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Highest Linearity, Dual Downco

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AD9213-DUAL-EBZ評估板是由Analog Devices(ADI)推出的一款高性能雙通道模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)評估工具,專為AD9213系列器件設(shè)計。該評估板旨在幫助工程師快速評估ADC
2025-02-14 21:59:03

EV-ADF4030SD1Z-DUAL評估板

EV-ADF4030SD1Z-DUAL評估板是由Analog Devices(ADI)推出的一款高性能雙通道頻率合成器評估工具,專為ADF4030頻率合成器設(shè)計。該評估板旨在幫助工程師快速評估和開發(fā)
2025-02-14 21:37:24

TS5A23159工作頻率的疑問求解

TS5A23159 1-W DUAL SPDT ANALOG SWITCH 5-V/3.3-V 2-CHANNEL 2:1 MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER 這個IC,今天做安
2025-02-14 08:38:11

RK3188處理器主要特性概覽

GPU,為用戶帶來流暢且逼真的圖形處理體驗。 內(nèi)存支持:兼容DDR3/DDR3L/LPDDR2等多種內(nèi)存規(guī)格,滿足多樣化的硬件需求。 高清視頻解碼:支持1080P視頻解碼,讓用戶盡情享受高清視頻帶來的視覺盛宴。 雙屏顯示:具備Dual FHD雙高清顯示屏支持,為多媒體應(yīng)用提供更廣闊的展示空間。 視頻編碼
2025-02-08 16:51:351401

USB2.0高速切換開關(guān)芯片F(xiàn)SW7227簡介替代SGM7227

DESCRIPTION The FSW7227 is a bidirectional low-power dual port, high-speed, USB 2.0 analog switch
2025-02-08 11:21:41

FSW3157單刀雙擲模擬開關(guān)替代SGM3157芯片

over the signal range. This ensures excellent linearity and low distortion when switching audio
2025-02-08 11:19:14

Audio precision ATS-1 ATS-2 音頻分析儀

使用數(shù)字音頻工作,ATS-1 Dual DomainR型號的AES3/SPDIF音頻和界面測量功能可以完成大多數(shù)的模擬功能。 Analog+Digital
2025-02-06 14:30:43942

Dual Beam FIB-SEM技術(shù)

DualBeamFIB-SEM技術(shù)在現(xiàn)代材料科學(xué)的探索中,微觀世界的洞察力是推動技術(shù)進步的關(guān)鍵。隨著科技的不斷進步,分析儀器也在不斷升級,以滿足日益復(fù)雜的研究需求。其中,DualBeamFIB-SEM(聚焦離子束-掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng))以其獨特的多合一功能,成為材料科學(xué)領(lǐng)域不可或缺的利器。DualBeamFIB-SEM系統(tǒng)的核心是將聚焦離子束(FIB)與掃
2025-01-26 13:40:47542

測試DAC5688的信號,發(fā)現(xiàn)信號和采樣時鐘之間會出現(xiàn)比較大的交調(diào),是什么原因?

最近我在測試DAC5688的信號,發(fā)現(xiàn)信號和采樣時鐘之間會出現(xiàn)比較大的交調(diào),不知道是什么原因。相關(guān)參數(shù)如下: DAC輸入信號:10MHz單音,輸入速率:100MHz 5688時鐘模式:Dual
2025-01-24 08:23:37

為何DAC5686高頻率輸入PLL不能鎖定?

( 0x00, 0x09 ); // dual_clk DDS_gain[1:0] rspect qflag PLL_rng[1:0] rev_bbus }
2025-01-24 07:11:44

求助,關(guān)于DAC5672IPFBR的輸入通道問題求解

,是不是它的電流是3.3/20000.差不多是150微伏呢?我不懂,希望專業(yè)人士告知。另外對于GSET,MODE,SLEEP 的設(shè)置,如果我已經(jīng)選擇了dual-bus模式,是不是MODE就可以直接接DVDD?
2025-01-23 08:26:08

DAC5652無輸出信號是什么原因?qū)е碌模?/a>

如何操作DAC5652才能在輸出口看到波形呢?

