/ZB25LQ系列、3.0V標(biāo)準(zhǔn)的ZB25VQ/ZB25D系列,以及支持1.8V/3.3V寬電壓工作的ZB25WD/ZB25WQ系列,容量范圍從1Mbit至256Mbit,可滿足不同應(yīng)用場景的存儲(chǔ)需求。
2026-01-05 16:11:01
29 FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲(chǔ)器至關(guān)重要。今天,我們就來深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09
367 12月23日,欣旺達(dá)第100萬顆684Ah疊片電芯順利下線。自今年9月684Ah疊片電芯正式啟動(dòng)量產(chǎn)以來,欣旺達(dá)僅用3個(gè)月時(shí)間完成百萬級(jí)規(guī)模生產(chǎn)交付,標(biāo)志著大容量疊片電芯已進(jìn)入穩(wěn)定、成熟的規(guī)?;圃祀A段。
2025-12-30 16:25:59
627 深入解析AT25SF2561C/AT25QF2561C:高性能SPI串行閃存的技術(shù)探秘 在電子設(shè)備的世界里,閃存作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的關(guān)鍵組件,其性能和功能直接影響著設(shè)備的運(yùn)行效率和穩(wěn)定性。今天,我們將深入
2025-12-26 17:45:12
417 探索Atmel AT27C256R:高性能OTP EPROM的卓越之選 在電子工程師的設(shè)計(jì)工具箱中,尋找一款可靠、高效且性能卓越的存儲(chǔ)器至關(guān)重要。Atmel AT27C256R作為一款低功耗、高性能
2025-12-25 17:10:19
315 磁吸數(shù)據(jù)線在移動(dòng)設(shè)備使用場景中越來越受到青睞。昆旺精密工業(yè)股份有限公司憑借多年深耕精密連接器與線材制造領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢,推出了全新一代磁吸數(shù)據(jù)線產(chǎn)品,集合了便捷收納、多接口支持與66瓦快充技術(shù),成為
2025-12-23 15:59:49
116 片上 FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主 FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
1、主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-12-23 08:28:04
全球存儲(chǔ)器缺貨、價(jià)格飆漲的風(fēng)口下,力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產(chǎn)能余量的工廠快速落地存儲(chǔ)器產(chǎn)能,雙方已敲定三種合作方向,只待力積電最終確認(rèn)。
2025-12-22 11:43:22
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旺宏MX35LF2GE4AD-Z4I 2Gb Serial NAND Flash具備-40℃~85℃工業(yè)級(jí)寬溫、60,000次擦寫壽命及10年數(shù)據(jù)保存能力,支持133MHz高速讀取與x4總線傳輸,以高可靠性、高耐久性與靈活適配性,為工業(yè)PLC提供穩(wěn)定、高效的存儲(chǔ)解決方案,滿足嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境長期運(yùn)行需求。
2025-12-15 09:54:00
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作為長期深度參與嵌入式存儲(chǔ)器硅智財(cái)與硬件安全技術(shù)開發(fā)的企業(yè),力旺電子很榮幸在此次論壇中分享對(duì)先進(jìn)晶片演進(jìn)與安全架構(gòu)發(fā)展的觀察與實(shí)踐。
2025-12-12 09:29:44
240 正是這一年,閃迪(Sandisk)創(chuàng)立,此后長期深耕閃存領(lǐng)域,并以一系列革命性突破定義了行業(yè)軌跡,成為全球閃存技術(shù)存儲(chǔ)行業(yè)的標(biāo)桿。 專業(yè)從事閃存技術(shù)研發(fā)與存儲(chǔ)產(chǎn)品制造,閃迪早在1991年就推出全球首款基于閃存技術(shù)的商用型固態(tài)硬盤,
2025-12-11 08:58:59
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在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及各類嵌入式系統(tǒng)中。
2025-12-08 15:20:44
293 閃爍 Delay_ms(300); LED2_OFF(); Delay_ms(300);}} } for(i=0;i<256;i++)//準(zhǔn)備寫入FLASH存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)
2025-12-05 08:22:19
旺宏電子MX35LF2GE4AD-Z4I是一款2Gb串行NAND Flash芯片,采用Quad SPI接口,支持104MHz高速讀寫與-40℃~85℃工業(yè)級(jí)工作溫度,為工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-28 09:26:00
