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矽力杰新一代高精度電壓輸出型電流檢測(cè)放大器SA59131系列產(chǎn)品支持高邊或低邊雙向電流檢測(cè)，擁 那有?4V~80V的寬共模電壓范圍，可采集低于接地電壓的輸入信號(hào)。...
變壓器結(jié)電容相對(duì)于電壓變化率過大，導(dǎo)致的耦合電流干擾問題。這個(gè)問題導(dǎo)致的后果是，輸出邏輯錯(cuò)誤，控制電路被干擾，電路失效等。...
半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體也因而誕生。...
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏電流比Si 器件減少了幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而可以減少功率器件的功率損耗。...
國產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘 管、低壓 MOSFET（非車規(guī)）等，已初現(xiàn)“規(guī)模化效應(yīng)、國產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特 點(diǎn)。...
報(bào)告內(nèi)容包含： 效率和功率密度推動(dòng)變革 基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器功能 驅(qū)動(dòng)器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管） 驅(qū)動(dòng)器進(jìn)化以支持 SiC（碳化硅）...
隨著新能源的爆火，IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù)，目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對(duì)飽滿的狀態(tài)，價(jià)格整體而言也比較穩(wěn)定，產(chǎn)品交期普遍在39周以上，尤其是風(fēng)光儲(chǔ)IGBT等部分緊缺料交期還在52周以上。...
這種結(jié)構(gòu)依然存在一些弊端， MDAC和子ADC的信號(hào)輸入路徑可能存在不匹配，也就是開關(guān)的RC時(shí)間常數(shù)的不匹配，導(dǎo)致在輸入頻率很高時(shí)，可能導(dǎo)致采樣的信號(hào)存在很大的差異(孔徑誤差)。...
報(bào)告內(nèi)容包含： 微帶WBG MMIC工藝 GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng) GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)...
Ton和Toff已經(jīng)接近圖二要求的時(shí)間，MOS管24V時(shí)帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發(fā)熱。 總結(jié)一：MOS管發(fā)熱原因小結(jié)（此處從網(wǎng)上搜集）...
碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。...
驅(qū)動(dòng)電路和以兩個(gè)輸入電壓作為擺幅的偏置電路，都與器件的源極軌連。但是，驅(qū)動(dòng)電路和它的浮動(dòng)偏置可以通過低壓電路實(shí)現(xiàn)，因?yàn)檩斎腚妷翰粫?huì)作用到這些電路上。...
碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強(qiáng)，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。...
信號(hào)、系統(tǒng)和數(shù)字信號(hào)處理知識(shí)整理...
交流信號(hào)TIA電路的增益主要取決于放大器反饋環(huán)路中的電阻和電容。公式1表示圖1的理想交流和直流信號(hào)傳遞函數(shù)。...
儲(chǔ)能用更多的 IGBT 和 SiC，涉及到 DCDC 和 DCAC 兩個(gè)環(huán)節(jié)。兩種方案，光儲(chǔ)一體以及單獨(dú)儲(chǔ)能系統(tǒng)。獨(dú)立的儲(chǔ)能系統(tǒng)，功率半導(dǎo)體器件的用量是光伏的 1.5 倍左右。目前光儲(chǔ)一體可能占比超過 60-70%，單獨(dú)儲(chǔ)能系統(tǒng)占比 30%。...
隨著通道長(zhǎng)度的縮短，電源電壓將從3.3V降到0.7V，并有望進(jìn)一步下降。這為晶體管（數(shù)字和模擬）施加了更低的過驅(qū)動(dòng)問題。在模擬設(shè)計(jì)中，通過定義初始條件的預(yù)充電節(jié)點(diǎn)的實(shí)現(xiàn)克服了這一問題，使設(shè)計(jì)在低過驅(qū)動(dòng)下工作。...
單擊第一個(gè)自動(dòng)生成的布局將顯示"動(dòng)畫預(yù)覽"對(duì)話框，其中顯示以下窗口：層次結(jié)構(gòu)、原理圖、布局、結(jié)果和約束。"布局"窗口顯示九個(gè)生成的布局地形。...
IGBT行業(yè)的門檻非常高。除了芯片的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)，IGBT模塊封裝測(cè)試的開發(fā)和生產(chǎn)等環(huán)節(jié)同樣有著非常高的技術(shù)要求和工藝要求。...
共模電感的工作原理是通過電感的電磁感應(yīng)作用，抵消共模噪聲。當(dāng)共模噪聲出現(xiàn)時(shí)，它會(huì)在電路的兩個(gè)信號(hào)線上產(chǎn)生同樣大小和相位的電流信號(hào)。這些電流信號(hào)將在共模電感中誘導(dǎo)出一個(gè)磁場(chǎng)，進(jìn)而產(chǎn)生一個(gè)抗拒共模噪聲的反向電動(dòng)勢(shì)。...
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