著一個(gè)核心難題:如何在更緊湊的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高功率密度,同時(shí)不犧牲散熱性能與長(zhǎng)期可靠性。無論是電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)...
2025-05-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 512 0
SiC賦能IGBT:突破硅基極限,開啟高壓高效新時(shí)代
自1982年由通用電氣(GE)首次展示以來,基于硅材料的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在過去四十余年間經(jīng)歷了顯著進(jìn)化。雖然GE最早實(shí)現(xiàn)了IGBT的商業(yè)化...
英飛凌碳化硅SiC技術(shù)創(chuàng)新的四大支柱綜述(一)
本文是按照2024年“第十八屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)”演講稿整理碳化硅為提升綠色能源鏈中的各種應(yīng)用提供了巨大潛力IGBT在大功率電力電子行...
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