解決這些問(wèn)題來(lái)的。這款600V、4A輸出的驅(qū)動(dòng)器，用更強(qiáng)的抗干擾、更高的效率以及更簡(jiǎn)潔的高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，能讓高壓驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)變得更省心、更可靠。它主要有哪些特點(diǎn)？
扛得住干擾，穩(wěn)得住高壓：能承受600V
2026-01-04 08:59:29
WD6208A是一款專(zhuān)為安防攝像頭設(shè)計(jì)的IR-CUT驅(qū)動(dòng)芯片，集成雙向馬達(dá)驅(qū)動(dòng)功能。支持TTL邏輯控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)、強(qiáng)制制動(dòng)及待機(jī)模式，提供200mA持續(xù)/500mA峰值驅(qū)動(dòng)電流，適配2V-18V寬
2025-12-31 16:18:39
214 
邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，以更少的元件實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定高效的高壓驅(qū)動(dòng)。核心特性
高集成度設(shè)計(jì)：芯片內(nèi)部集成了自舉二極管，省去了外部添加該分立器件的需要，簡(jiǎn)化了電路布局并提升了可靠性。
高壓耐受與強(qiáng)抗擾：支持最高600V
2025-12-31 08:22:18
IR21592和IR21593是集調(diào)光鎮(zhèn)流器控制和600V半橋驅(qū)動(dòng)功能于一體的集成電路。其獨(dú)特的架構(gòu)采用了無(wú)變壓器的燈功率傳感和調(diào)節(jié)相位控制
2025-12-30 17:25:19422 自適應(yīng)鎮(zhèn)流器控制IC，深入了解它的特性、參數(shù)、工作模式以及保護(hù)功能。 文件下載： IR2520DSTRPBF.pdf 一、產(chǎn)品特性概述 IR2520D(S)是將完整的自適應(yīng)鎮(zhèn)流器控制器和600V半橋驅(qū)動(dòng)
2025-12-28 15:50:12404 全方位保護(hù)功能的600V鎮(zhèn)流器控制芯片，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)各類(lèi)熒光燈而設(shè)計(jì)。其最大的亮點(diǎn)在于將PFC（功率因數(shù)校正）、
2025-12-24 17:25:09474 主流產(chǎn)品。如今，國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)加速，深圳爭(zhēng)妍微電子推出的600V快恢復(fù)二極管TO-220封裝型號(hào)，憑借精準(zhǔn)的參數(shù)匹配與穩(wěn)定的供貨能力，成為BYV26C的優(yōu)質(zhì)替代選擇
2025-12-23 14:43:34948 
在工業(yè)電機(jī)、新能源逆變器或大功率電源中，驅(qū)動(dòng)電路的可靠性直接決定整體性能。面對(duì)高壓環(huán)境下的噪聲干擾、開(kāi)關(guān)損耗以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜等實(shí)際挑戰(zhàn)，SiLM22868提供了一種扎實(shí)的解決方案。這款600V
2025-12-23 08:36:15
。
主流芯片選型與關(guān)鍵參數(shù)
芯片型號(hào)
類(lèi)型
耐壓/供電
輸出能力
核心特性
適用場(chǎng)景
IR2130（英飛凌）
三相柵極驅(qū)動(dòng)器
母線≤600V；VCC 10–20V
源0.25A/灌0.5A
自舉浮動(dòng)通道
2025-12-08 03:54:37
高壓濾波車(chē)規(guī)電容在600V耐壓條件下的應(yīng)用與換電站接口電壓穩(wěn)定性保障 隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，換電模式作為重要的能源補(bǔ)給方式正獲得廣泛應(yīng)用。在換電站系統(tǒng)中，高壓濾波電容作為關(guān)鍵電子元件，其性能
2025-12-05 15:11:03269 這些挑戰(zhàn)的核心。概述：專(zhuān)為高壓高效應(yīng)用優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)核心SiLM22868是一款面向工業(yè)與新能源領(lǐng)域的單芯片半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器。其核心價(jià)值在于，在標(biāo)準(zhǔn)的SOP8封裝內(nèi)，集成了600V耐壓、4A對(duì)稱(chēng)驅(qū)動(dòng)電流
2025-12-03 08:25:35
