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標簽 > sic
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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近期,一場史詩級停電災(zāi)難席卷歐洲南部,西班牙、葡萄牙全國電網(wǎng)崩潰,法國南部及比利時部分地區(qū)受波及,超5000萬民眾受影響,陷入黑暗中度過煎熬時光。停電后...
派恩杰發(fā)布第四代SiC MOSFET系列產(chǎn)品
近日,派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下,5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS...
這款 200 kW 三相逆變器參考設(shè)計展示了基于 Wolfspeed 創(chuàng)新型的 2300 V 無基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設(shè)計簡潔性和可擴展性。
高功率半導(dǎo)體激光芯片的單顆出光功率不斷提升,目前主流應(yīng)用已升至45W,但向更高功率50W、60W甚至更高功率邁進時,作為芯片"散熱后盾&quo...
2025-08-01 標簽:SiC高功率半導(dǎo)體激光芯片 1.2k 0
新品 | 針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK? CoolSiC? 1200V和硅基模塊
新品針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對車載充電和電動汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊,采用六...
在第三代半導(dǎo)體加速滲透的浪潮中,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)堅持研發(fā)創(chuàng)新,推出行業(yè)領(lǐng)先的SiC Trench MOS,不僅彰顯了技術(shù)突破的實力,更成為企業(yè)價值增長...
三相四線制成為SiC功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的主流選擇
三相四線制成為SiC碳化硅功率模塊在工商業(yè)儲能變流器(PCS)中的主流選擇,本質(zhì)上是為解決實際應(yīng)用痛點而誕生的技術(shù)耦合方案。具體可從以下五個維度解析其必...
SiC模塊通過 “高頻低損+高溫可靠+精準場景適配” 的技術(shù)三角,解決了IGBT模塊在效率、密度與極端工況下的
基本半導(dǎo)體推出的? BMF008MR12E2G3(1200V/160A) ?和? BMF240R12E2G3(1200V/240A) ?兩款 SiC M...
新品 | 第二代CoolSiC? MOSFET G2 750V - 工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù),在抗寄生...
華為海思入局碳化硅!推出1200V工規(guī)級SiC單管
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近海思半導(dǎo)體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品,ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1...
全球新能源汽車產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場"功率革命":800V高壓平臺滲透率提高,車規(guī)級SiC模塊的市場需求增速爆發(fā)。 在這片被英飛凌、意法半導(dǎo)體等國際巨頭長期壟斷...
2025-07-23 標簽:SiC 377 0
Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議,共創(chuàng)電源管理未來
隨著人工智能(AI)快速發(fā)展與萬物電氣化進程加速,市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續(xù)增長。Microchip Technology Inc.(微芯科...
SiC功率模塊BMF240R12E2G3和BMF008MR12E2G3在儲能變流器PCS應(yīng)用中對抗電網(wǎng)浪涌的核心優(yōu)勢
SiC功率模塊BMF240R12E2G3和BMF008MR12E2G3在儲能變流器PCS應(yīng)用中對抗電網(wǎng)浪涌的核心優(yōu)勢
近日,博世汽車電子中國區(qū)在蘇州五廠建成了SiC功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。 SiC功率模塊本地化生產(chǎn)項目團隊 圖/博世汽車電子...
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
近期,中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與...
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(Si...
安森美SiC JFET產(chǎn)品應(yīng)用研討會預(yù)告
隨著半導(dǎo)體技術(shù)和電力電子技術(shù)的進步,固態(tài)斷路器 (SSCB) 的性能持續(xù)提升。新型半導(dǎo)體材料(如碳化硅)提供了更高的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通損耗和更高的耐壓...
混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動汽車的最優(yōu)解?
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現(xiàn)代電動汽車牽引系統(tǒng)的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱,但其固有的高開關(guān)損耗和較...
新品 | 采用ThinTOLL 8x8封裝的CoolSiC? 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品
新品采用ThinTOLL8x8封裝的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ,33mΩ產(chǎn)品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分...
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的關(guān)注不斷加深,寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用逐漸成為電子器件行業(yè)的熱點。碳化硅(SiC)作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,因...
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