電子發(fā)燒友網(wǎng)訊【編譯/Triquinne】 ：賽靈思公司（Xilinx）今天發(fā)布公告，宣布其20nm產(chǎn)品系列發(fā)展戰(zhàn)略，包括下一代8系列All Programmable FPGA以及第二代3D IC和SoC。20nm產(chǎn)品系列建立在業(yè)經(jīng)驗證
2012-11-14 15:32:29
1450 20nm能讓我們超越什么？對于像賽靈思（Xilinx）這樣剛剛在28nm上花了巨資量產(chǎn)的公司，為什么又要去追20nm呢？20nm FPGA會帶給我們什么樣的科技進步？20nm FPGA背后到底蘊藏了哪些巨大能量？
2013-01-22 08:36:341820 臺積電（TSMC）的高管對即將來臨的20nm芯片生產(chǎn)與銷售信心滿滿，臺積電CEO張忠謀上周就曾做過一個預測，他說最新的20nm工藝芯片2014年的成績會比先前28nm芯片頭兩年賣得還要好。
2013-01-23 08:57:451495 賽靈思公司今天宣布下一代20nm All Programmable器件推出的三大里程碑事件。賽靈思20nm產(chǎn)品系列建立在其業(yè)經(jīng)驗證的28nm突破性技術基礎之上，在系統(tǒng)性能、低功耗和可編程系統(tǒng)集成方面擁有著領先一代的優(yōu)勢。
2013-01-31 15:52:161243 三星14nm同樣引入了FinFET晶體管技術，而且又類似GlobalFoundries、聯(lián)電，三星也使用了14+20nm混合工藝，大致來說就是晶體管是14nm的，其它各部分則都是20nm的。
2013-02-08 15:13:141962 臺積電的20nm芯片生產(chǎn)設施或將與本月20日開始安裝,有可能在今年第2季度末期拿出20nm SoC產(chǎn)品樣品,正常情況下將在2014年進入量產(chǎn)。
2013-04-07 09:41:261214 Altera公司今天宣布，公司展出了業(yè)界首款具有32-Gbps收發(fā)器功能的可編程器件，在收發(fā)器技術上樹立了另一關鍵里程碑。此次展示使用了基于TSMC 20SoC工藝技術的20 nm器件，該成果證實了20nm硅片的性能。
2013-04-09 10:38:432988 英飛凌科技與GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，雙方圍繞40納米（nm）嵌入式閃存（eFlash）工藝，簽訂一份合作技術開發(fā)與生產(chǎn)協(xié)議。
2013-05-02 12:27:171894 隨著臺積電、英特爾、三星等半導體大廠將在明年微縮制程進入20納米以下世代，設備廠也展開新一波的搶單計劃。
2013-08-27 09:43:411668 Mentor CEO認為：進入20nm、14/16nm及10nm工藝時代后，摩爾定律可能會失效，每個晶體管成本每年的下降速度不到30%，這導致企業(yè)面臨的成本挑戰(zhàn)會更加嚴峻。
2013-09-20 10:06:002125 All Programmable FPGA、SoC和3D IC的全球領先企業(yè)賽靈思公司 （Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX） ）今天宣布推出其20nm All Programmable UltraScale?產(chǎn)品系列，并提供相關產(chǎn)品技術文檔和Vivado?設計套件支持。
2013-12-10 22:50:331372 有消息稱，這款蘋果A8芯片將會采用臺積電的20nm制程工藝。出于貨源穩(wěn)定性的考慮，不會采用年底更為超前的16nm。盡管16nm的芯片會在明年正式量產(chǎn)，但是產(chǎn)能和技術上仍不慎穩(wěn)定。
2013-12-16 08:56:432380 半導體產(chǎn)業(yè)整并（Consolidation）現(xiàn)象將更加明顯。半導體晶圓制造商的資本密集度在20納米（nm）及其以下的制程之后，將呈現(xiàn)更驚人的倍數(shù)增長態(tài)勢，因此能負擔如此巨額資本資出（CAPEX）的廠商家數(shù)愈來愈少，帶動半導體設備商、IC設計業(yè)者加速展開購并，以力鞏市場勢力版圖。