ES1J SMA/DO-214AC特快恢復(fù)二極管，電流:1A 600V
2025-11-26 17:02:47
0 英集芯IP2332N是一款應(yīng)用于TWS耳機(jī)充電倉(cāng)、智能穿戴設(shè)備、無(wú)人機(jī)、電動(dòng)工具的單節(jié)鋰電池DC-DC充電芯片。支持標(biāo)準(zhǔn)鋰電池（4.20V）及磷酸鐵鋰電池（3.5V～4.4V定制電壓），輸入耐壓高達(dá)30V，最大充電電流2.4A。
2025-11-25 11:42:09353 
鈞敏科技主推之一的PT5606/PT5607 600V 高壓柵極驅(qū)動(dòng) IC，憑借高耐壓、強(qiáng)驅(qū)動(dòng)、全保護(hù)的核心優(yōu)勢(shì)，成為高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)選方案。
2025-11-24 15:55:201808 ，配合290ns死區(qū)時(shí)間從硬件層面防止橋臂直通。2.高可靠性設(shè)計(jì)600V耐壓為380V工業(yè)系統(tǒng)提供充足余量，瞬態(tài)負(fù)壓耐受能力抑制電機(jī)反電動(dòng)勢(shì)引起的電壓尖峰。低di/dt柵極驅(qū)動(dòng)增強(qiáng)抗干擾能力，適應(yīng)嘈雜
2025-11-24 08:31:44
一、概述：高性能半橋驅(qū)動(dòng)SLM2181CA-DG是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，具備獨(dú)立的高邊和低邊參考輸出通道。核心優(yōu)勢(shì)在于600V的高耐壓能力、450mA/950mA的非對(duì)稱(chēng)
2025-11-21 08:35:25
的可靠性600V耐壓為380V工業(yè)母線系統(tǒng)提供充足余量，其負(fù)壓耐受能力可抑制寄生電感引起的電壓尖峰。2.集成化與成本優(yōu)化相比分立方案，單芯片集成高低邊驅(qū)動(dòng)可減少光耦或隔離電源數(shù)量，降低BOM復(fù)雜度和布板
2025-11-20 08:47:23
柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中，無(wú)論是新能源汽車(chē)的電驅(qū)電控、光伏逆變器、工業(yè)變頻器，其核心都離不開(kāi)柵極驅(qū)動(dòng)器的精準(zhǔn)控制。
2025-11-18 14:30:16998 
的CMTI確保了在極高的dV/dt噪聲環(huán)境下，驅(qū)動(dòng)信號(hào)依然干凈、無(wú)毛刺，從根本上避免誤觸發(fā)。10A的峰值電流則能應(yīng)對(duì)SiC/GaN器件更高的開(kāi)關(guān)頻率和柵極電容需求，確保其快速、高效開(kāi)關(guān)。
“車(chē)規(guī)級(jí)”可靠性
2025-11-15 10:00:15
Vishay Semiconductors Gen 5 600V超快和極快整流器將低導(dǎo)通和低開(kāi)關(guān)損耗完美結(jié)合在一起。該整流器設(shè)計(jì)用于提高高頻轉(zhuǎn)換器和軟開(kāi)關(guān)或諧振設(shè)計(jì)的效率。Gen 5 600V超快和極快整流器與采用SOT-227封裝的銅基板隔離，有助于構(gòu)建常見(jiàn)散熱片和緊湊型組件。
2025-11-14 17:12:221224 
US2J SMA/DO-214AC超快恢復(fù)二極管，電流：2A 600V
2025-11-12 17:18:250 US1J SMA/DO-214AC超快恢復(fù)二極管，電流：1A 600V
2025-11-12 16:44:050 Vishay VLMB2332和VLMTG2332標(biāo)準(zhǔn)SMD MiniLED采用預(yù)成型 封裝，引線框架封裝在明亮的白色熱塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的緊湊尺寸。迷你LED非常適用于設(shè)計(jì)用于苛刻環(huán)境的小型大功率產(chǎn)品，可靠性高。
2025-11-12 16:32:16516 RS1J SMA/DO-214AC快恢復(fù)二極管，電流：1A 600V
2025-11-10 17:10:450 RS2J SMA/DO-214AC快恢復(fù)二極管電流：2A 600V
2025-11-07 17:23:120 ES2J SMA/DO-214AC特快恢復(fù)二極管，電流：2A 600V
2025-11-06 17:22:520 STMicroelectronics STEVAL-CTM011V1主流壓縮機(jī)解決方案是一款基于STSPIN32F0601Q控制器的三相逆變器。該解決方案內(nèi)置一個(gè)三相600V柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)Arm
2025-10-31 11:45:59429 