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新唐(Nuvoton)重磅推出全球首款 RGB x TOF 融合相機(jī),以創(chuàng)新架構(gòu)打破二維視覺邊界,為消費(fèi)電子與工業(yè)自動(dòng)化注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-11-26 17:07:36
595 在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44
272 安森美 (onsemi) N24C256X 256Kb^I2C^CMOS串行電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器采用低功耗CMOS技術(shù),內(nèi)部組織為32.768字,每字8位。此電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器支持標(biāo)準(zhǔn)
2025-11-22 17:31:20
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11月12日,景旺電子第六屆全球供應(yīng)商峰會(huì)隆重召開。本屆峰會(huì)以“凝聚共識(shí),同創(chuàng)未來”為主題,來自全球各地近四百位合作企業(yè)的高層代表與景旺電子管理干部齊聚一堂,共商發(fā)展大計(jì),攜手構(gòu)建高效、敏捷、透明的可持續(xù)供應(yīng)鏈。
2025-11-17 11:34:24
462 電子和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供了理想的存儲(chǔ)解決方案。這款256Kb容量、SPI接口的非易失性存儲(chǔ)器,正在重新定義嵌入式存儲(chǔ)的性能標(biāo)準(zhǔn)。
2025-11-13 11:23:46
210 片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。
●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
2025-11-12 07:34:35
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中,存儲(chǔ)器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯(cuò)誤校正(ECC)能力,為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲(chǔ)解決方案。
2025-11-05 16:21:39
284 在當(dāng)今對(duì)數(shù)據(jù)持久性與系統(tǒng)可靠性要求極高的企業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)據(jù)中心中,Everspin推出的自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM(STT-MRAM)存儲(chǔ)器——EMD4E001G-1Gb,憑借其卓越的性能與獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢,成為眾多高性能存儲(chǔ)解決方案中的亮點(diǎn)。
2025-11-05 14:34:28
280 在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲(chǔ)器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲(chǔ)器,以高達(dá)35
2025-10-24 16:36:03
532 MX25L25645GM2I-08G是旺宏電子推出的256Mb大容量SPI NOR Flash存儲(chǔ)芯片,工作電壓2.7V–3.6V,支持最高133MHz時(shí)鐘頻率與芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP),具有工業(yè)級(jí)溫度
2025-10-24 09:55:00
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近日,曙光存儲(chǔ)推出面向金融的可信AI存儲(chǔ),助力金融行業(yè)高效、安全、穩(wěn)定地使用關(guān)鍵業(yè)務(wù)敏感數(shù)據(jù)。該方案基于全球領(lǐng)先的集中式全閃存儲(chǔ)FlashNexus,構(gòu)建“真存算分離”架構(gòu),保障金融可信AI應(yīng)用,滿足金融行業(yè)的AI治理、信創(chuàng)深化雙重戰(zhàn)略。
2025-10-23 09:24:22
551 STMicroelectronics M24M02E-U 2Mbit I^2^C兼容電子擦除可編程只讀存儲(chǔ)器內(nèi)部組織為256K x 8位。其工作電源電壓為1.6V至5.5V、時(shí)鐘頻率最高可達(dá)1MHz
2025-10-15 14:37:12
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近日,在IDC最新發(fā)布的全球企業(yè)存儲(chǔ)系統(tǒng)季度跟蹤報(bào)告中,戴爾科技集團(tuán)再度蟬聯(lián)全閃存存儲(chǔ)供應(yīng)商收入榜首!
