DS3150 業(yè)內(nèi)首款單端口T3/E3 LIU，集成了抖動衰

DS3150 業(yè)內(nèi)首款單端口T3/E3 LIU，集成了抖動衰減器

DS3150可以實現(xiàn)在物理層與DS3、E3和STS-1線路接口的所有必要功能。接收器可以實現(xiàn)時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)、B3ZS/HDB3解碼及信號丟失監(jiān)視。發(fā)送器對輸出數(shù)據(jù)流進(jìn)行編碼，驅(qū)動標(biāo)準(zhǔn)兼容波形至75Ω同軸電纜。抖動抑制器可以映射到接收通道或發(fā)送通道。

Figure 1-1. Block Diagram DS3150內(nèi)部功能框圖

關(guān)鍵特性

應(yīng)用于DS3、E3和STS-1的集成發(fā)送器、接收器和抖動抑制器

完成接收時鐘/數(shù)據(jù)恢復(fù)以及發(fā)送波形整形

抖動抑制器可以放置在接收通道或發(fā)送通道

AGC/補償器模塊可以處理從0dB至15dB的電纜損耗

與最大長度380m (DS3)、440m (E3)或360m (STS-1)的75Ω同軸電纜連接

內(nèi)置前置放大器，直接與DSX監(jiān)視器信號(20dB平坦損耗)接口

內(nèi)置B3ZS和HDB3編碼器/解碼器

雙極性和NRZ接口

本地/遠(yuǎn)程環(huán)回

板上2¹⁵ - 1與2²³ - 1 PRBS生成器和監(jiān)測器

線路匹配(LBO)控制

發(fā)送線路驅(qū)動器的監(jiān)視器用來核查有故障的發(fā)送器或短路的輸出

完備的DS3 AIS發(fā)生器(ANSI T1.107)

無幀全1發(fā)生器(E3 AIS)

為無粘接接口提供時鐘反轉(zhuǎn)

為低功耗模式和保護(hù)切換應(yīng)用提供三態(tài)線路驅(qū)動器

信號丟失(LOS)檢測器(ANSI T1.231和ITU G.775)

需要最少的外部元件

可替代TDK 78P2241/B和78P7200L (參考應(yīng)用筆記362)

引腳兼容于TDK 78P7200

3.3V工作(容許5V I/O)，110mA最大值

工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C

小型封裝：28引腳PLCC和48引腳TQFP

應(yīng)用/使用

	接入集線器
	ATM與幀中繼設(shè)備
	CSU/DSU
	數(shù)字交叉連接
	DSLAM
	PBX
	路由器
	SONET/SDH和PDH多路復(fù)用器

DS3150 pdf datasheet (3.3V, DS3/E3/STS-1 Line Interface Unit)

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DS(70843) DS(70843)
衰減器(33704) 衰減器(33704)
E3(9216) E3(9216)

PE-65662NLT

XFRMR T3/DS3/E3/STS-1 1:1 45UH

2024-03-14 22:19:27

全球首款!3D打印飛機(jī)起落架光谷面世

3D打印行業(yè)資訊

北京中科同志科技股份有限公司發(fā)布于 2024-03-14 09:15:57

請問LSM6DS3TR和LSM6DS3TR-C兩個型號能否完全兼容？

LSM6DS3TR停產(chǎn)買不到了，準(zhǔn)備切換LSM6DS3TR-C型號使用。請問兩者有什么差別？能否直接替換？有成功替換案例嗎？

2024-03-14 06:40:10

lsm6ds3tr-c傳感器集合模式無法使用的原因？

下無法通過該imu訪問到外掛的磁力計。個人編寫代碼邏輯如下： /*初始化部分*///使能對嵌入功能寄存器的訪問bsp_spi_write(LSM6DS3

2024-03-07 06:26:09

HMC729LC3C是一款集成復(fù)位功能的T觸發(fā)器

HMC729LC3C是一款集成復(fù)位功能的T觸發(fā)器，設(shè)計支持高達(dá)26 GHz的時鐘頻率。正常工作時，若復(fù)位引腳未置位，則輸出將在時鐘正邊沿從之前的狀態(tài)切換到其他狀態(tài)。這便實現(xiàn)對時鐘輸入的二分

2024-03-03 15:01:14

SIS412DN-T1-GE3-VB一款2個N溝道DFN8(3X3)封裝MOSFET應(yīng)用分析

：30V- 額定電流：18A- 導(dǎo)通電阻：20mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 閾值電壓：1.5V**應(yīng)用簡介：**這是一款集成了兩個N-Channel溝道

