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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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效率飆升3倍!碳化硅如何改寫儲(chǔ)能市場(chǎng)游戲規(guī)則?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著儲(chǔ)能高速發(fā)展,對(duì)于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性,在儲(chǔ)能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(PCS)...
比亞迪、華為進(jìn)入前五!SiC逆變器市場(chǎng),中國供應(yīng)鏈重塑版圖
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 近日,調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢報(bào)告顯示,2024年第四季度全球電動(dòng)汽車逆變器總裝機(jī)量達(dá)到867萬臺(tái),季度增長26%,中...
Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。
中國電力電子廠商創(chuàng)新之路:采用國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊
國產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊取代進(jìn)口IGBT模塊,是當(dāng)前電力電子系統(tǒng)創(chuàng)新升級(jí)的核心路徑。這一趨勢(shì)不僅是技術(shù)迭代的必然結(jié)果,更是政策引導(dǎo)、供應(yīng)鏈安全需求與產(chǎn)業(yè)...
新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板
新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電...
瑞能半導(dǎo)體邀您相約2025國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)
致力于打造成中國具影響力的系統(tǒng)設(shè)計(jì)盛會(huì),2025國際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(International IC & Component Exhib...
2025-03-20 標(biāo)簽:集成電路SiC瑞能半導(dǎo)體 640 0
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)
近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的...
利用騰訊ima收藏公眾號(hào)推文構(gòu)建個(gè)人知識(shí)庫,拒絕AI幻覺
專業(yè)領(lǐng)域,使用AI的局限在哪里?2023年ChatGPT橫空出世之際,趙工曾就SiCMOSFET的短路問題和ChatGPT掰頭過,圍觀人達(dá)6000多,當(dāng)...
瑞能半導(dǎo)體榮獲思格新能源“聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)”
日前,全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體,在思格2025全球供應(yīng)商大會(huì)上榮獲聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)。瑞能半導(dǎo)體總裁沈鑫受邀出席活動(dòng),并登臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng)。
2025-03-20 標(biāo)簽:功率器件SiC瑞能半導(dǎo)體 550 0
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其...
當(dāng)新能源汽車的續(xù)航焦慮撞上材料科學(xué)的顛覆性突破,一場(chǎng)由碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體主導(dǎo)的“ 效能革命 ”正悄然改寫行業(yè)規(guī)則,同時(shí)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新已...
2025-03-19 標(biāo)簽:SiC 564 0
比亞迪全新1500V車規(guī)級(jí)SiC功率芯片解讀
2025年3月17日,比亞迪集團(tuán)執(zhí)行副總裁廉玉波正式宣布,比亞迪發(fā)布了其自主研發(fā)的全新一代1500V車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC)功率芯片 。這項(xiàng)技術(shù)突破被強(qiáng)調(diào)...
onsemi推出新一代SiC智能電力模塊,助力降低能耗與系統(tǒng)成本
近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM),型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(...
國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)線正式通線!ST本土化戰(zhàn)略再進(jìn)一步
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在2月27日,意法半導(dǎo)體(ST)和三安光電宣布雙方在重慶設(shè)立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠正式通線。這也意味著這個(gè)近年海外半導(dǎo)體巨頭...
只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆
采用碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)之所以被稱為“印鈔機(jī)”,是因?yàn)槠湓谛?、成本、可靠性和系統(tǒng)集成等方面實(shí)現(xiàn)了革命性突破,顯著提升了...
SiC全橋碳化硅模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池PACK充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì) BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...
國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢(shì)
國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析 FP35R12N2T7_...
2025年SiC市場(chǎng)需求增長點(diǎn)在哪?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在過去的2024年,SiC市場(chǎng)經(jīng)歷了動(dòng)蕩的一年。從過去的供不應(yīng)求,受到大規(guī)模產(chǎn)能釋放的影響,迅速轉(zhuǎn)變?yōu)楣┻^于求;另一方面,...
2025-03-17 標(biāo)簽:SiC 3290 0
突破電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的技術(shù)瓶頸:先進(jìn)的SiC溝槽技術(shù)
隨著汽車市場(chǎng)向主流采用加速,電力電子技術(shù)已成為創(chuàng)新的基石,推動(dòng)了卓越的性能和效率。在這一技術(shù)演變的前沿,碳化硅(SiC)功率模塊作為一項(xiàng)關(guān)鍵進(jìn)展,重新定...
2025-03-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC動(dòng)力系統(tǒng) 617 0
瞻芯電子推出全新碳化硅半橋功率模塊IV1B12009HA2L
近日,瞻芯電子推出1B封裝的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半橋功率模塊(IV1B12009HA2L)為光伏、儲(chǔ)能和充電樁等應(yīng)用場(chǎng)景,提供了高效、低...
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