2025-10-15 14:19:16
1562 XT25F64F 3.3V Quad I/O 串行閃存 —— 高性能存儲(chǔ)解決方案 隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、工業(yè)自動(dòng)化、汽車電子以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對(duì)高速、低功耗、高可靠性存儲(chǔ)器件的需求日益
2025-10-15 10:40:41
382 MXIC旺宏電子MX25L25645GM2I-08G NOR Flash以256Mb容量、104MHz Octa SPI接口及-40℃~105℃車規(guī)級(jí)可靠性,為智能車燈控制系統(tǒng)提供高速數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與固件執(zhí)行支持,確保自適應(yīng)光形調(diào)節(jié)的微秒級(jí)響應(yīng)與長期運(yùn)行穩(wěn)定性。
2025-10-11 09:45:00
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基混合架構(gòu)芯片,攻克新型二維信息器件工程化關(guān)鍵難題。這也是全球首顆成功融合二維超快閃存與成熟硅基工藝的功能芯片。 芯片集成良率高達(dá)94.3%,支持8-bit指令操作和32-bit高速并行操作與隨機(jī)尋址。 OpenAI拉上巨頭豪賭AI基建 OpenAI近期通過與
2025-10-10 18:20:05
1664 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)近日,SK 海力士宣布全球率先完成第六代高帶寬存儲(chǔ)器(HBM4)的開發(fā),并同步進(jìn)入量產(chǎn)階段,成為首家向英偉達(dá)等核心客戶交付 HBM4 的存儲(chǔ)廠商。 ? 據(jù)悉,SK
2025-09-17 09:29:08
5962 在萬物互聯(lián)與智能終端飛速發(fā)展的時(shí)代,存儲(chǔ)器件的性能、可靠性與小型化成為設(shè)備創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。RSUNTECH重磅推出的RSUN2M串行閃存存儲(chǔ)器,以卓越性能、極致設(shè)計(jì)與全面保障,為各類智能設(shè)備注入高效
2025-08-19 15:23:27
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P24C256H是I2C兼容的串行EEPROM(電可擦除可編程存儲(chǔ)器)設(shè)備。它包含一個(gè)256Kbits (32Kbytes)的內(nèi)存陣列,每頁64bytes。
2025-08-08 17:05:23
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隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn),可再生能源,尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)器可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,因此對(duì)可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求,F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲(chǔ)器)的優(yōu)異特性得以發(fā)揮。
2025-08-08 14:41:06
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電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,日前,存儲(chǔ)廠商旺宏電子表示,不會(huì)直接以MLC NAND顆粒應(yīng)對(duì)市場,而是以eMMC形式出貨,相關(guān)產(chǎn)品與搭配的控制器均已準(zhǔn)備就緒。MLC產(chǎn)品線因營收占比低,未揭露具體數(shù)據(jù),但公司
2025-08-08 09:12:13
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近日,隨著最后一塊頂板混凝土完成澆筑,景旺電子(泰國)有限公司項(xiàng)目(后文簡稱“項(xiàng)目”)主體結(jié)構(gòu)順利封頂。這一進(jìn)展標(biāo)志著該項(xiàng)目自此邁入設(shè)備安裝與投產(chǎn)籌備的新階段,為景旺電子深化國際化戰(zhàn)略、拓展高端電子市場注入強(qiáng)勁動(dòng)力。
2025-07-30 16:32:38
1090 HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
2025-07-18 14:30:12
2949 近日,由DOIT傳媒主辦的“存力覺醒 AI未來——2025全球閃存峰會(huì)”在南京盛大召開。此次峰會(huì)匯聚了全球存儲(chǔ)領(lǐng)域精英,深入探討在人工智能浪潮中,閃存技術(shù)如何賦能數(shù)字化轉(zhuǎn)型,推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展邁向新高度。
2025-07-15 13:55:44
1607 近日,由DOIT傳媒主辦的2025全球閃存峰會(huì)(FMW 2025) 在南京盛大開幕。本屆峰會(huì)以“存力覺醒 AI未來”為主題,聚焦以閃存和內(nèi)存芯片為核心的存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)創(chuàng)新與變革。作為國內(nèi)CXL技術(shù)