? Cortex?-M0 + CPU的STM32G031x8x3 MCU。該器件還包括一個(gè)600V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)smartSD比較器，用于快速過(guò)載和過(guò)流保護(hù)。該控制器集成了高壓自舉二極管、防交叉
2025-10-22 11:29:194442 
柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中，無(wú)論是新能源汽車(chē)的電驅(qū)電控、光伏逆變器,，還是工業(yè)變頻器，其核心都離不開(kāi)柵極驅(qū)動(dòng)器的精準(zhǔn)控制。
2025-10-21 11:50:041972 
600V、4A/4A 半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)SiLM2285，超強(qiáng)抗干擾、高效驅(qū)動(dòng)、高邊直驅(qū)設(shè)計(jì)三大核心優(yōu)勢(shì)，解決工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)拖動(dòng)、新能源逆變及儲(chǔ)能設(shè)備中的驅(qū)動(dòng)難題，實(shí)現(xiàn)對(duì)高壓、高功率MOSFET
2025-10-21 09:09:18
STDRIVEG610具有 單輸入控制 和 引導(dǎo)操作，只需極少的外部組件即可實(shí)現(xiàn)高效的高側(cè)和低側(cè)切換。該設(shè)備支持高達(dá)600V 的高側(cè)驅(qū)動(dòng)器，并在低端和高端均包含欠壓鎖定 (UVLO) 保護(hù)，以確保安全運(yùn)行
2025-10-17 14:12:56390 
STMicroelectronics STDRIVEG611半橋柵極驅(qū)動(dòng)器是用于N溝道增強(qiáng)模式GaN的高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。高側(cè)驅(qū)動(dòng)器部分設(shè)計(jì)能夠承受高達(dá)600V的電壓軌，并且可以輕松由集成自舉二極管
2025-10-16 17:42:30655 
DRV8300是100V三半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300D使用集成自舉二極管和用于高側(cè) MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。該
2025-10-14 15:30:54798 
DRV8770器件提供兩個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。集成自舉二極管和外部電容器為高側(cè) MOSFET 產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，而 GVDD 驅(qū)動(dòng)低側(cè) MOSFET 的柵極。柵極驅(qū)動(dòng)架構(gòu)支持高達(dá) 750mA 的柵極驅(qū)動(dòng)電流和 1.5A 的灌電流。
2025-10-14 11:42:20524 
DRV3233-Q1 是一款集成式智能柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 12V 和 24V 汽車(chē)三相 BLDC 應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET
2025-10-11 13:53:051209 
DRV8363-Q1 是一款集成式智能柵極驅(qū)動(dòng)器，適用于 48V 汽車(chē)三相 BLDC 應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET
2025-10-11 09:40:32656 
BM64378S-VA是將柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復(fù)二極管一體化封裝的智能電源模塊（IPM），集成 600V/35AIGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器（HVIC/LVIC）、自舉二極管
2025-10-05 16:14:001253 
BM63377S-VA是將柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管、IGBT、再生用快速反向恢復(fù)二極管一體化封裝的智能電源模塊（IPM）。集成 600V/30AIGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器（HVIC/LVIC）、自舉二極管
2025-10-05 15:47:001267 
英集芯IP2332是一個(gè)應(yīng)用于無(wú)人機(jī)、電動(dòng)工具、TWS耳機(jī)、智能穿戴設(shè)備的單節(jié)鋰電池同步降壓充電管理SOC芯片。最大充電電流2.4A，5V輸入、3.7V/2A條件下轉(zhuǎn)換效率達(dá)92%。支持標(biāo)準(zhǔn)鋰電池及磷酸鐵鋰電池。