2014-01-21 09:15:101110 蘋果A7處理器推出后，高通也迅速推出了64位移動處理器驍龍410，由于該處理器定位中低端，因此，它的風頭反被NVIDIA推出的Tegra K1所搶去。對此，外媒傳來消息稱，高通將在2014年下半年推出高端產(chǎn)品驍龍810，其將采用20nm工藝制造，GPU也升級為Adreno 430。
2014-01-23 09:35:183038 昨日臺積電官方宣布，16nm FinFET Plus（簡稱16FF+）工藝已經(jīng)開始風險性試產(chǎn)。16FF+是標準的16nm FinFET的增強版本，同樣有立體晶體管技術在內，號稱可比20nm SoC平面工藝性能提升最多40％，或者同頻功耗降低最多50％。
2014-11-14 09:31:582650 據(jù)報道AMD明年代號“北極群島”的GPU家族將完全跳過有問題的20nm工藝節(jié)點，北極群島系列GPU將直接采用14nm FinFE工藝生產(chǎn)，希望實現(xiàn)更高的效率。
2015-04-24 11:15:501352 在歷經(jīng)16nm/14nm閘極成本持續(xù)增加后，可望在10nm時降低。雖然IBS并未預期工藝技術停止微縮，但預計試錯成本（cost penalty）將出現(xiàn)在采用20nm bulk CMOS HKMG和16/14nm FinFET之際。
2015-06-23 10:39:271563 GlobalFoundries在7月份宣布量產(chǎn)14nm FinFET(LPE)，總算是邁入了1Xnm的大關。
2015-09-21 08:54:461048 Samsung 5 日宣佈正式量產(chǎn)全球首款採用 10nm 制程生產(chǎn)的 DDR4 DRAM 顆粒，加快半導體市場邁向更精密的 10nm 制程工藝之路，繼 2014 年首個量產(chǎn) 20nm 制程 DDR3 記憶體顆粒，成為業(yè)界領先。
2016-04-06 09:04:56893 在目前市面上常見的SoC中，主要以28nm、20nm、16nm和14nm這4種制程為主，每種制程根據(jù)生產(chǎn)工藝不同還衍生出很多版本，比如28nm工藝，先后就有LP、HPM、HPC、HPC+四種版本。
2016-05-18 10:52:365077 據(jù)三星官網(wǎng)新聞，韓國巨頭宣布推出業(yè)界首款8GB LPDDR4 DRAM成片。此次的8GB LPDDR4內存芯片采用16Gb顆粒，10nm級（10nm~20nm之間）工藝制造，可實現(xiàn)與20nm級4GB
2016-10-20 10:55:482245 今年底明年初TSMC、三星的10nm工藝就會量產(chǎn)了，Intel的真·10nm處理器也會在明年下半年發(fā)布，而GlobalFoundries已經(jīng)確定跳過10nm節(jié)點，他們下一個高性能工藝直接殺向了7nm，也不再選擇三星授權，是自己研發(fā)的。
2016-11-08 11:57:171360 三星與臺積電工藝之戰(zhàn)從三星跳過20nm工藝而直接開發(fā)14nmFinFET打響，從10nm到如今的7nm之爭，無論誰領先一步，都是半導體工藝的重大突破。 在半導體代工市場上，臺積電一直都以領先的工藝
2017-03-02 01:04:492107 本文報道了TSV過程的細節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們華林科納研究了TSV的電學特性，結果表明TSV具有低電阻和低電容；小的TSV-硅漏電流和大約83%的高TSV產(chǎn)率。
2022-06-16 14:02:434102 
此前曾經(jīng)報道ARM的下一代架構Cortex A15將提供雙倍于Cortex A9的性能，產(chǎn)品采用TSMC的28nm工藝，不過就在今天ARM和TSMC聯(lián)合宣布已經(jīng)成功流片20nm ARM Cortex-A15 MPCore芯片。
2011-10-19 09:10:401873 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：“熟悉FPGA行業(yè)和對賽靈思有一定了解的業(yè)界人士都知道，賽靈思在28nm技術上取得了多項重大突破， 其產(chǎn)品組合處于整整領先一代?；?8nm技術突破之上的20nm產(chǎn)品系列