2025-07-11 16:12:50
1420 的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器(此處簡稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同,閃存的特點(diǎn)是NVM,其記錄速度也非常快。
Intel是世界上第一個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年,公司
2025-07-03 14:33:09
增強(qiáng)了AP8000系列設(shè)備對(duì)芯片的兼容能力。 W25X05CLSN(512K位)串行閃存存儲(chǔ)器為空間、引腳和電源受限的系統(tǒng)提供了存儲(chǔ)解決方案。W25X05CLSN所具備的靈活性和性能,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了普通的串行閃存設(shè)備。它們非常適合代碼下載應(yīng)用,也可用于存儲(chǔ)語音、文本和數(shù)據(jù)。
2025-06-30 13:43:06
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導(dǎo)體旗下北京中電華大電子設(shè)計(jì)有限責(zé)任公司攜eSIM、安全NFC、智能網(wǎng)聯(lián)汽車SE、安全MCU等多領(lǐng)域安全芯片解決方案驚艷,全新發(fā)布國內(nèi)首顆通過“GSMA eSA認(rèn)證”的安全芯片CIU98_G50,吸引全球與會(huì)者的廣泛關(guān)注。
2025-06-30 10:59:16
1697 在全球汽車產(chǎn)業(yè)加速向新能源與智能化轉(zhuǎn)型的浪潮下,連接器作為電子設(shè)備的“血脈”,正面臨高頻高速傳輸、微型化設(shè)計(jì)與環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)的多重挑戰(zhàn)。 國際巨頭長期主導(dǎo)的市場格局下,本土廠商如何以技術(shù)革新打破壟斷
2025-06-26 11:21:32
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2025年3月初,芯旺微電子成功通過全球頂級(jí)Tier1企業(yè)的供應(yīng)商導(dǎo)入審核,標(biāo)志著公司在車規(guī)芯片領(lǐng)域正式邁入國際一流供應(yīng)鏈體系。該審核項(xiàng)目于2023年9月啟動(dòng),歷時(shí)18個(gè)月,期間雙方通過多次深度交流
2025-06-24 16:35:04
1941 
,是信息時(shí)代的基石。
2. 核心分類:斷電后數(shù)據(jù)還在嗎?
這是最根本的分類依據(jù):
易失性存儲(chǔ)器:斷電后數(shù)據(jù)立刻消失。
特點(diǎn):速度快,通常用作系統(tǒng)運(yùn)行的“工作臺(tái)”。
代表:DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2025-06-24 09:09:39
14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,它結(jié)合了ROM(只讀存儲(chǔ)器)和RAM(隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)的優(yōu)點(diǎn),具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:41
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近期,芯片燒錄領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)推出其燒錄軟件的重大版本更新。在新版本發(fā)布之際,公司同步宣布新增多款兼容芯片型號(hào),其中包括旺宏電子開發(fā)的MX25U51245G串行NOR閃存存儲(chǔ)器。該芯片已成功完成
2025-05-20 16:27:37
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(SHA-256)的質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能和512位用戶可編程EPROM。附加存儲(chǔ)器為SHA-256操作儲(chǔ)存密鑰。每款器件帶有唯一的64位ROM注冊(cè)碼(ROM ID),由工廠刻入芯片。DS28E15所
2025-05-14 13:59:53
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算法(SHA-256)的質(zhì)詢—響應(yīng)安全認(rèn)證功能,支持高度安全的雙向認(rèn)證。2Kb用戶可編程EPROM為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ),附加安全存儲(chǔ)器保存SHA-256操作密鑰和用戶存儲(chǔ)器設(shè)置。每款器件帶有唯一
2025-05-14 13:50:48
502 
(SHA-256)的高度加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能。512位用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ),附加的保護(hù)存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)SHA-256算法的讀保護(hù)密鑰以及用戶存儲(chǔ)器控制設(shè)置。每個(gè)
2025-05-14 11:43:34
793 
