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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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如何利用工具模板快速對(duì)TSV陣列進(jìn)行建模
本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體ViaExpert軟件進(jìn)行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結(jié)構(gòu)復(fù)雜,存在建模繁瑣、分析不便等問題。
肖特基的硅片上制作孔專利 此后, IBM開始在集成電路領(lǐng)域發(fā)力,并在垂直電互連方面取得了突破。
想象一下,在一個(gè)由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內(nèi),若要容納數(shù)千名居民,則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。
2024-01-25 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器晶圓半導(dǎo)體封裝 2.5k 0
TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進(jìn)展與趨勢(shì)展望
先進(jìn)封裝是芯片設(shè)計(jì)的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個(gè)主要的IC廠商包括設(shè)計(jì)、晶圓、封測(cè)廠商,開發(fā)了一大批專利技術(shù),使用TSV達(dá)成各種復(fù)...
2024-02-25 標(biāo)簽:sram芯片設(shè)計(jì)TSV 2.4k 0
3D-IC通過采用TSV(Through-Silicon Via,硅通孔)技術(shù),實(shí)現(xiàn)了不同層芯片之間的垂直互連。這種設(shè)計(jì)顯著提升了系統(tǒng)集成度,同時(shí)有效地...
在現(xiàn)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)不斷邁向高性能、小型化與多功能異構(gòu)集成的背景下,硅通孔(TSV,Through-SiliconVia)工藝作為實(shí)現(xiàn)芯片垂直互連與三維...
先進(jìn)封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)
先進(jìn)封裝簡(jiǎn)介 先進(jìn)封裝技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動(dòng)力之一,為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術(shù)手段。本文探討先進(jìn)封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢(shì)...
來源:半導(dǎo)體風(fēng)向標(biāo) 從HBM存儲(chǔ)器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場(chǎng)上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫,意為“通過硅通...
在三維集成電路設(shè)計(jì)中,TSV(硅通孔)技術(shù)通過垂直互連顯著提升了系統(tǒng)集成密度與性能,但其物理尺寸效應(yīng)與寄生參數(shù)對(duì)互連特性的影響已成為設(shè)計(jì)優(yōu)化的核心挑戰(zhàn)。
封裝設(shè)計(jì)中的電-熱-力多物理場(chǎng)耦合設(shè)計(jì)
集成電路及其封裝是典型的由名種材料構(gòu)成的復(fù)合結(jié)構(gòu)體系,也是典型的多物理場(chǎng)耦合系統(tǒng)。
相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來的技術(shù)挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開始,經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣層、金屬黏附/阻擋/種子...
盤點(diǎn)先進(jìn)封裝基本術(shù)語(yǔ)
先進(jìn)封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時(shí)代的一大技術(shù)亮點(diǎn)。當(dāng)芯片在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上的微縮越來越困難、也越來越昂貴之際,工程師們將多個(gè)芯片...
應(yīng)用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術(shù)
直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動(dòng)者,可提高封裝密度和器件性能。要實(shí)現(xiàn)3DIC對(duì)下一代器件的優(yōu)勢(shì),TSV縮放至關(guān)重要。
由于HPC先進(jìn)封裝的互連長(zhǎng)度很短,將存儲(chǔ)器3D堆疊在邏輯之上或反之亦然,這被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)超高帶寬的最佳方法。不過,其局限性包括邏輯IC中用于功率和信號(hào)的大...
2024-02-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體封裝TSV 1.8k 0
國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn) SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì) JEDECJESD51 標(biāo)準(zhǔn)中定義的集成電路中各項(xiàng)溫度點(diǎn)位置如圖所示,其中T3...
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