2012-11-19 09:27:484156 1.傳臺積電2nm 制程加速安裝設備 預計2025 年量產(chǎn) ? 據(jù)半導體供應鏈消息稱，臺積電2nm制程加速安裝設備，臺積電新竹寶山Fab20 P1廠將于4月進行設備安裝工程，為GAA（環(huán)繞式閘級
2024-03-25 11:03:091441 三星電子近日在國際學會“IEDM 2015”上就20nm工藝的DRAM開發(fā)發(fā)表了演講。演講中稱，三星此次試制出了20nm工藝的DRAM，并表示可以“采用同樣的方法，達到10nm工藝”。 國際電子器件
2015-12-14 13:45:01
使用STM32_Programmer_CLI構建鏡像，可以根據(jù)Flashlayout_emmc.tsv安裝到板子上， 同樣，從sd卡啟動時，是否可以使用命令根據(jù)Flashlayout_emmc.tsv將構建的鏡像安裝
2022-12-16 08:39:14
著手開始芯片設計。客戶已經(jīng)開始試用測試硅片?，F(xiàn)在需要提出的問題是，20 nm芯片系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品代對于系統(tǒng)供應商意味著什么。這一節(jié)點也僅僅只是摩爾定律發(fā)展的另一個臺階嗎?對于SoC用戶，它會帶來很大
2014-09-01 17:26:49
方法制造的，并伴有各種電鍍輪廓的調整。通過X射線設備和掃描電子顯微鏡（SEM）觀察并表征圖像。結果表明，優(yōu)化的濺射和電鍍條件可以幫助改善TSV的質量，這可以解釋為TSV結構的界面效應。
2021-01-09 10:19:52
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
你有TSV6390AIDT和/或TSV6290AIDT的SPICE型號嗎？ 謝謝， 何魯麗 ＃運算放大器，香料宏模型
2019-08-06 14:07:54
GlobalFoundries正式宣布兼并新加坡特許半導體
GlobalFoundries昨天正式宣布，與新加坡特許半導體制造公司的合并已經(jīng)正式完成，二者將以GlobalFoundries的品牌開始一體化運營
2010-01-15 09:43:501152 
GLOBALFOUNDRIES合并特許半導體，真正的全球性代工廠誕生
GLOBALFOUNDRIES公司宣布與特許半導體制造公司（Chartered Semiconductor Manufacturing）已正式合并了業(yè)務，開始以GLOBALFOUNDR
2010-01-19 08:57:161169 臺積電又跳過22nm工藝 改而直上20nm
為了在競爭激烈的半導體代工行業(yè)中提供最先進的制造技術，臺積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研
2010-04-15 09:52:161210 GlobalFoundries和Qualcomm簽訂代工協(xié)議
Qualcomm擴充了代工廠商，宣布將與GlobalFoundries簽署代工協(xié)議。
此前，GlobalFoundries稱有意為Qualcomm提供45nm低功耗和28nm代工
2010-01-08 12:24:20909 GlobalFoundries日前試產(chǎn)了20nm測試芯片，該芯片采用Cadence，Magma，Mentor Graphics和Synopsys的設計工具。此次試制的測試芯片使用了雙重圖形(Double Patterning)，每家EDA合作伙伴都提供了大量的布局
2011-09-01 09:53:111660 AMD考慮改變傳統(tǒng)的工藝策略，不再一味盲目追新。現(xiàn)在我們談談20nm和14nm。我認為我們在亞原子世界中行走得確實很艱難。轉換到新工藝所帶來的價格優(yōu)勢已經(jīng)開始模糊
2011-12-18 14:21:131037 Sondrel公司近日將在IIC-China 2012現(xiàn)場展示20nm的模擬和數(shù)碼設計技術。Sondrel在歐洲不同國家，以及以色列和中國有強大的設計服務團隊，包括前端，驗證，DFT等全套設計服務。
2012-02-23 09:49:461301 中微半導體設備有限公司（以下簡稱“中微”）推出了8英寸硅通孔（TSV）刻蝕設備Primo TSV200E?