(SHA-256)的高度加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能。2Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ),附加的安全存儲(chǔ)器儲(chǔ)存用于SHA-256算法的讀保護(hù)密鑰以及用戶存儲(chǔ)器控制設(shè)置。每個(gè)器件都
2025-05-14 11:34:36
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(SHA-256)的加密、雙向、質(zhì)詢-響應(yīng)安全認(rèn)證功能以及小型信息摘要加密功能。3Kb用戶可編程EEPROM陣列為應(yīng)用數(shù)據(jù)提供非易失存儲(chǔ),附加的保護(hù)存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)SHA-256操作的一組讀保護(hù)密鑰以及用戶存儲(chǔ)器
2025-05-14 11:28:35
866 
以及用戶存儲(chǔ)器保護(hù)控制的設(shè)置。每片器件都擁有唯一的64位ROM識(shí)別碼(ROM ID),由工廠寫至芯片。唯一的ROM ID用作加密運(yùn)算的基本輸入?yún)?shù),也作為應(yīng)用中的電子序列號(hào)。雙向安全模型允許主機(jī)系統(tǒng)
2025-05-14 09:51:44
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? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存器層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運(yùn)算
2025-05-09 10:21:09
618 在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗(yàn)證可靠性的核心工具。根據(jù)測試序列長度與存儲(chǔ)單元數(shù)N的關(guān)系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
2025-05-07 09:33:37
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載譽(yù)同行!大族數(shù)控榮獲景旺電子2024年度「最佳創(chuàng)新獎(jiǎng)」! 2021-2023連續(xù)三年獲得景旺電子“策略合作獎(jiǎng)” 景旺電子是內(nèi)資PCB龍頭,在高端汽車電子與AI服務(wù)器PCB領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先優(yōu)勢。作為景旺
2025-04-30 09:15:59
1154 UV-EPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)與使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)與使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法, 特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法 ,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-04-16 16:04:56
3.3 存儲(chǔ)器映射 前文所述,寄存器與RAM、FLASH一樣都是芯片內(nèi)部的一種存儲(chǔ)設(shè)備。那么,當(dāng)我們需要訪問它們的時(shí)候,我們需要知道它們的存儲(chǔ)地址。 3.3.1 存儲(chǔ)器映射表 如下圖所示為RA6M5
2025-04-16 15:52:09
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非易失性存儲(chǔ)器(NVM)芯片廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備中,從智能手機(jī)、個(gè)人電腦到服務(wù)器和工業(yè)控制系統(tǒng),都是不可或缺的關(guān)鍵組件,它們不僅提高了數(shù)據(jù)的安全性和可靠性,還極大地增強(qiáng)了系統(tǒng)的整體性能。此外,為了滿足
2025-04-10 14:02:24
1333 單片機(jī)與存儲(chǔ)器的關(guān)系像什么?單片機(jī)里的存儲(chǔ)都是一樣的嗎?為什么有的單片機(jī)既有EEPROM又有Flash?
2025-04-10 10:06:01
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人工智能與高性能計(jì)算(HPC)正以空前的速度發(fā)展,將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND閃存等傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)揮到極致。為了滿足人工智能時(shí)代日益增長的需求,業(yè)界正在探索超越傳統(tǒng)存儲(chǔ)技術(shù)的新興存儲(chǔ)技術(shù)。
2025-04-03 09:40:41
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我使用 __DATA (RAM3) 聲明我的 RAM
和我的外部閃光燈使用 __TEXT(EXT_FLASH)
不知何故,當(dāng)我編譯程序時(shí),鏈接器將外部 RAM 的數(shù)據(jù)放在外部 RAM 和內(nèi)部閃存中......
我不知道為什么會(huì)這樣......這是 Bug 嗎?這種內(nèi)存分配一開始真的有效嗎?
