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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>最新Z-Rec 650V結(jié)型肖特基勢(shì)壘(JBS) 二極管系列

最新Z-Rec 650V結(jié)型肖特基勢(shì)壘(JBS) 二極管系列

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2025-06-12 14:15:12

合科泰肖特基二極管有什么優(yōu)勢(shì)

在現(xiàn)代電子電路中,肖特基二極管憑借其獨(dú)特的物理特性,成為高頻、低壓場(chǎng)景的核心器件。這類(lèi)二極管核心結(jié)構(gòu)為金屬 - 半導(dǎo)體結(jié)(肖特基結(jié)),以“快、省、穩(wěn)”三大核心優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、新能源汽車(chē)
2025-05-20 10:48:571085

肖特基二極管的特點(diǎn)是什么?

在電子電路的二極管家族中,肖特基二極管猶如一位“短跑健將”,憑借獨(dú)特的物理結(jié)構(gòu)和電氣特性,在高頻整流、快速開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景中占據(jù)不可替代的地位。與傳統(tǒng)硅基PN結(jié)二極管不同,它通過(guò)“金屬-半導(dǎo)體結(jié)”(肖特基
2025-05-15 15:36:421822

Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴(kuò)大碳化硅 (SiC) 產(chǎn)品組合,推出五款高性能、低品質(zhì)因數(shù) (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
2025-05-12 16:06:34897

肖特基二極管在開(kāi)關(guān)電源中的作用

肖特基二極管是一種由金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)層為基礎(chǔ)制成的二極管,也可稱為肖特基勢(shì)壘二極管,屬于金屬半導(dǎo)體結(jié)二極管。作為一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件,其主要特點(diǎn)是正向?qū)▔航敌?、反向恢?fù)時(shí)間短和開(kāi)關(guān)損耗小,因此廣泛應(yīng)用在變頻器、開(kāi)關(guān)電源、模塊電源、驅(qū)動(dòng)電路等場(chǎng)合。
2025-05-06 17:45:471830

高效節(jié)能新選擇!SST2045DPSL 肖特基二極管助力電子設(shè)備性能升級(jí)

SST2045DPSL是江西薩瑞微電子推出的一款高性能硅肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱。專為追求高效率、低損耗的電子設(shè)備設(shè)計(jì)。SST2045DPSL
2025-04-24 14:40:04788

二極管擴(kuò)散電容和勢(shì)電容(可下載)

二極管的結(jié)電容分兩種:勢(shì)電容和擴(kuò)散電容。而一般數(shù)據(jù)手冊(cè)給到的結(jié)電容參數(shù),通常指的是勢(shì)電容上面這個(gè)是ES1J超快恢復(fù)二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)的結(jié)電容參數(shù)Cj=8pF。同時(shí)我們知道,對(duì)于常用的二極管來(lái)說(shuō),它有
2025-04-24 13:21:340

高溫環(huán)境下的MDD肖特基二極管設(shè)計(jì):如何避免熱失效?

在高溫環(huán)境下,肖特基二極管(SchottkyDiode)以其低正向壓降和快速開(kāi)關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源系統(tǒng)中。然而,由于其PN結(jié)被金屬-半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)取代,其溫度特性與普通PN結(jié)
2025-04-17 12:39:51635

肖特基二極管vs超快恢復(fù)二極管:哪種MDD高效率整流管更適合你的應(yīng)用?

的器件成為工程師的重要決策點(diǎn)。1.工作原理對(duì)比?肖特基二極管(SchottkyDiode)采用金屬-半導(dǎo)體結(jié)(MS結(jié))結(jié)構(gòu),載流子為多數(shù)載流子(電子)。具有低正向壓
2025-04-01 09:46:011667

PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件

PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是碳化硅(SiC)二極管的理想替代品,可提供與其相當(dāng)?shù)男屎碗妷航殿~性能,同時(shí)具有硅二極管的價(jià)格優(yōu)勢(shì)和供應(yīng)保證。
2025-03-27 13:46:55862