2012-03-15 09:39:401776 晶圓代工巨擘臺積電（TSMC）日前表示，將在 20nm 節(jié)點提供單一製程，這與該公司過去針對不同製程節(jié)點均提供多種製程服務的策略稍有不同。
2012-04-22 11:09:441344 2012年4月27日訊 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，在為新一代移動和消費電子應用實現(xiàn)3D芯片堆疊的道路上，公司達到了一個重要的里程碑。在其位于美國紐約薩拉托加郡的Fab 8，GLOBALFOUNDRIES已開始
2012-04-28 09:15:031772 GlobalFoundries 公司正在仔細考慮其 20nm 節(jié)點的低功耗和高性能等不同製程技術，而在此同時，多家晶片業(yè)高層也齊聚一堂，共同探討即將在2014年來臨的 3D IC ，以及進一步往 7nm 節(jié)點發(fā)
2012-05-06 11:06:351613 據(jù)報道，2012年臺積電準備為其R&D投入13億美元，作為本年度資本支出預算中的一部分。去年，臺積電的R&D預算首次突破10億美元。而今年多出的30%將會用于20nm和14nm工藝研發(fā)。20nm工藝預計
2012-05-15 10:18:21942 南韓媒體朝鮮日報、聯(lián)合新聞通訊社（Yonhap News ）日文版18日報導，全球DRAM龍頭廠三星電子于17日宣布，已領先全球于前（4）月開始量產(chǎn)采用20nm制程技術的低耗電力（LP）DDR2 Mobile DRA
2012-05-19 08:19:501305 據(jù)臺灣媒體報道，臺積電（TSMC）預計會在下月試產(chǎn)20nm芯片制程，即將成為全球首家進入20nm技術的半導體公司。若該芯片試產(chǎn)成功，將超越英特爾（Intel）的22nm制程，拉開與三星電子（
2012-07-18 09:44:331159 8月14日消息，ARM和芯片工廠Globalfoundries日前宣布，雙方將聯(lián)手研發(fā)20nm工藝節(jié)點和FinFET技術。 ARM之前和臺積電進行了緊密合作，在最近發(fā)布了若干使用臺積電28nm工藝節(jié)點制作的硬宏處理
2012-08-14 08:48:11877 Altera公司昨日公開了在其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項關鍵創(chuàng)新技術。延續(xù)在硅片融合上的承諾，Altera向客戶提供終極系統(tǒng)集成平臺，以結合FPGA的硬件可編程功能、數(shù)字信號處理器和微
2012-09-07 09:25:04881 每一代硅片新技術既帶來了新機遇，也意味著挑戰(zhàn)，因此，當我們設計系統(tǒng)時，需要重新審視最初所作出的成本和功耗決定。20 nm以及今后的硅片技術亦是如此。 Altera在 20nm 制造節(jié)點的
2012-09-07 09:41:08703 臺積電積極開發(fā)20nm制程，花旗環(huán)球證券指出，在技術領先優(yōu)勢下，未來1~2年內有機會獨吞蘋果（Apple）A7處理器訂單。野村證券評估，臺積電明年第1季開始試產(chǎn)A7，順利的話，后年上半
2012-09-28 09:40:061376 Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別，還可對設計工藝空間是否充足進行檢查。光學臨近校正法
2012-09-29 10:30:462224 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示 :Mentor Graphics公司日前宣布Calibre LFD（光刻友好設計）光刻檢查工具已獲得TSMC的20nm IC制造工藝認證。 Calibre LFD可對熱點進行識別，還可對設計工藝空間是否充足進
2012-10-08 16:00:141264 近期，Altera發(fā)布其下一代20nm產(chǎn)品中規(guī)劃的幾項關鍵創(chuàng)新技術，延續(xù)在硅片融合上的承諾，克服了20nm設計五大挑戰(zhàn)，實現(xiàn)了系統(tǒng)集成、串行帶寬、DSP性能三大突破。
2012-10-16 11:29:101517 電子發(fā)燒友網(wǎng)核心提示： 本文就可編程邏輯廠商阿爾特拉（Altera）公司首次公開的20nm創(chuàng)新技術展開調查以及深入的分析；深入闡述了FPGA邁向20nm工藝，Altera憑借其異構3D IC、高速收發(fā)器