2025-09-29 12:33:50754 
限制柵極驅(qū)動(dòng)電流：防止驅(qū)動(dòng)芯片輸出過(guò)大電流損壞MOSFET柵極氧化層（通常柵極電壓不超過(guò)±20V）2.控制開(kāi)關(guān)數(shù)度：通過(guò)調(diào)節(jié)Rg阻值改變柵極充電/放電速度，影響MO
2025-09-27 10:17:54794 
柵極驅(qū)動(dòng)器是連接控制芯片和功率開(kāi)關(guān)、實(shí)現(xiàn)高低壓隔離的安全橋梁。在電子電力系統(tǒng)中，無(wú)論是新能源汽車(chē)的電驅(qū)電控、光伏逆變器、工業(yè)變頻器，其核心都離不開(kāi)柵極驅(qū)動(dòng)器的精準(zhǔn)控制。
2025-09-26 11:45:202365 
如何在柵極驅(qū)動(dòng)板中，將隔離側(cè)的-15v電源轉(zhuǎn)為可調(diào)的-15至-4v輸出呢？
2025-09-22 17:20:01
Texas Instruments DRV832860V三相柵極驅(qū)動(dòng)器是一款集成柵極驅(qū)動(dòng)器，用于三相應(yīng)用。該器件提供三個(gè)半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件
2025-09-22 13:58:18729 
SiLM2234 600V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，支持290mA拉電流和600mA灌電流輸出能力，專(zhuān)為高壓、高功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成自舉二極管，顯著簡(jiǎn)化外部電路設(shè)計(jì)，具備優(yōu)異的抗負(fù)向
2025-09-11 08:34:41
在工業(yè)電機(jī)控制、新能源逆變器及大功率開(kāi)關(guān)電源等高壓應(yīng)用領(lǐng)域，系統(tǒng)設(shè)計(jì)長(zhǎng)期面臨著高壓干擾、驅(qū)動(dòng)效率低下以及高邊驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)復(fù)雜的核心痛點(diǎn)。為應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，600V半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)芯片SiLM2285
2025-09-05 08:31:35
國(guó)硅集成NSG2153D 600V自振蕩半橋MOSFET/IGBT電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片一、概述NSG2153D是一款高壓、高速功率MOSFET自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)芯片。NSG2153D其浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N
2025-09-04 10:10:41
在工業(yè)高壓電源系統(tǒng)中，電解電容作為關(guān)鍵元器件，其性能直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。冠坤電解電容600V高耐壓系列憑借其卓越的性能和穩(wěn)定的表現(xiàn)，成為高壓電路中的"扛把子"，為工業(yè)高壓電源系統(tǒng)提供
2025-09-02 15:44:42630 數(shù)明半導(dǎo)體即將推出 SiLM2234、SiLM2206 和 SiLM2207 三款 600V、290mA/600mA 半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)換新系列產(chǎn)品。
2025-08-28 11:20:591932 
在跨國(guó)工業(yè)供電、數(shù)據(jù)中心及精密設(shè)備場(chǎng)景中，電壓不匹配與電網(wǎng)干擾是核心痛點(diǎn)——美國(guó)本土常見(jiàn)的600V級(jí)電網(wǎng)（480V線電壓）與全球通用的380V工業(yè)電機(jī)、208V服務(wù)器、220V精密儀器存在電壓壁壘
2025-08-27 10:42:19800 
，是各種高壓半橋和全橋拓?fù)涞暮?jiǎn)潔解決方案。核心優(yōu)勢(shì)解析：
高壓與強(qiáng)驅(qū)動(dòng)力： 芯片的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)支持高達(dá)600V的工作電壓，并能耐受負(fù)壓瞬變，抗dV/dt性能好。提供450mA拉電流和950mA灌電流
2025-08-26 09:15:40
代替IR2186，為600V以下的MOSFET和IGBT應(yīng)用提供高性?xún)r(jià)比的單芯片驅(qū)動(dòng)方案。核心優(yōu)勢(shì)：高壓驅(qū)動(dòng)與可靠保護(hù)的完美結(jié)合SiLM2186CA-DG的核心價(jià)值在于其卓越的電氣性能和強(qiáng)大的系統(tǒng)保護(hù)