2024-02-20 10:19:23

Si2329DS-T1-GE3-VB一種P溝道SOT23封裝MOS管

**VBsemi Si2329DS-T1-GE3-VB 產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)說明與應(yīng)用簡介****參數(shù)說明:**- **型號：** Si2329DS-T1-GE3-VB- **絲?。?* VB2290-

2024-02-03 10:36:58

TIMER3設(shè)置成外部捕獲模式，T3_EXT引腳每秒輸入10個脈沖，為什么得到的CNT寄存器和CAP寄存器的值這么大？

TIMER3 CNT=13396652,CAP=10668028 如果把TIMER3設(shè)置成事件計數(shù)模式，T3引腳同樣每秒輸入10個脈沖，CNT計數(shù)就比較準(zhǔn)。

2024-01-17 07:40:32

SI2338DS-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

**詳細(xì)參數(shù)說明：**- **型號:** SI2338DS-T1-E3-VB- **絲印:** VB1330- **品牌:** VBsemi- **參數(shù):** - 封裝類型

2024-01-03 17:26:32

SI2304DS-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

**型號：SI2304DS-T1-E3-VB****絲印：VB1330****品牌：VBsemi****參數(shù)：**- 封裝：SOT23- 類型：N-Channel 溝道- 額定電壓：30V-

2024-01-03 15:30:34

SI4466DY-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOP8封裝的晶體管

, 6.5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：1.72V- 封裝類型：SOP8應(yīng)用簡介：SI4466DY-T1-E3-VB是一款N溝

2023-12-22 15:36:20

TN0200T-T1-E3-VB場效應(yīng)管一款N溝道SOT23封裝的晶體管

Ω @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：0.45~1V- 封裝類型：SOT23應(yīng)用簡介：TN0200T-T1-E3-VB是一款N

2023-12-21 16:58:46

SI4425BDY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1.42V- 封裝：SOP8**詳細(xì)參數(shù)說明：**SI4425BDY-T1-E3-VB是一款P溝道MOSFET，最大

2023-12-20 11:46:33

SI4850DY-T1-E3-VB一款N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：1.54V- 封裝：SOP8**詳細(xì)參數(shù)說明：**SI4850DY-T1-E3-VB是一款N溝道MOSFET，最大耐壓為6

2023-12-20 10:44:08

SI2314EDS-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：0.45V to 1V- 封裝：SOT23應(yīng)用簡介：SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N

2023-12-18 17:09:54

SI4413DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

根據(jù)提供的型號和參數(shù)，以下是對該 MOSFET 型號 SI4413DY-T1-E3-VB 的詳細(xì)參數(shù)和應(yīng)用簡介：**型號：** SI4413DY-T1-E3-VB**絲印：** VBA2311

2023-12-18 17:08:07

SI2314DS-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號：SI2314DS-T1-E3-VB絲?。篤B1240品牌：VBsemi參數(shù)說明：- **N溝道：** 該器件是一種N溝道MOSFET，電流在N溝道中流動，通常用于不同類型的應(yīng)用，如電源開關(guān)等

2023-12-18 11:19:34

SI4825DDY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

, 13mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓 (Vth)：-1.42V- 封裝：SOP8應(yīng)用簡介：SI4825DDY-T1-E3-VB是一款P溝道M

2023-12-14 16:08:27

SI2347DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

型號：SI2347DS-T1-GE3-VB絲?。篤B2355品牌：VBsemi參數(shù)：- 類型：P溝道- 最大耐壓：-30V- 最大電流：-5.6A- 靜態(tài)開啟電阻 (RDS(ON))：47m

2023-12-14 10:43:26

TN0200TS-T1-E3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

Ω @ 4.5Vgs、33mΩ @ 2.5Vgs- 閾值電壓（Vth）：0.45V 到 1V 可調(diào)- 封裝類型：SOT23應(yīng)用簡介：TN0200TS-T1-E3-VB是一款N溝道

2023-12-14 10:12:05

SI9424DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

Ω @2.5V，15Vgs（±V）；-0.6～-2Vth(V)；SOP8應(yīng)用簡介：SI9424DY-T1-E3-VB是一款P溝道功率MOSFET器件，適用于多種領(lǐng)域的電子

2023-12-13 15:28:40

Si2399DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

應(yīng)用簡介： Si2399DS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。由于其低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)），能有效降低導(dǎo)通損耗，在需要高效能轉(zhuǎn)換

