天狼芯半導(dǎo)體獲數(shù)千萬(wàn)人民幣A輪融資

深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天狼芯”）于近日宣布獲得數(shù)千萬(wàn)人民幣A輪融資。本輪融資由青島大有資本領(lǐng)投，創(chuàng)享投資跟投。資金將主要用于晶圓采購(gòu)、產(chǎn)品...

2021-01-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 3.3k 0

利普思半導(dǎo)體完成4000萬(wàn)元Pre-A輪融資

無(wú)錫利普思半導(dǎo)體有限公司（簡(jiǎn)稱利普思半導(dǎo)體）近日完成Pre-A輪融資，由正泰集團(tuán)領(lǐng)投、水木易德跟投，融資金額達(dá)4000萬(wàn)元。利普思半導(dǎo)體成立于2019年...

2020-12-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓IGBT 3.7k 0

車廠逐漸導(dǎo)入,SiC晶圓供不應(yīng)求

近日，英飛凌與GT Advanced Technologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五年。英飛凌此舉無(wú)疑是看到了Si...

2020-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓SiC 3.3k 0

基于簡(jiǎn)單的支架多片4H-SiC化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延生長(zhǎng)

雖然在商用化學(xué)氣相沉積設(shè)備中可以在一次運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長(zhǎng)，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導(dǎo)致基座的直徑隨著數(shù)量或者...

2020-12-26 標(biāo)簽：SiC碳化硅 1.1k 0

傳比亞迪自建SiC產(chǎn)線，預(yù)計(jì)到明年有自己的產(chǎn)線

碳化硅（SiC）電力電子器件將替代IGBT——這是英飛凌、羅姆等國(guó)際知名企業(yè)一致觀點(diǎn)。而比亞迪已經(jīng)開始布局。 據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道，比亞迪半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀...

2020-12-25 標(biāo)簽：比亞迪電力電子SiC 2.5k 0

GaN產(chǎn)業(yè)格局初成,國(guó)內(nèi)廠商加速布局

我國(guó)GaN產(chǎn)品逐步從小批量研發(fā)、向規(guī)?；⑸虡I(yè)化生產(chǎn)發(fā)展。GaN單晶襯底實(shí)現(xiàn)2-3英寸小批量產(chǎn)業(yè)化，4英寸已經(jīng)實(shí)現(xiàn)樣品生產(chǎn)。GaN異質(zhì)外延襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)6...

2020-12-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻SiC 3k 0

SiC基芯片背面通孔刻蝕工藝研究的優(yōu)勢(shì)是什么

摘要:通過對(duì)感應(yīng)耦合等離子體(ICP)設(shè)備裝片夾具進(jìn)行改進(jìn)，提高了背氦的導(dǎo)熱效率，減小了下電極基底與晶圓表面之間的溫度差，提高了冷卻效果。對(duì)裝片夾具改進(jìn)...

2020-12-29 標(biāo)簽：芯片SiC 2.2k 0

電裝深耕SiC功率半導(dǎo)體的研發(fā)生產(chǎn)

為實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)，電裝開始量產(chǎn)搭載了高品質(zhì)SiC（碳化硅）功率半導(dǎo)體的新一代升壓用功率模塊＊1。2020年12月9日在日本正式發(fā)售的豐田新一代“MIRAI...

2020-12-21 標(biāo)簽：燃料電池半導(dǎo)體SiC 3.9k 0

Cree Wolfspeed攜手泰克，共迎寬禁帶半導(dǎo)體器件發(fā)展契機(jī)與挑戰(zhàn)

Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

2020-12-21 標(biāo)簽：新能源汽車泰克SiC 1.2k 0

第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC的發(fā)展趨勢(shì)及投資機(jī)會(huì)分析

眾所周知，先發(fā)優(yōu)勢(shì)是半導(dǎo)體行業(yè)的特點(diǎn)。而在第三代半導(dǎo)體方面，國(guó)內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。

2020-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC5G 4.2k 0

SiC功率器件市場(chǎng)正處在爆發(fā)式增長(zhǎng)的前期

我國(guó)第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化之路由來(lái)已久，但受制于技術(shù)等因素，市場(chǎng)始終不慍不火。然而今年市場(chǎng)出現(xiàn)明顯改觀，各大半導(dǎo)體廠商紛紛加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，諸如天和通訊、吳越...

2020-12-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiCGaN 1.7k 0

碳化硅是新能源汽車能效提升的關(guān)鍵要素

今年年初，小米公司推出的氮化鎵（GaN）快速充電器引爆了第三代半導(dǎo)體概念。實(shí)際上，除了在消費(fèi)電子領(lǐng)域備受期待的氮化鎵之外，第三代半導(dǎo)體的另一個(gè)重要產(chǎn)品碳...

2020-12-14 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體SiC 4.6k 0

國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體器件滲透率日漸提升

2020年，第三代半導(dǎo)體站在了產(chǎn)業(yè)風(fēng)口。國(guó)產(chǎn)化替代、新基建的熱潮，無(wú)疑又給其添上一把火。

2020-12-07 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體SiC 3k 0

關(guān)于未來(lái)之星SiC產(chǎn)業(yè)鏈研究

SiC是半導(dǎo)體領(lǐng)域最具成長(zhǎng)力的材料，預(yù)計(jì)到2028年市場(chǎng)增長(zhǎng)5倍。 來(lái)源：ST SiC目前有兩大應(yīng)用市場(chǎng)，一是電動(dòng)車逆變器、充電樁、太陽(yáng)能發(fā)電、直流電網(wǎng)...

2020-12-04 標(biāo)簽：電動(dòng)車半導(dǎo)體SiC 2.1k 0

SiC電子器件提升效率降低裝置損耗，預(yù)計(jì)2024年將超19億美元

今日啟迪股份技術(shù)總監(jiān)鈕應(yīng)喜博士發(fā)表了題為“碳化硅晶體生長(zhǎng)、加工技術(shù)和裝備”的主題演講。

2020-12-04 標(biāo)簽：新能源汽車sic 1.5k 0

SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

今日寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)盟秘書長(zhǎng)陸敏博士發(fā)表了主題為“SiC和GaN功率電子技術(shù)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)”的演講。

2020-12-04 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體SiC 2.8k 0

捷捷微電:擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實(shí)用新型專利4件

11月30日，捷捷微電發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表稱，晶閘管是2019年占公司總營(yíng)收49%的產(chǎn)品，由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整，今年預(yù)計(jì)占營(yíng)收的比重在40%左右，...

2020-11-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體SiC 2.9k 0

蘇州固锝:IC產(chǎn)線持續(xù)滿載,產(chǎn)量及需求持續(xù)增加

11月25日，蘇州固锝在互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司在工業(yè)控制、5G通訊等行業(yè)按規(guī)劃在替代中。第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品已有開始小批量量產(chǎn)。

2020-11-25 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體SiC 3.3k 0

浙江省首個(gè)第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能將達(dá)8萬(wàn)片

2018年，中電化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶在杭州灣新區(qū)。目前，該項(xiàng)目的6英寸碳化硅襯底及外延片、碳化硅基氮化鎵外延片已進(jìn)入客戶認(rèn)證階段。預(yù)計(jì)最快明年便能實(shí)現(xiàn)量...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 4k 0