控制用的FPGA,想用DAC5652輸出一個正弦波形。 電路仿照評估板畫的 這是我們的板子 目前已經(jīng)按照手冊將 MODE = 1;Dual-bus mode SLEEP = 0
2025-01-22 06:01:27

求助DAC5672芯片數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換的問題

,按理說輸出的模擬信號應(yīng)該是一個1.2V的高電平,但是現(xiàn)在輸出端沒有任何信號。 mode為Dual-BusData,sleep也設(shè)置的對的。 請專家?guī)兔纯丛趺椿厥?,是不是與PCB走線有問題。 下面
2025-01-21 08:06:50

電子工業(yè)上的DIP插件與SMT貼片的優(yōu)缺點分析

在電子制造領(lǐng)域,DIP(Dual In-line Package,雙列直插式封裝)插件和 SMT(Surface Mount Technology,表面貼裝技術(shù))貼片是兩種常見的元器件安裝方式,它們
2025-01-17 17:41:181843

AFE0064是否設(shè)計上和DDC232芯片一致?

正常情況下,模擬前端芯片在采樣后、信號AD轉(zhuǎn)換的過程中,是停止對外部信號的采樣的,否則下一刻的積分值會將上一刻的積分值覆蓋;而DDC232芯片采用了雙開關(guān)積分器(dual
2025-01-17 06:31:23

探索對抗訓(xùn)練的概率分布偏差:DPA雙概率對齊的通用域自適的目標(biāo)檢測方法

? 論文標(biāo)題:Universal Domain Adaptive Object Detection via Dual Probabilistic Alignment 論文地址: https
2025-01-15 13:45:401248

光耦封裝類型及其特點

系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。以下是一些常見的光耦封裝類型及其特點: 1. DIP(Dual In-line Package) 特點 : 雙列直插式封裝,適用于通過引腳進行焊接的傳統(tǒng)PCB設(shè)計。 引腳數(shù)量固定,通常為4、6或8引腳。 封裝較大,占用空間較多,但易于手工焊接和維修。
2025-01-14 16:37:052684

BSO350N03-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介BSO350N03-VB是一款高性能雙N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,設(shè)計用于中電壓和中電流的應(yīng)用。這款MOSFET采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和雙N溝道配置,能夠在最高30V的漏源極電壓下穩(wěn)定工作,并提供每個溝道最大6.8A的漏極電流。其設(shè)計使其特別適用于電源管理和開關(guān)應(yīng)用,為系統(tǒng)提供高效、可靠的性能。### 詳細(xì)參數(shù)說明-
2025-01-09 14:36:50

BSO330N02K G-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介BSO330N02K G-VB是一款高性能雙N溝道MOSFET,采用SOP8封裝。它采用Trench技術(shù),能夠在20V的漏源極電壓下提供高效的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻。該器件的雙通道設(shè)計使其適用于各種需要N溝道MOSFET的應(yīng)用,能夠有效地進行電源管理、負(fù)載開關(guān)和信號調(diào)節(jié)。### 二、詳細(xì)參數(shù)說明- **型號**:BSO330N02K G-V
2025-01-09 14:35:36

BSO315C-VB一款Dual-N+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介BSO315C-VB 是一款高性能雙N+P溝道MOSFET,采用SOP8封裝,設(shè)計用于中低電壓應(yīng)用。該MOSFET 使用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適用于各種高效能電子系統(tǒng),包括電源管理、負(fù)載開關(guān)以及其他需要高效開關(guān)的應(yīng)用。### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明| 參數(shù)        
2025-01-09 14:34:21

BSO305N-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**BSO305N-VB** 是一款雙通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 SOP8。該 MOSFET 采用先進的 Trench 技術(shù),專為中等電流和高效率應(yīng)用設(shè)計。其漏源極電壓(VDS)為 30V,門源極電壓(VGS)最大為 ±20V,適用于多種驅(qū)動條件。BSO305N-VB 提供了兩個 N 溝道 MOSFET 的配置,使其在設(shè)計中更加
2025-01-09 14:32:52

BSO303P-VB一款Dual-P+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### BSO303P-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介BSO303P-VB 是一款高性能雙P溝道功率MOSFET,采用Trench技術(shù),并封裝在SOP8外殼中。這款MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和中等電流承載能力,適用于各種需要高效能和緊湊設(shè)計的電力電子應(yīng)用場景。### 詳細(xì)的參數(shù)說明- **型號**: BSO303P-VB- **封裝**: SOP8- **配置
2025-01-09 14:25:06