2025-08-23 09:36:06
AiP44273L是一款低側(cè)單通道的柵極驅(qū)動(dòng)電路。該電路主要用于驅(qū)動(dòng)低壓功率MODFET和IGBT。輸入兼容CMOS和TTL電平，輸入電壓范圍能兼容-5V~15V。
2025-08-13 11:36:201847 
600V/4A/4A半橋門(mén)極驅(qū)動(dòng)器（SOP8封裝），正是為解決這些難題而生，為工業(yè)與新能源應(yīng)用提供高效、可靠的驅(qū)動(dòng)解決方案。核心技術(shù)突破，直擊行業(yè)痛點(diǎn)：
超強(qiáng)抗干擾能力： 卓越的抗負(fù)向瞬態(tài)電壓與dV/dt
2025-08-08 08:46:25
IR600 CLI 如何保存配置？
2025-08-06 07:51:09
：SLM21867CA-DG是一款高壓(600V)、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)半橋或類(lèi)似拓?fù)渲械母哌吅偷瓦呴_(kāi)關(guān)而設(shè)計(jì)。其最大亮點(diǎn)在于直接兼容替代IRS21867S，且封裝同為緊湊的SOP8
2025-07-29 08:46:54
2153X系列是高壓、高速功率自振蕩半橋驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品線。 2153X浮動(dòng)通道可用于驅(qū)動(dòng)高低側(cè)N溝道功率MOSFET/IGBT，浮地通道最高工作電壓可達(dá)600V。內(nèi)置死區(qū)保護(hù)電路，可以有效防止高低側(cè)功率管直通。2153X全系列內(nèi)置自舉電路，可以簡(jiǎn)化芯片外圍電路。
2025-07-28 14:02:551912 
IP2332V采用同步降壓架構(gòu)，相較于傳統(tǒng)線性充電方案，其轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)95%，顯著降低充電過(guò)程中的能量損耗。芯片支持4.5V至18V寬電壓輸入范圍，兼容多種電源適配器，包括QC3.0/PD快充
2025-07-26 16:31:341091 、接觸器、電機(jī)控制器等多種場(chǎng)景，為電路提供可靠的保護(hù)。該產(chǎn)品具備快速響應(yīng)特性，能在電路出現(xiàn)過(guò)載或短路情況時(shí)迅速切斷電路，有效保障用電安全。其額定電壓為 600V A
2025-07-16 08:48:52
運(yùn)行。
堅(jiān)固耐用可靠： “模擬二極管”無(wú)老化、寬溫工作、高隔離等級(jí)（SMP8封裝，CTI>600V）及關(guān)鍵安規(guī)認(rèn)證。
#SLMi350DB-DG #SLMi350 #隔離驅(qū)動(dòng)器 #門(mén)極驅(qū)動(dòng)器
2025-07-11 09:51:26
600V/0.5A快恢復(fù)二極管
省去外部器件，BOM成本降低15%
負(fù)壓導(dǎo)致柵極擊穿
VS端耐受-7V瞬態(tài)電壓
電機(jī)堵轉(zhuǎn)時(shí)保護(hù)柵氧層完整性
地彈引起誤觸發(fā)
施密特觸發(fā)+ -5V邏輯容限
在焊接設(shè)備等強(qiáng)EMI
2025-06-25 08:34:07
設(shè)計(jì)，工作電壓范圍6V 至 50V，設(shè)計(jì)人員可以通過(guò)兩個(gè)模擬引腳輕松配置驅(qū)動(dòng)器，用一個(gè)簡(jiǎn)單的電阻分壓器設(shè)置柵極驅(qū)動(dòng)器的驅(qū)動(dòng)電流，
2025-06-24 15:04:351931 圣邦微電子推出 36V 車(chē)規(guī)級(jí)電源電壓監(jiān)測(cè)芯片 SGM880xQ，憑借其高精度、低功耗及車(chē)規(guī)級(jí)可靠性，成為汽車(chē)電子和工業(yè)電源監(jiān)控的理想選擇。
2025-06-12 12:50:191688 
一、?概述： ? ? ? ?D2104M是一款高壓、大電流的PWM半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，只需要8~20V的低測(cè)供電，HO/LO端即可輸出0.4的源電流/0.6A的灌電流，驅(qū)動(dòng)功率MOSFET或IGBT
2025-06-11 10:16:11908 
柵極驅(qū)動(dòng)IC
矽塔的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案具有全系統(tǒng)化、性能高效穩(wěn)定的產(chǎn)品特點(diǎn)，同時(shí)可為客戶(hù)有效降低方案成本， 可用于60-900V 雙NMOS柵極驅(qū)動(dòng)，P+N MOS驅(qū)動(dòng)和單NMOS驅(qū)動(dòng)。我矽塔的柵極
2025-06-07 11:26:34