SiC MOSFET與肖特基勢(shì)壘二極管的完美結(jié)合,提升電力轉(zhuǎn)換性能

使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591046

二極管種類(lèi)及應(yīng)用

、開(kāi)關(guān)二極管、快速恢復(fù)二極管等;接構(gòu)類(lèi)型來(lái)分,又可分為半導(dǎo)體結(jié)二極管,金屬半導(dǎo)體接觸二極管等;按照封裝形式則可分為常規(guī)封裝二極管、特殊封裝二極管等。下面以用途為例,介紹不同種類(lèi)二極管的特性。
2025-03-08 16:39:09

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝。其通過(guò)了 AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行等特性,正向電壓具有
2025-02-28 18:21:04899

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220I - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:52:15811

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝。該產(chǎn)品通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正
2025-02-28 17:21:08850

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝。通過(guò) AEC - Q101認(rèn)證,具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-28 17:12:48792

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、可高頻運(yùn)行、正向電壓具有正溫度系數(shù)
2025-02-27 18:25:13833

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-27 17:59:06713

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44805

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 220 - 2,具備超快速
2025-02-27 17:11:28674

Vishay推出多款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的650 V和1200 V SiC肖特基二極管,提升高頻應(yīng)用效率

40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V,QC僅為56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35763

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 252 - 2。具備超快速
2025-02-26 18:01:16854

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和RoHS標(biāo)準(zhǔn)。封裝形式為 TO - 263 - 2。具備超快速
2025-02-26 17:40:46774

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220F - 2 封裝,符合 AEC - Q101 和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:25:48806

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006I2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220I - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作
2025-02-26 17:07:13727

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn)和 RoHS標(biāo)準(zhǔn)。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向
2025-02-26 16:54:52783

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P6D06004T2 為 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2封裝。具有超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流、100% 經(jīng)過(guò) UIS
2025-02-25 18:13:42813

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高
2025-02-25 17:44:07772

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO-220-2 封裝,符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、高頻操作、正向電壓正溫度系數(shù)、高浪涌電流
2025-02-25 17:03:23871

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06002T2 是一款耐壓 650V 的 SiC 肖特基二極管,采用 TO - 220 - 2 封裝,符合 AEC - Q101、RoHS標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵。具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻
2025-02-25 16:01:30888

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二極管數(shù)據(jù)手冊(cè)

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 263 - 2 封裝,符合 AEC - Q101 標(biāo)準(zhǔn),無(wú)鹵且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。產(chǎn)品具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)
2025-02-25 15:44:15791

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二極管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二極管,采用 TO - 252 - 2 封裝,符合 AEC - Q101標(biāo)準(zhǔn),具備超快速開(kāi)關(guān)、零反向恢復(fù)電流、適用于高頻操作、正向電壓具有正溫度
2025-02-25 14:18:58844

快恢復(fù)二極管肖特基二極管的異同點(diǎn)解析

在電力電子和開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)中,快恢復(fù)二極管肖特基二極管是兩類(lèi)高頻應(yīng)用中的核心器件。盡管兩者均用于整流和開(kāi)關(guān)場(chǎng)景,但其工作原理、性能特點(diǎn)及適用場(chǎng)景存在顯著差異。一、結(jié)構(gòu)差異快恢復(fù)二極管(FRD)結(jié)構(gòu)
2025-02-24 15:37:561812

RB530S40-Q肖特基勢(shì)壘二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-19 17:32:300

BAT721A肖特基勢(shì)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-14 15:03:110

RB751V45通用肖特基二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 11:47:130

RB530S40肖特基勢(shì)壘二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 11:26:280

MBR40150CT肖特基二極管規(guī)格參數(shù)詳情

肖特基二極管(Schottky diode), 肖特基二極管的物理結(jié)構(gòu)基于金屬- N 半導(dǎo)體結(jié),因而具有很低的正向壓降和極快的開(kāi)關(guān)速度。
2025-01-24 15:54:441146

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