BSO220N03MD G-VB一款Dual-N+N溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介BSO220N03MD G-VB是一款高性能的雙N溝道MOSFET,采用SOP8封裝,設(shè)計用于中低電壓和中電流應(yīng)用。該MOSFET使用Trench技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和雙N溝道配置,能夠在20V的漏源極電壓下穩(wěn)定工作,并提供每個溝道最大7.1A的漏極電流。其設(shè)計使其適用于多種電源管理和開關(guān)應(yīng)用,為系統(tǒng)提供高效、可靠的性能。### 詳細(xì)參數(shù)
2025-01-09 14:18:41

BSO204P-VB一款Dual-P+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 一、產(chǎn)品簡介BSO204P-VB 是一款高性能雙P溝道MOSFET,采用SOP8封裝,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET 使用Trench技術(shù),具有較低的導(dǎo)通電阻和適中的電流處理能力,適用于需要高效能和高可靠性的電子系統(tǒng),尤其是在功率管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中。### 二、詳細(xì)的參數(shù)說明| 參數(shù)         &n
2025-01-09 14:16:07

BSO203P-VB一款Dual-P+P溝道SOP8的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**BSO203P-VB** 是一款高性能雙P溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝形式為SOP8。該MOSFET設(shè)計用于負(fù)電壓應(yīng)用,具有-20V的漏源電壓(VDS)和最大20V的柵源電壓(VGS)。其低導(dǎo)通電阻和寬閾值電壓范圍使其在各種負(fù)電壓電源管理和開關(guān)應(yīng)用中提供高效的性能和穩(wěn)定性。### 參數(shù)說明- **型號**: BSO20
2025-01-09 14:12:16

BSL315P-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介BSL315P-VB是一款雙管P溝道MOSFET,封裝形式為SOT23-6。該MOSFET支持-20V的漏極-源極耐壓和±12V的柵極-源極耐壓,具有-0.6V的門檻電壓。采用Trench技術(shù)制造,具有較低的導(dǎo)通電阻,適合用于各種低電壓開關(guān)和電源管理應(yīng)用。### 參數(shù)說明- **型號**: BSL315P-VB- **封裝**: SOT23-
2025-01-09 11:46:00

BSL215P-VB一款Dual-P+P溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

**產(chǎn)品簡介:**BSL215P-VB 是一款雙通道 P+P-Channel MOSFET,封裝為 SOT23-6,設(shè)計用于低電壓開關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET 的 VDS(漏極-源極最大電壓)為 -20V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±12V,漏極電流 ID 達(dá)到 -4A。其導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 為 100mΩ(在 VGS=2.5V 時)和 75mΩ(在
2025-01-09 11:38:37

BSL214N-VB一款Dual-N+N溝道SOT23-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介BSL214N-VB 是一款雙 N-Channel MOSFET,封裝為 SOT23-6。它具有較低的導(dǎo)通電阻和寬廣的門檻電壓范圍,適合用于需要雙 MOSFET 配置的應(yīng)用,如電源管理和開關(guān)電路。### 詳細(xì)參數(shù)說明- **型號**: BSL214N-VB- **封裝**: SOT23-6- **類型**: 雙 N-Channel- **漏源
2025-01-09 11:37:11

BSD235N-VB一款Dual-N+N溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介**型號**: BSD235N-VB  **封裝**: SC70-6  **配置**: 雙N溝道MOSFET(N+N)  **技術(shù)**: 溝槽型技術(shù)### 詳細(xì)參數(shù)說明- **VDS**: 20V (漏源極電壓)- **VGS**: ±12V (柵源極電壓)- **Vth**: 0.5~1.5V (柵源極閾值電壓
2025-01-09 11:13:11

BSD235C-VB一款Dual-N+P溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

### 產(chǎn)品簡介BSD235C-VB是一款雙管N+P溝道MOSFET,封裝形式為SC70-6。該MOSFET支持±20V的漏極-源極耐壓,適用于雙極性電源設(shè)計。具有1.0V的N溝道門檻電壓和-1.2V的P溝道門檻電壓。該器件采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻,適用于各種開關(guān)和電源管理應(yīng)用。### 參數(shù)說明- **型號**: BSD235C-VB- **封裝
2025-01-09 11:05:08

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