2023-12-13 10:11:37

Si2342DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

：SOT23。應(yīng)用簡介：Si2342DS-T1-GE3是一款用于中低電壓應(yīng)用的N溝道MOSFET，適用于電源開關(guān)、LED驅(qū)動和電池管理等領(lǐng)域模塊。

2023-12-09 15:07:11

SI2302DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

：SOT23。應(yīng)用簡介：SI2302DS-T1-GE3是一款中低電壓N溝道MOSFET，適用于電源開關(guān)、電機(jī)控制和穩(wěn)壓等應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和可調(diào)的閾值電壓使其在多種場景中

2023-12-09 14:53:11

SI2301DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

(±V)閾值電壓：-0.81V；封裝：SOT23應(yīng)用簡介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET，適用于需要控制電流的應(yīng)用。其低

2023-12-09 14:50:12

SI2300DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

：SI2300DS-T1-GE3是一款適用于中電流、低電壓的N溝道MOSFET。其低閾值電壓使其適合低電壓邏輯驅(qū)動。常用于移動設(shè)備、低電壓應(yīng)用等。優(yōu)勢：適用于低電壓邏輯

2023-12-09 14:47:20

GM7123是一款頻率330MHz的3通道10位高速視頻DAC芯片

速率 b） 3 個 10 位 DAC c）輸入兼容 TTL 電平 d） DAC 輸出電流范圍 2mA～26mA e）集成帶隙基準(zhǔn)電壓源 f） LQFP48 封裝 3 封裝及引腳功能說明產(chǎn)品采用 48 引線的四邊引線扁平外殼封裝，實體尺寸 7mm×7mm。

2023-12-09 10:39:23

DS34S132GN+ 一款32端口接口芯片

描述 IETF PWE3 SAToP/CESoPSN/HDLC兼容的DS34S132為L2TPv3/IP、UDP/IP、MPLS (MFA-8)以及城域以太網(wǎng)(MEF-8)網(wǎng)絡(luò)提供將TDM

2023-12-07 11:05:52

SI2333DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI2333DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產(chǎn)品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產(chǎn)品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS

2023-11-30 16:02:35

武漢芯源半導(dǎo)體首款車規(guī)級MCU，CW32A030C8T7通過AEC-Q100測試考核

近日，武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex?-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車規(guī)級MCU，這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的主流通用型車規(guī)MCU產(chǎn)品

2023-11-30 15:47:01

SI2305DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI2305DS-T1-GE3是VBsemi品牌推出的一款P溝道MOSFET產(chǎn)品，絲印型號為VB2290；采用SOT23-3封裝。該產(chǎn)品的特性包括額定電壓為-20V，額定電流為-4A，RDS

2023-11-30 14:21:31

SI2347DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

"型號 SI2347DS-T1-GE3-VB絲印 VB2355品牌 VBsemi參數(shù) 類型 P溝道最大耐壓

2023-11-14 10:34:07

SI2356DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝 N溝道MOSFET

型號 SI2356DS-T1-GE3-VB絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明溝道類型 N溝道

2023-11-11 13:36:44

西門子3RW44軟啟動器的分享

來了。想了一會，可控硅不是干接點，所以會有漏電流，萬用表的內(nèi)阻很高，這個電流在可控硅上沒有太大壓降。想法對不對呢，驗證一下，在輸出端T1和T3串入3個燈泡。送電測量T1和T3電壓變成了2.6V

2023-11-08 06:48:52

SI2309DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝P溝道MOSFET

型號 SI2309DS-T1-GE3-VB絲印 VB2658品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明溝道類型 P溝道額定

2023-11-07 17:12:55

SI2324DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝N溝道MOSFET

Ω @10V, 260mΩ @4.5V- 門源電壓 20Vgs- 門閾電壓 2Vth- 封裝 SOT23應(yīng)用簡介 SI2324DS-T1-GE3是一款N溝道MOS

2023-10-27 17:18:42

SI2308DS-T1-GE3-VB-SOT23封裝 P溝道MOSFET

名稱 SI2308DS-T1-GE3 型號 VB1695 品牌 VBsemi 參數(shù) - 頻道類型 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 4A- RDS

2023-10-27 16:38:22

TP4586 是一款集成線性充電管理、同步升壓轉(zhuǎn)換、電池電量指示和多種保護(hù)功能的單芯片電源管理 SOC

TP4586雙路獨立控制的 TWS 充電倉解決方案概述： TP4586 是一款集成線性充電管理、同步升壓轉(zhuǎn)換、電池電量指示和多種保護(hù)功能的單芯片電源管理 SOC，為藍(lán)牙耳機(jī)充電倉的充放電提供