2012-11-01 13:48:582580 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊：關于摩爾定律的經(jīng)濟活力問題，有很多的討論。在過去的一年中，20nm節(jié)點進入到這個辯論的前沿和中心。無論說辭如何，包括賽靈思在內的行業(yè)領導在20nm研發(fā)上的積極
2012-11-14 11:19:521661 根據(jù)三星的官方描述這個存儲芯片已經(jīng)從原有的20nm制程進入到10nm，并且新的 64GB eMMC Pro Class 2000 比前代產(chǎn)品在外觀上小20%，性能和勞動生產(chǎn)效率方面比前代產(chǎn)品提升了30%。
2012-11-15 15:34:531311 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ：臺積電28nm良率大幅提升的利好還沒被市場徹底消化， FPGA業(yè)界雙雄 已爭先恐后地發(fā)布20nm FPGA戰(zhàn)略，在性能、功耗、集成度等方面均大幅躍升，蠶食ASIC之勢將愈演愈烈
2012-11-30 11:51:232567 據(jù)《韓國日報》報道，NVIDIA在新制造工藝上已經(jīng)選中了臺積電的20nm，雙方的長期合作將繼續(xù)深入下去，而這也意味著，NVIDIA代號麥克斯韋（Maxwell）的下代GPU仍將出自臺積電之手。
2012-12-07 17:00:141085 20nm節(jié)點在是否應該等待即將投產(chǎn)的EUV光刻法以及是否需要finFET晶體管上引起頗大爭議。本文深入探究20 nm技術的發(fā)展前景和挑戰(zhàn)，為大家解惑。
2012-12-14 11:37:543744 Xilinx公布其在20nm產(chǎn)品的表現(xiàn)上還將保持領先一代的優(yōu)勢，究竟在20 nm制程上，Xilinx的產(chǎn)品有哪些演進使其保持領先競爭對手一代的優(yōu)勢？詳見本文
2013-01-10 09:33:431314 臺灣半導體制造公司(TSMC)將為蘋果提供AP/ GPU集成的解決方案，并且采用20nm Soc片上系統(tǒng)工藝為蘋果代工。
2013-01-17 20:58:171765 全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司（NASDAQ:CDNS）近日宣布，GLOBALFOUNDRIES已攜手Cadence?，為其20和14納米制程提供模式分類數(shù)據(jù)
2013-05-13 10:20:021094 比利時微電子研究中心IMEC的研究人員們已經(jīng)開發(fā)出一種納米級的氧化鋁鉿電介質（HfAlO/Al2O3/HfAlO）堆迭，這種具氮化硅/氮化鈦混合浮閘的閘間電介質可用于平面 NAND Flash 結構中，并可望推動NAND flash在20nm及其以下先進制程進一步微縮。
2013-06-26 09:37:041526 賽靈思公司今天宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All
2013-07-09 20:01:504286 （TWSE： 2330， NYSE： TSM）生產(chǎn)的半導體產(chǎn)業(yè)首款20nm產(chǎn)品，同時也是可編程邏輯器件（PLD）產(chǎn)業(yè)首款20nm All Programmable 產(chǎn)品。賽靈思UltraScale?器件采用
2013-11-12 11:24:051641 20 nm工藝技術，Arria 10 FPGA和SoC性能比目前的高端FPGA高出15%，功耗比以前的中端器件低40%，重塑了中端FPGA和SoC?？蛻衄F(xiàn)在可以在熟悉而且成熟的Quartus II設計環(huán)境中，開始開發(fā)基于Arria 10 FPGA和SoC的系統(tǒng)，而且其編譯時間是業(yè)界最短的。
2013-12-03 10:48:472106 017年20nm、16nm及以下的先進工藝將成為主流，這對我們設計業(yè)、制造業(yè)是一個很大的啟示：我們怎么樣適應全球先進工藝。
2013-12-16 09:40:212411 益華電腦宣布，晶圓代工業(yè)者GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)認證Cadence實體驗證系統(tǒng)適用于65nm至14nm FinFET制程技術的客制/類比、數(shù)位與混合訊號設計實體signoff。同時
2014-03-25 09:33:501333 2014年12月22日，中國北京 - All Programmable 技術和器件的全球領先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其 Kintex? UltraScale? KU040 FPGA成為業(yè)界首款投入量產(chǎn)的20nm器件。