2025-03-21 07:32:28
隨著汽車智能化加速演進(jìn),傳感器技術(shù)正向集成化、微型化、低功耗方向迭代。矽力杰率先推出國內(nèi)首顆車規(guī)級(jí)數(shù)字環(huán)境光傳感器SA88137AS22-J00,該器件憑借小封裝、超高靈敏度及低功耗,為智能座艙環(huán)境
2025-03-11 18:03:40
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本書主要介紹了UV-EPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法,閃速存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)和使用方法,EEPROM的結(jié)構(gòu)和使用方法, SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,特殊的SRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,DRAM的結(jié)構(gòu)與使用方法,
2025-03-07 10:52:47
全球嵌入式非易失性內(nèi)存(eNVM)解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子,與旗下專注于PUF(物理不可克隆功能)安全I(xiàn)P的子公司熵碼科技,今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密(PQC)解決方案。此
2025-03-05 11:43:10
999 AT24C64是一款串行電可擦除編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM),存儲(chǔ)容量為8192字節(jié),分為256頁,每頁32字節(jié)。 具有低功耗CMOS技術(shù),自定時(shí)編程周期,支持SOP-8和DIP-8封裝。 適用于智能儀器儀表、筆記本電腦、計(jì)算機(jī)、家用電器、汽車電子、通信設(shè)備和工業(yè)控制
2025-02-28 15:48:09
3 DS2502為1K位只添加存儲(chǔ)器,用于識(shí)別并存儲(chǔ)產(chǎn)品的相關(guān)信息。產(chǎn)品批號(hào)或特殊的產(chǎn)品信息可以通過最少的接口訪問—例如,微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2502具有一個(gè)工廠光刻注冊(cè)碼,其中包括:48位唯一
2025-02-28 10:15:15
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DS2505為16k位只添加存儲(chǔ)器,可以識(shí)別和存儲(chǔ)與產(chǎn)品相關(guān)的信息。這個(gè)標(biāo)簽或特殊產(chǎn)品的信息可以通過最少的接口訪問,例如微控制器的一個(gè)端口引腳。DS2505有一個(gè)工廠刻度的注冊(cè)碼,其中包括:48位
2025-02-27 16:31:15
1064 
/USART
外設(shè):DMA,I2S,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù):88
程序存儲(chǔ)容量:256KB(256K x 8)
程序存儲(chǔ)器類型:閃存
EEPROM 容量:-
RAM 大小:32K x 8
電壓
2025-02-20 17:53:42
特點(diǎn)4Gb雙數(shù)據(jù)速率3(DDR3(L))DRAM是一種高速CMOS SDRAM,包含4294967296位。它內(nèi)部配置為八進(jìn)制存儲(chǔ)體DRAM。4Gb芯片由64Mbit x 8 I/O x 8存儲(chǔ)體
2025-02-20 11:44:07
特點(diǎn)
2025-02-19 16:24:27
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶) SanDisk閃迪日前展示了其最新研發(fā)的高帶寬閃存(HBF),這是一種專為 AI 領(lǐng)域設(shè)計(jì)的新型存儲(chǔ)器架構(gòu)。 ? 圖源:閃迪官網(wǎng) ? 在設(shè)計(jì)上,HBF結(jié)合了3D
2025-02-19 00:51:00
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? 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)是現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中不可或缺的核心組件,廣泛應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備及高性能計(jì)算領(lǐng)域。本文將探討DRAM的基本工作原理、存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)及制造工藝演進(jìn),并分析
2025-02-14 10:24:40
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MTFC64GAZAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:46:05
MTFC32GASAQHD-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量為
2025-02-14 07:45:22
MTFC128GBCAQTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:44:29
MTFC128GAVATTC-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備卓越的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:43:46
MTFC128GASAQJP-AAT是一款高性能的eMMC存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量存儲(chǔ)的需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)性能和能效,適用于多種應(yīng)用場景。目前可提供數(shù)量
2025-02-14 07:42:49
MT28EW256ABA1LJS-0SIT是一款高性能的NOR閃存存儲(chǔ)器,由MICRON制造,專為滿足各種電子設(shè)備的存儲(chǔ)需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品具備出色的存儲(chǔ)密度和快速的讀寫速度,適用于多種應(yīng)用場景。目前
2025-02-14 07:29:58
? 非易失性存儲(chǔ)器是一種應(yīng)用于計(jì)算機(jī)及智能手機(jī)等設(shè)備中的存儲(chǔ)裝置(存儲(chǔ)器),其特點(diǎn)是在沒有外部電源的情況下仍能保存數(shù)據(jù)信息。本文將介紹非易失性存儲(chǔ)器的類型、特點(diǎn)及用途。 什么是非易失性存儲(chǔ)器
2025-02-13 12:42:14