2023-10-23 15:29:10

ESP32-S3技術(shù)規(guī)格書

ESP32-S3 是一款低功耗的 MCU 系統(tǒng)級芯片 (SoC)，支持 2.4 GHz Wi-Fi 和低功耗藍(lán)牙 (Bluetooth? LE) 無線通信。芯片集成了高性能的 Xtensa? 32 位 LX7 雙核處理器、超低功耗協(xié)處理器、Wi-Fi 基帶、藍(lán)牙基帶、RF 模塊以及外設(shè)。

2023-09-18 07:53:06

CW32F003x3/x4產(chǎn)品介紹

CW32F003x3/x4是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核具有高達(dá)48 MHz的主頻率、高速嵌入式存儲器（高達(dá)20 KB的FLASH和至3K字節(jié)

2023-09-14 08:16:19

LSM6DS3的應(yīng)用筆記

專門設(shè)計，可在硬件上實現(xiàn)大幅運動檢測、傾斜度檢測、硬件計步功能、時間戳，并支持對外部磁力計的數(shù)據(jù)采集，且支持鐵磁校準(zhǔn) （硬鐵修正，軟鐵修正）。LSM6DS3 集成有一個 8Kbyte 的智能先進(jìn)先出

2023-09-13 08:23:34

全志T113-S3入門資料匯總（避坑指南）一

啟動器，負(fù)責(zé)將屋子收拾干凈，等后面linux系統(tǒng)進(jìn)來入駐。我們需要用串口連接板子上的E2，E3，GND，可以用usb-ttl工具去連，于是電腦上就可以通過usb-ttl看到T113串口輸出的信息了

2023-09-08 10:15:04

BD3150N50100AHF是一款變壓器

TTM Technologies 的 BD3150N50100AHF 是一款巴倫，頻率為 3.1 至 7 GHz，幅度平衡 ±0.8 至 1.5 dB，相位平衡 3 至 20 度，插入損耗 0.7

2023-08-15 11:30:08

求助，STM32F103ZET6絲印ST后面的e3或e4是什么意思？

e4 菲律賓（PHL）產(chǎn)的批次工作正常，e3臺灣（TWN）生產(chǎn)的批次工作不正常。

2023-08-07 12:41:40

CPM3-1700-R020E是一款芯片

1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款工業(yè)級第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續(xù)在碳化硅 (SiC) 領(lǐng)域

2023-07-28 14:21:34

EPM3-1200-0017D-R01是一款芯片

1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款汽車級 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 繼續(xù)在碳化硅領(lǐng)域保持

2023-07-28 13:50:09

EPM3-1200-0017D1-R01是一款芯片

1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 憑借我們的首款汽車級 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 繼續(xù)在碳化硅領(lǐng)域保持

2023-07-28 13:48:14

DS26503是一款芯片

DS26503是一個樓宇綜合定時供給系統(tǒng)(BITS)時鐘恢復(fù)元件，還可用作基本T1/E1收發(fā)器。接收部分可從T1, E1和6312kHz同步時序接口中恢復(fù)時鐘。在T1和E1模式下，還可恢復(fù)出同步狀態(tài)

2023-07-18 08:58:07

DS28E17Q+T是一款芯片

DS28E17為1-Wire從機(jī)至I2C主機(jī)橋接器件，直接連接至I2C從機(jī)，支持標(biāo)準(zhǔn)(最高100kHz)或高速(最大400kHz)工作。數(shù)據(jù)通過1-Wire?協(xié)議串行傳輸，僅需單根數(shù)據(jù)線和接地回路

2023-07-13 17:54:06

DS28E02是一款認(rèn)證器

DS28E02將1024位EEPROM與符合FIPS 180-3安全散列算法(SHA-1)的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能結(jié)合在一起。1024位EEPROM陣列被配置為四頁，每頁256位，且?guī)в?4位暫存器

2023-07-13 17:33:38

DS28E25是一款認(rèn)證器

DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護(hù)為系統(tǒng)提供最安全的密鑰存儲，以保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。DeepCover安全認(rèn)證器件(DS28E25)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法

2023-07-13 17:26:27

DS28E15是一款認(rèn)證器

DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護(hù)為系統(tǒng)提供最安全的密鑰存儲，有效保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。DeepCover安全認(rèn)證器件(DS28E15)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法