2014-12-22 17:36:131226 All Programmable 技術和器件的全球領先企業(yè)賽靈思公司（Xilinx， Inc. （NASDAQ:XLNX））今天宣布其Virtex? UltraScale? 20nm FPGA已應用于JDSU ONT 400G以太網(wǎng)測試平臺。
2015-04-09 11:13:251083 Storage Technology（SST）與先進半導體制造技術的領先供應商GLOBALFOUNDRIES共同宣布，基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型（LPx）/RF平臺的SST 55nm嵌入式SuperFlash? 非易失性存儲器（NVM）產(chǎn)品已通過全面認證并開始投放市場。
2015-05-18 14:48:301713 幾個星期之前在2015OFC展上，JDSU 推出了基于20nm UltraScale全可編程器件的預標準ONT 400G以太網(wǎng)測試平臺。新的測試平臺采用了JDSU成功的ONT測試平臺結構，其率先
2017-02-09 04:56:33413 在絕大部分使用電池供電和插座供電的系統(tǒng)中，功耗成為需要考慮的第一設計要素。Xilinx決定使用20nm工藝的UltraScale器件來直面功耗設計的挑戰(zhàn)，本文描述了在未來的系統(tǒng)設計中，使用Xilinx 20nm工藝的UltraScale FPGA來降低功耗的19種途徑。
2018-07-14 07:21:006608 我們要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其實這些數(shù)值所代表的都是一個東西，那就是處理器的蝕刻尺寸，簡單的講，就是我們能夠把一個單位的電晶體刻在多大尺寸的一塊芯片上。
2017-07-05 09:24:483430 AMD剝離出來的代工廠GlobalFoundries(經(jīng)常被戲稱為AMD女友)近日迎來好消息，上海復旦微電子已經(jīng)下單采納其22nm FD-SOI工藝(22FDX)。
2017-07-11 08:56:221284 The TSV99x and TSV99xA family of single， dual， and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:18
12 The TSV358， TSV358A， TSV324， and TSV324A （dual and quad） devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306 The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585 The TSV620， TSV620A， TSV621， and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage， low power operation
2017-09-05 11:01:536 20nm會延續(xù)摩爾定律在集成上發(fā)展趨勢，但是要付出成本代價。2.5D封裝技術的發(fā)展，進一步提高了集成度，但是也增大了成本，部分解決了DRAM總線電源和帶寬問題，在一個封裝中集成了種類更多的IC。隨著系統(tǒng)性能的提高，這一節(jié)點也增加了體系結構的復雜度。目前為止，它也是功耗管理最復雜的節(jié)點。
2017-09-15 09:54:3010 在28nm技術突破的基礎上，賽靈思又宣布推出基于20nm節(jié)點的兩款業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品。賽靈思是首家推出20nm商用芯片產(chǎn)品的公司。此外，該新型器件也是賽靈思將向市場推出的首款采用UltraScale技術
2018-01-12 05:49:451061 臺塑集團旗下DRAM大廠南亞科技術能力大躍進，完成首顆自主研發(fā)的20nm制程8Gb DDR4 DRAM，并通過個人電腦（PC）客戶認證，本月開始出貨，為南亞科轉攻利基型DRAM多年后，再度重返個人電腦市場，明年農歷年后將再切入服務器市場，南亞科借此成為韓系和美系大廠之后，另一穩(wěn)定供貨來源。
2018-08-28 16:09:213452 在制程推進到10nm以內后，研發(fā)難度也越來越大，這點從Intel的10nm從2016年跳票到2019年就可以看出。此前，得益于三星背后的支持，GlobalFoundries（格羅方德，格芯）的7nm