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，為開(kāi)發(fā)者帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能，提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
2025-06-04 14:44:581135 ? 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出一款適用于600V級(jí)高耐壓GaN HEMT驅(qū)動(dòng)的隔離型柵極驅(qū)動(dòng)器IC“ BM6GD11BFJ-LB ”。通過(guò)與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件
2025-06-04 14:11:4646770 
柵極驅(qū)動(dòng)IC
矽塔的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案具有全系統(tǒng)化、性能高效穩(wěn)定的產(chǎn)品特點(diǎn)，同時(shí)可為客戶(hù)有效降低方案成本， 可用于60-900V 雙NMOS柵極驅(qū)動(dòng)，P+N MOS驅(qū)動(dòng)和單NMOS驅(qū)動(dòng)。我矽塔的柵極
2025-05-30 15:20:34
? ? ? ? BDR6300 是一款三相柵極驅(qū)動(dòng)芯片?？芍苯?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動(dòng)三路NIOS+PMOS 半橋。電路內(nèi)部集成了穩(wěn)定的 5V 輸出電源。? ? ? ?BDR6300 驅(qū)動(dòng)級(jí) MOS 選型更方便。該電路
2025-05-27 17:37:010 ? ? ? ?BDR6307B是一款耐壓600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙 N型 MOS 半橋
2025-05-27 17:21:031 內(nèi)容概要：HPD2606X是一款600V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，采用專(zhuān)有的HVIC和閂鎖免疫CMOS技術(shù)，能夠穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓MOSFET和IGBT。其主要特性包括懸浮通道設(shè)計(jì)、抗dV/dt瞬態(tài)負(fù)電壓能力、寬門(mén)
2025-05-19 11:33:300 新品驅(qū)動(dòng)無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)用三相柵極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板評(píng)估板EVAL-6EDL04I065PR采用英飛凌最新的采SOI技術(shù)的EiceDRVIER柵極驅(qū)動(dòng)器6EDL04I065PR
2025-04-25 17:05:074661 
川土微電子全新推出全國(guó)產(chǎn)化CA-IS3223EHS-Q1半橋柵極驅(qū)動(dòng)器，支持±800V高壓隔離與20V寬電源供電，兼具驅(qū)動(dòng)能力（+1.9A/?2.2A）與低延時(shí)（70ns）特性，為中小功率場(chǎng)景提供高性?xún)r(jià)比解決方案。
2025-04-09 15:01:231129 
新品CIPOSMiniIPM600V15A20A30ATRENCHSTOPIGBT7CIPOSMiniIPMIM06BxxAC1系列在600V等級(jí)中提供15A、20A和30A三個(gè)型號(hào)，額定功率高達(dá)
2025-04-01 17:34:231257 HPD2606X擁有配合自舉電路操作的浮動(dòng)通道設(shè)計(jì)，可穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)高壓側(cè)的功率器件。HPD2606X能耐受負(fù)向瞬態(tài)電壓，抗dV/dt干擾。HPD2606X支持10V~20V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，具備欠壓鎖定功能，可兼容3.3V、5V、15V邏輯電平。
2025-03-26 11:33:37828 
隨著功率半導(dǎo)體IGBT，SiCMOSFET技術(shù)的發(fā)展和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)化，電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用場(chǎng)景越來(lái)越廣，電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅(qū)動(dòng)芯片電流可達(dá)+/-2.3A