2023-07-13 17:23:35

DS28E22是一款認(rèn)證器

DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護(hù)措施為系統(tǒng)提供最安全的密鑰存儲，以保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。DeepCover安全認(rèn)證(DS28E22)器件集成了基于FIPS 180-3安全散列算法

2023-07-13 17:18:29

DS28EL15Q+T是一款認(rèn)證器

DeepCover?嵌入式安全方案通過多層高級物理保護(hù)為系統(tǒng)提供業(yè)內(nèi)最安全的密鑰存儲,有效保護(hù)敏感數(shù)據(jù)。DeepCover安全認(rèn)證器件(DS28EL15)集成了基于FIPS 180-3安全散列算法

2023-07-13 17:14:07

DS28E80Q+T是一款存儲器

，每個存儲塊可寫8次。DS28E80通過單觸點1-Wire?總線進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)速率或高速率通信。每片器件都擁有唯一的64位識別碼，由工廠寫至芯片。通信符合1-Wire協(xié)議，

2023-07-13 17:01:58

DS28E16是一款認(rèn)證器

DS28E16安全認(rèn)證器集FIPS202兼容安全散列算法(SHA-3)質(zhì)詢和響應(yīng)認(rèn)證與安全EEPROM于一身。器件提供一組核心加密工具，包括SHA-3引擎、256位安全EEPROM、遞減計數(shù)器和唯一

2023-07-13 16:35:34

DS2502-E48+是一款芯片

DS2502-E48是DS2502 (1024位只加存儲器)的一個變種。它與標(biāo)準(zhǔn)DS2502的不同之處在于其用戶化ROM的家族碼為89h，在標(biāo)準(zhǔn)ROM序列號區(qū)的高12位為UniqueWare?標(biāo)識符

2023-07-13 15:56:50

DS28E05是一款芯片

DS28E05是一款112字節(jié)用戶可編程EEPROM芯片，分為7頁，每頁16字節(jié)。存儲器頁通過保護(hù)字節(jié)可單獨設(shè)置為寫保護(hù)或者EPROM仿真模式。每個器件都帶有唯一的64位ROM注冊碼(ROM ID

2023-07-13 11:35:21

HMC675LP3E是一款比較器

HMC675LP3E是一款SiGe、單芯片、超快速比較器，集成小擺幅CML輸出驅(qū)動器和鎖存輸入。該比較器支持10 Gbps工作速率，同時提供100 ps傳播延遲和60 ps最小脈沖寬度以及0.2

2023-06-30 11:14:12

HMC674LP3E是一款比較器

HMC674LP3E為硅鍺(SiGe)、單芯片、超快速比較器，集成小擺幅正發(fā)射極耦合邏輯(RSPECL)輸出驅(qū)動器和鎖存輸入。這些比較器支持10 Gbps工作速率，并提供85 ps傳播延遲和60

2023-06-30 10:53:29

2SK3150(L) 2SK3150(S) 數(shù)據(jù)表

2023-06-28 20:32:14

全志科技T3國產(chǎn)工業(yè)核心板規(guī)格書（四核ARM Cortex-A7，主頻1.2GHz）

1 核心板簡介創(chuàng)龍科技SOM-TLT3是一款基于全志科技T3處理器設(shè)計的4核ARM Cortex-A7國產(chǎn)工業(yè)核心板，每核主頻高達(dá)1.2GHz。核心板通過郵票孔連接方式引出CSI、TVIN、MIPI

2023-06-28 10:16:23

全志科技T3國產(chǎn)工業(yè)評估板規(guī)格書（四核ARM Cortex-A7，主頻1.2GHz）

1 評估板簡介創(chuàng)龍科技TLT3-EVM是一款基于全志科技T3處理器設(shè)計的4核ARM Cortex-A7高性能低功耗國產(chǎn)評估板，每核主頻高達(dá)1.2GHz，由核心板和評估底板組成。評估板接口資源豐富

2023-06-28 10:11:48

DS31256 非通道化T3/E3/HSSI/VDSL端口配置，適用于橋接模式應(yīng)用

本應(yīng)用筆記舉例說明如何在橋接模式下配置單個T3端口，在DS31256上進(jìn)行非溝道化工作。此外，此示例還介紹如何在該端口上以環(huán)回模式構(gòu)造、發(fā)送、接收和檢查數(shù)據(jù)包。本應(yīng)用筆記作為編碼示例提供，以便于適應(yīng)最終用戶應(yīng)用。

2023-06-16 17:29:51