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      標(biāo)簽　>　tsv

      tsv

      +關(guān)注4人關(guān)注

      TSV（Through Silicon Vias）硅片通道通過硅通孔（TSV）銅互連的立體（3D）垂直整合，目前被認為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進的技術(shù)之一。硅片通孔（TSV）是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進展。

      文章：129個 瀏覽：82403次 帖子：0個

      tsv資訊

      英飛凌面向移動系統(tǒng)推出具備低動態(tài)電阻和超低電容的TVS器件

      英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）今日推出一系列可為移動電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放（ESD）保護的瞬態(tài)電壓抑制（TVS）...

      2013-06-05 標(biāo)簽：英飛凌TSV 1.5k 0

      未來半導(dǎo)體業(yè)不確定性引發(fā)的思考

      IC Insight指出在2007年至2012年期間，全球IC市場的年均增長率CAGR僅為2.1%，而2013年全球集成電路產(chǎn)業(yè)已度過最低增長的困難的5...

      2014-02-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓TSV 1.5k 0

      3D芯片技術(shù)漸到位 業(yè)務(wù)合作模式成關(guān)鍵

      采用矽穿孔（TSV）的2.5D或3D IC技術(shù)，由于具備更佳的帶寬與功耗優(yōu)勢，并能以更高整合度突破制程微縮已趨近極限的挑戰(zhàn)，是近年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要發(fā)展...

      2013-03-07 標(biāo)簽：3D芯片TSV 1.5k 0

      TSV制程技術(shù)日愈成熟，模擬芯片將邁向3D時代

      類比積體電路設(shè)計也將進入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線，期透過矽穿孔(...

      2019-10-21 標(biāo)簽：TSV模擬芯片 1.4k 0

      GlobalFoundries開始安裝20nm TSV設(shè)備

      　　GlobalFoundries 已開始在紐約的 Fab 8 廠房中安裝硅穿孔（TSV）設(shè)備。如果一切順利，該公司希望在2013下半年開始採用 20n...

      2012-05-01 標(biāo)簽：TSV硅穿孔GlobalFoundries 1.4k 0

      珠海格力集團迎來新掌門康洪，擔(dān)任黨委書記、董事長

      格力集團宣布，康洪在春節(jié)前的最后幾天，帶領(lǐng)團隊對集團正在建設(shè)中的12英寸TSV立體集成生產(chǎn)基地一期與格創(chuàng)·壹號等項目進行實地考察，并針對安全生產(chǎn)問題提出...

      2024-02-19 標(biāo)簽：格力TSV 1.4k 0

      SAPS兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝

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      本文介紹了我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體將空間交替相移(SAPS)兆頻超聲波技術(shù)應(yīng)用于TSV晶片的刻蝕后清洗工藝，SAPS技術(shù)通過在兆頻超聲波裝置和晶片之間的間隙中...

      2022-05-26 標(biāo)簽：晶片TSV清洗工藝 1.4k 0

      正式投產(chǎn)！天成先進12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線

      來源：天成先進 2024年12月30日，天成先進12英寸晶圓級TSV立體集成生產(chǎn)線正式投產(chǎn)! 本次投產(chǎn)聚焦三大類型，共計六款產(chǎn)品，產(chǎn)品基于天成先進“九重...

      2025-01-02 標(biāo)簽：晶圓級TSV 1.4k 0

      新增訂單約83.6億元，中微公司2023年凈利潤預(yù)增45%

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      1月14日，中微公司（SH688012）發(fā)布《2023年年度業(yè)績預(yù)告》。中微公司預(yù)計2023年營業(yè)收入約62.6億元，較2022年增加約15.2億元，同...

      2024-01-19 標(biāo)簽：MEMS技術(shù)TSV碳化硅 1.3k 0

      華林科納的一種新型的硅通孔 (TSV) 制造方法

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      硅通孔（TSV）有望成為電子器件三維芯片堆疊技術(shù)的未來。TSV互連的結(jié)構(gòu)是通過首先在晶片表面蝕刻深過孔，然后用所需金屬填充這些過孔來形成的。目前，銅基T...

      2023-08-30 標(biāo)簽：芯片封裝TSV 1.2k 0

      ST采用硅通孔技術(shù)實現(xiàn)尺寸更小且更智能的MEMS芯片

      意法半導(dǎo)體率先將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi)，硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳...

      2011-10-19 標(biāo)簽：MEMSSTTSV 1.1k 0

      先進封裝最新情況交流紀要

      LDI設(shè)備有哪些劣勢？ LDI設(shè)備的WPS偏低，激光止血導(dǎo)致的工藝分辨率只有8到10微米，而線性公章的工藝分辨率在4到6微米。

      2023-11-15 標(biāo)簽：處理器封裝技術(shù)TSV 1.1k 0

      日月光最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù)

      日月光半導(dǎo)體最新推出FOCoS-Bridge TSV技術(shù)，利用硅通孔提供更短供電路徑，實現(xiàn)更高 I/O 密度與更好散熱性能，滿足AI/HPC對高帶寬與高...

      2025-05-30 標(biāo)簽：TSV日月光先進封裝 1.1k 0

      模擬芯片技術(shù)的發(fā)展將邁向3D時代

      類比積體電路設(shè)計也將進入三維晶片(3D IC)時代。在數(shù)位晶片開發(fā)商成功量產(chǎn)3D IC方案后，類比晶片公司也積極建置類比3D IC生產(chǎn)線，期透過矽穿孔(...

      2019-10-14 標(biāo)簽：TSV模擬芯片 1.1k 0

      TVS瞬態(tài)抑制二極體于快速成長的汽車及5G通訊應(yīng)用

      TVS是采用半導(dǎo)體擴散工藝制成的單個PN結(jié)或多個PN結(jié)集成的元件。TVS具有較高的可靠性，以及較低的動態(tài)內(nèi)阻及低鉗位電壓，相較其他過壓保護元件，TVS具...

      2023-10-27 標(biāo)簽：保護元件二極體瞬態(tài)抑制 780 0

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        是德科技公司(NYSE:KEYS)是全球領(lǐng)先的電子測量公司,通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新,為您提供全新的測量體驗。
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