2025-03-24 17:43:4010957 芯朋微代理商高低側(cè)柵極電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片-PN7114 一、概述PN7114是一款高壓、高速的功率MOSFET和IGBT驅(qū)動(dòng)芯片，其具有獨(dú)立的高低側(cè)輸出通道。PN7114浮地通道能在600V
2025-03-18 14:28:16
芯朋微代理高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC--PN7113 一 概述PN7113是一款基于P_SUBP_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT高低側(cè)驅(qū)動(dòng)芯片。其浮地通道能工作在600V的高壓
2025-03-18 10:43:17
地通道能工作在600V的高壓下。可用于驅(qū)動(dòng)2個(gè)N溝道功率MOSFET或IGBT構(gòu)成的半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。輸入信號(hào)可以兼容CMOS和LSTTL信號(hào)，邏輯輸入電平低至3.3V
2025-03-17 11:09:55
請(qǐng)大佬看一下我這個(gè)LM5112驅(qū)動(dòng)碳化硅MOS GC3M0065090D電路。負(fù)載電壓60V，電路4A以下時(shí)開(kāi)關(guān)沒(méi)有問(wèn)題，電流升至5A時(shí)芯片失效，驅(qū)動(dòng)輸出電壓為0。
有點(diǎn)無(wú)法理解，如果電流過(guò)大為什么會(huì)影響驅(qū)動(dòng)芯片的性能呢？
請(qǐng)多指教，謝謝！
2025-03-17 09:33:06
的工作電壓可達(dá) 600V，低端 VCC 的電源電壓范圍寬 10V～25V，靜態(tài)功耗低。該芯片具有閉鎖功能防止輸出功率管同時(shí)導(dǎo)通，輸入通道 HIN 和 LIN 內(nèi)建
2025-03-10 09:30:330 LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力，專(zhuān)用于驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集成了輸入邏輯信號(hào)處理電路，支持3.3V~15V
2025-03-08 10:11:281248 
在工業(yè)生產(chǎn)和半導(dǎo)體設(shè)備運(yùn)行中，電網(wǎng)中的雜質(zhì)和諧波問(wèn)題常常導(dǎo)致設(shè)備運(yùn)行不穩(wěn)定，甚至引發(fā)安全隱患。為了解決這一問(wèn)題，卓爾凡電力科技有限公司推出600V變380V加拿大三相隔離變壓器，為您的設(shè)備提供高效
2025-03-05 08:58:06577 
卓爾凡電力科技變壓器，當(dāng)進(jìn)口的加拿大380V半導(dǎo)體設(shè)備在國(guó)內(nèi)600V電網(wǎng)環(huán)境下運(yùn)行時(shí)，電壓不匹配問(wèn)題常常導(dǎo)致設(shè)備無(wú)法正常工作，甚至可能損壞設(shè)備。為解決這一難題，卓爾凡電力科技有限公司推出了600V變
2025-03-05 08:50:52547 
柵極驅(qū)動(dòng)芯片是電子設(shè)備核心元件，用于放大控制信號(hào)，保障穩(wěn)定運(yùn)行。在多個(gè)領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，市場(chǎng)前景好。華普微將推出高性能非隔離式半橋驅(qū)動(dòng)芯片HPD2606X。
2025-03-04 14:34:15146 
。加拿大作為重要的工業(yè)市場(chǎng)，對(duì)電氣設(shè)備的安全性和可靠性有著嚴(yán)格要求。卓爾凡電力科技有限公司推出的600V變380V CSA認(rèn)證變壓器，憑借其卓越的性能和權(quán)威認(rèn)證，為工業(yè)設(shè)備出口加拿大提供了有力支持。 ### 一、CSA認(rèn)證：開(kāi)啟加拿大市場(chǎng)大門(mén) CSA（加拿大標(biāo)
2025-03-03 15:30:41698 
在工業(yè)電力系統(tǒng)中，變壓器的安全性和可靠性一直是核心關(guān)注點(diǎn)。隨著工業(yè)設(shè)備的國(guó)際化需求增加，電壓轉(zhuǎn)換設(shè)備的性能和安全性顯得尤為重要。卓爾凡電源推出的600V變380V無(wú)零線變壓器，憑借其創(chuàng)新的無(wú)零線
2025-03-03 15:25:48674 在全球化背景下，工業(yè)設(shè)備的國(guó)際化適配成為企業(yè)拓展海外市場(chǎng)的重要挑戰(zhàn)之一。尤其是在電力系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)差異顯著的地區(qū)，如北美、歐洲和亞洲，電壓不匹配問(wèn)題常常阻礙設(shè)備的順利出口。600V變380V變壓器憑借其
