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TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過(guò)硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。
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結(jié)束前工序的每一個(gè)晶圓上,都連接著500~1200個(gè)芯片(也可稱作Die)。為了將這些芯片用于所需之處,需要將晶圓切割(Dicing)成單獨(dú)的芯片后,再...
先進(jìn)工藝制程使得設(shè)計(jì)工程師們一次又一次突破了芯片性能、功耗和面積的極限。為了可以繼續(xù)速度更快、功能更強(qiáng)、造價(jià)更省的追求,摩爾人依然在孜孜不倦地尋找新的方...
本研究通過(guò)檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計(jì)量可重復(fù)性,然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,來(lái)仔細(xì)檢查圖像放置性能。
華林科納對(duì)包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲(chǔ)器在內(nèi)的消費(fèi)產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動(dòng)使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進(jìn)封裝。 TSV 處理的各...
本文報(bào)道了TSV過(guò)程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m,深度:22 m)。通過(guò)這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...
如何利用工具模板快速對(duì)TSV陣列進(jìn)行建模
本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體ViaExpert軟件進(jìn)行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結(jié)構(gòu)復(fù)雜,存在建模繁瑣、分析不便等問(wèn)題。
硅通孔(Through Silicon Via,TSV)技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù),它正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。...
應(yīng)用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術(shù)
直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動(dòng)者,可提高封裝密度和器件性能。要實(shí)現(xiàn)3DIC對(duì)下一代器件的優(yōu)勢(shì),TSV縮放至關(guān)重要。
優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時(shí)間的創(chuàng)新方法
本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對(duì)晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過(guò)陽(yáng)...
為了按比例縮小半導(dǎo)體IC,需要在300mm的晶圓上生成更精細(xì)的線條。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)VLSI Research(圖1)預(yù)測(cè),雖然目前大多數(shù)量產(chǎn)的IC是基于...
什么是TSV封裝?TSV封裝有哪些應(yīng)用領(lǐng)域?
硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技...
Sony的Xperia XZ Premium和Xperia XZ兩款旗艦級(jí)智能手機(jī)搭載了具有960fps畫面更新率的Motion Eye相機(jī)模組。這款三...
要實(shí)現(xiàn)三維集成,需要用到幾個(gè)關(guān)鍵技術(shù),如硅通孔(TSV),晶圓減薄處理,以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是三維...
追求更小尺寸,3DIC將獲得廣泛應(yīng)用?什么h是3DIC?傳感器該如何使自己更“苗條”
在不同的芯片或技術(shù)組合中,TSV技術(shù)還能提供更高水平的靈活度,例如采用45奈米制程的數(shù)字芯片中的芯片至芯片堆棧,以及在模擬晶圓(例如180nm)中,微機(jī)...
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