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特點(diǎn)FM24C256E提供262144位串行電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM),由32768個(gè)8字組成每個(gè)位,具有128位UID和64字節(jié)安全性部門,大大提高了可靠性內(nèi)部ECC邏輯。該設(shè)備
2025-02-11 14:34:13
數(shù)顯千分表的數(shù)據(jù)如何用存儲(chǔ)器進(jìn)行接收
2025-02-11 06:01:54
產(chǎn)品概述Adesto AT45DB321E 是一款高性能的串行閃存存儲(chǔ)器,具有 32Mb 的存儲(chǔ)容量,采用 SPI 接口進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。該產(chǎn)品專為嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì),提供快速的數(shù)據(jù)讀寫能力
2025-02-09 22:26:30
初學(xué)者要了解SDRAM需要先了解存儲(chǔ)器分類。按照存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)功能劃分,可將其分為RAM 和 ROM 兩大類。
2025-02-08 11:24:51
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在數(shù)字存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展中,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其獨(dú)特的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,成為了連接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)與只讀存儲(chǔ)器(ROM)之間的重要橋梁。本文將深入探討閃速存儲(chǔ)器的技術(shù)特性、分類及其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2025-01-29 16:53:00
1683 本文旨在深入探討閃速存儲(chǔ)器的歸屬問題,即它是否屬于RAM或ROM,同時(shí)詳細(xì)闡述閃速存儲(chǔ)器的功能與作用。
2025-01-29 15:21:00
1590 閃速存儲(chǔ)器之所以得名“閃速”,主要源于其擦除操作的高效性。傳統(tǒng)的EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)在擦除數(shù)據(jù)時(shí),往往需要較長的時(shí)間,且操作相對(duì)繁瑣。而閃速
2025-01-29 15:14:00
1378 在信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天,閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)以其高速度、大容量和非易失性的特性,成為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要成員。而U盤,作為閃速存儲(chǔ)器的一種常見應(yīng)用形式,更是憑借其便攜性和易用性,在
2025-01-29 15:12:00
1449 高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)是內(nèi)存的一種特殊形式,但它與通常所說的主存儲(chǔ)器(RAM)有所不同。在計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)體系中,Cache位于CPU和主存儲(chǔ)器之間,用于存儲(chǔ)CPU近期訪問過的數(shù)據(jù)或指令,以加快數(shù)據(jù)的訪問速度。
2025-01-29 11:48:00
3394 國內(nèi)首顆!支持ONFI 5.0 的TW6501 SATA SSD存儲(chǔ)芯片
2025-01-21 16:33:05
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近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月呈現(xiàn)下滑趨勢。為應(yīng)對(duì)這一不利局面,各大存儲(chǔ)器廠商紛紛采取減產(chǎn)措施,旨在平衡市場供求關(guān)系,進(jìn)而穩(wěn)定
2025-01-20 14:43:55
1095 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN-881: 通過LIN—協(xié)議4進(jìn)行Flash/EE存儲(chǔ)器編程.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-14 16:12:44
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-271: 高速緩沖存儲(chǔ)器在Blackfin處理器中的應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:18:17
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-302:ADSP-BF53x Blackfin處理器與NAND FLASH存儲(chǔ)器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 14:03:23
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-132:使用VisualDSP將C代碼和數(shù)據(jù)模塊放入SHARC存儲(chǔ)器中.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-07 13:55:19
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:11
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-286:SDRAM存儲(chǔ)器與SHARC處理器的接口.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 15:47:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-213:Blackfin處理器通過異步存儲(chǔ)器接口進(jìn)行主機(jī)通信.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 10:09:19
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-349:ADSP-2146xDDR2存儲(chǔ)器電路板設(shè)計(jì)指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-05 09:21:41
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評(píng)論