2025-03-03 15:23:03628 UCC27714 是一款 600V 高側(cè)、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 4A 拉電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動(dòng)功率 MOSFET 或 IGBT。該器件由一個(gè)以地為參考的通道 （LO） 和一個(gè)浮動(dòng)通道
2025-02-26 10:52:531307 
150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲刑峁└蓛舻拈_(kāi)關(guān)和最小的振鈴?？烧{(diào)
2025-02-25 14:07:161148 
該LMG3425R050集成了硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝相結(jié)合，可在硬
2025-02-25 13:38:011017 
LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝
2025-02-24 10:12:19969 
LMG342xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 150V/ns 的開(kāi)關(guān)速度。與分立硅柵極驅(qū)動(dòng)器相比，TI 的集成精密柵極偏置可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān) SOA。這種集成與 TI 的低電感封裝
2025-02-24 09:55:24940 
世平集團(tuán)基于onsemi的柵極驅(qū)動(dòng)器和SiC技術(shù)，開(kāi)發(fā)了一款適用于800V車(chē)用電空調(diào)壓縮機(jī)的解決方案。本文將以世平集團(tuán)的800Ve-CompressorSiC方案為例，深入解析其中采用的安森美(onsemi)柵極驅(qū)動(dòng)器NCV57100的核心特性及其應(yīng)用。
2025-02-21 16:34:51627 
600V 變 380V 以及 600V 變 480V 的變壓器，憑借卓越性能與可靠品質(zhì)，成為眾多行業(yè)的理想選擇。 CSA 認(rèn)證：品質(zhì)與安全的堅(jiān)實(shí)背書(shū) CSA，即加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)認(rèn)證，在加拿大電氣設(shè)備市場(chǎng)擁有至高權(quán)威性。對(duì)于變壓器而言，獲得 CSA 認(rèn)證絕非易事。從設(shè)計(jì)
2025-02-21 14:56:40797 
LMG342XEVM-04X具有兩個(gè)LMG342XR0X0 600-V GaN FET，采用半橋配置，具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，并具有所有所需的偏置電路和邏輯/功率電平轉(zhuǎn)換?；镜墓β始?jí)和柵極驅(qū)動(dòng)
2025-02-21 11:10:42822 
BDR6307B 是一款耐壓 600V 的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，內(nèi)部集成了邏輯信號(hào)輸入處理電路、死區(qū)控制電路、電平位移電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙 N 型 MOS 半橋。
BDR6307B 的邏輯
2025-02-20 10:22:03
濾波電路及輸出驅(qū)動(dòng)電路，更適合用于全橋拓?fù)潆娐贰G2126 高端的工作電壓可達(dá) 600V，低端 VDD 的電源電壓范圍寬 3V～20V。該芯片具有閉鎖功能防止輸
2025-02-19 08:54:50
新品2EP1xxR-頻率和占空比可調(diào)的驅(qū)動(dòng)電源用20V全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驅(qū)動(dòng)電源用全橋變壓器驅(qū)動(dòng)器IC系列，采用緊湊型TSSOP8引腳封裝，具有功率集成和優(yōu)化
2025-01-24 17:04:39944 最大開(kāi)關(guān)頻率是柵極驅(qū)動(dòng)芯片的重要性能指標(biāo)，其表現(xiàn)會(huì)受到驅(qū)動(dòng)芯片的封裝、負(fù)載條件、散熱等多方面因素的制約。此外，如果半橋驅(qū)動(dòng)集成了自舉二極管，功耗的計(jì)算方式也會(huì)有所不同。本應(yīng)用手冊(cè)以NSD1026V為例，詳細(xì)說(shuō)明了柵極驅(qū)動(dòng)芯片在不同條件下最大開(kāi)關(guān)頻率的估算方法及相關(guān)注意事項(xiàng)。
2025-01-24 09:12:233987 
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