2018-08-29 08:31:001125 邏輯制程 采用ARM下一代存儲器和邏輯IP，適合低電壓應用 “55nm LPe 1V”平臺專為實現(xiàn)超低功耗，更低成本及更優(yōu)設計靈活性而優(yōu)化 GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的 55 奈米
2018-09-25 09:24:02793 ADI Guneet Chadha探討電源系統(tǒng)管理(PSM)如何確定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8個電源的時序或按照預定順序開啟各電源
2019-07-24 06:16:002450 “臺積公司是我們在 28nm、20nm 和 16nm 實現(xiàn)‘三連冠（3 Peat）’成功的堅實基礎。其出色的工藝技術、3D 堆疊技術和代工廠服務，讓賽靈思在出色的產(chǎn)品、優(yōu)異的品質、強大的執(zhí)行力以及領先的市場地位上享有了無與倫比的聲譽。
2019-08-01 09:24:522912 賽靈思UltraScale架構：行業(yè)第一個ASIC級可編程架構，可從20nm平面晶體管結構 （planar）工藝向16nm乃至FinFET晶體管技術擴展，從單芯片（monolithic）到3D IC擴展。
2019-12-18 15:30:231310 在20nm以下制程，該公司也將沿用此一發(fā)展策略，持續(xù)加強與IC設計公司合作，進一步提高生產(chǎn)效率與降低投資風險。
2020-09-08 14:11:272735 根據(jù)報道，華為將在國內建設一家45nm制程工藝起步的芯片工廠，計劃在2021年底為物聯(lián)網(wǎng)設備制造28nm的芯片，并在2022年底之前為5G設備供應20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:303541 據(jù)etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產(chǎn)10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內在M16廠建設產(chǎn)線以生產(chǎn)下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202942 晶體管是器件中提供開關功能的關鍵組件。幾十年來，基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時，平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此，英特爾在2011年推出了22nm的FinFET，之后晶圓廠在16nm/14nm予以跟進。
2021-03-22 11:35:243112 和關鍵技術基礎上 , 對其中深孔刻蝕、氣相沉積、通孔填充、 化學機械拋光(CMP)等幾種關鍵工藝設備進行了詳細介紹，對在確保滿足生產(chǎn)工藝要求的前提下不同設備的選型應用及對設備安裝的廠 務需求提出了相關建議，同時對 TSV 設備做出國產(chǎn)化展望。
2023-02-17 10:23:532863 UltraScale是基于20nm工藝制程的FPGA，而UltraScale+則是基于16nm工藝制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:548668 三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備，深度蝕刻到晶片內部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:571742 共讀好書 魏紅軍 段晉勝 (中國電子科技集團公司第二研究所) 摘要： 論述了 TSV 技術發(fā)展面臨的設備問題，并重點介紹了深硅刻蝕、 CVD/PVD 沉積、電鍍銅填充、晶圓減薄、晶圓鍵合等幾種制約
2024-03-12 08:43:592370 
和20nm的研發(fā)工作。預計21nm的DRAM產(chǎn)品將于今年年底推出，而20nm的產(chǎn)品則有望在明年中前后上市。此外，公司還表示將持續(xù)進行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)，以保持技術領先。
2024-11-12 14:27:051737 Hello,大家好，我們來分享下先進封裝中TSV需要的相關設備。
2025-02-19 16:39:241946 
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