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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>新性價(jià)比標(biāo)竿!英飛凌全新600V CoolMOS P6產(chǎn)品系列

新性價(jià)比標(biāo)竿!英飛凌全新600V CoolMOS P6產(chǎn)品系列

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2024-03-07 11:21:02343

德州儀器全新產(chǎn)品系列不斷突破電源設(shè)計(jì)極限, 助力工程師實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度

應(yīng)用提供比之前高八倍以上的功率密度。 ? 中國(guó)上海(2024 年 3 月 6 日)– 德州儀器 (TI)(NASDAQ 代碼:TXN)今日推出兩個(gè)全新的功率轉(zhuǎn)換器件產(chǎn)品系列,可幫助工程師在更小的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的功率,從而以更低的成本提供超高的功率密度。德州儀器新款 100V 集成氮化鎵 (GaN) 功
2024-03-06 14:40:5370

TCL震撼亮相MWC 2024:全新5G產(chǎn)品系列引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新

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2023-12-29 11:18:08

AGM Micro推出STM32兼容MCU產(chǎn)品系列

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2023-12-29 10:52:29

英飛凌科技推出集成溫度傳感器全新CoolMOS S7T產(chǎn)品系列

SSR是各種電子設(shè)備的基本配置,如果能夠?qū)鞲衅骱统Y(jié) MOSFET集成到同一封裝中,客戶便可以獲得多方面的好處。
2023-12-26 15:24:19178

英飛凌推出帶有集成溫度傳感器的全新 CoolMOS S7T

? S7T產(chǎn)品系列。通過(guò)在系統(tǒng)中集成該系列半導(dǎo)體產(chǎn)品,可提升許多電子應(yīng)用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS? S7T具有出色的導(dǎo)通電阻和高精度嵌入式傳感器,最適合用于提高固態(tài)繼電器(SSR)應(yīng)用的性能
2023-12-19 15:22:26900

英飛凌XENSIV系列高無(wú)磁芯電流傳感器產(chǎn)品簡(jiǎn)介

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2023-12-05 11:13:54502

英飛凌推出全新 PSoC Edge產(chǎn)品系列,擴(kuò)展微控制器產(chǎn)品組合,為邊緣應(yīng)用帶來(lái)高性能、高能效的機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)

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2023-11-30 15:55:38422

ADI公司PLL產(chǎn)品系列的最新發(fā)展

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美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強(qiáng)型第六代 600V 超級(jí)結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
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Toshiba發(fā)布用于無(wú)刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的600V小型智能功率器件

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation?("Toshiba")推出了兩款600V小型智能功率器件(IPD)產(chǎn)品,適用于空調(diào)、空氣凈化
2023-10-27 11:13:00301

東芝推出用于直流無(wú)刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)的600V小型智能功率器件

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2023-10-27 11:05:54657

MAX33250E-MAX33251E: 600V Isolated 2Tx/2Rx and 1Tx/1Rx RS-232 Transceiver with ±15kV ESD and Integrated Capacitors Data Sheet MAX33250E-MAX3

with ±15kV ESD and Integrated Capacitors Data Sheet相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有MAX33250E-MAX33251E: 600V Isolated 2Tx/2Rx
2023-10-16 19:27:03

Bourns SiC SBD產(chǎn)品系列已經(jīng)擴(kuò)展到十個(gè)額外型號(hào)

額外的650和1200V SiC SBD型號(hào)滿足當(dāng)今交通、可再生能源和工業(yè)系統(tǒng)的功率密度要求。 Bourns宣布,它在現(xiàn)有的碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)產(chǎn)品系列中增加了十種新的變體
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英飛凌收購(gòu)超寬帶先驅(qū)3db Access,進(jìn)一步加強(qiáng)其連接產(chǎn)品系列

提供商適用于各大汽車品牌。此次收購(gòu)進(jìn)一步增強(qiáng)了英飛凌在安全智能訪問(wèn)、精確定位和增強(qiáng)傳感方面的產(chǎn)品系列。英飛凌現(xiàn)在將UWB添加到其連接范圍中,包括Wi-Fi、Bluetooth?/Bluetooth? 低功耗和NFC解決方案。第一組物聯(lián)網(wǎng)用例包括安全訪問(wèn)和身份驗(yàn)證、準(zhǔn)確位置跟蹤和室內(nèi)導(dǎo)航,以及利用
2023-10-12 17:25:42295

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首款致態(tài)Ti600固態(tài)硬盤(pán)發(fā)布

Ti600的推出豐富了致態(tài)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品系列。至此,致態(tài)固態(tài)硬盤(pán)涵蓋了入門(mén)級(jí)Ti系列、主流級(jí)Plus系列、以及旗艦級(jí)Pro系列系列產(chǎn)品。在未來(lái)致態(tài)品牌也將持續(xù)聆聽(tīng)用戶聲音,關(guān)注用戶體驗(yàn),進(jìn)一步完善和豐富產(chǎn)品線,為廣大用戶提供更好產(chǎn)品和服務(wù)。
2023-09-27 10:06:44314

600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器

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2023-09-25 11:27:500

德州儀器推出全新隔離產(chǎn)品系列,可將高電壓應(yīng)用的使用壽命延長(zhǎng)至 40 年以上

年 9 月 20 日) - 德州儀器 (TI)(NASDAQ 代碼:TXN)今日推出基于信號(hào)隔離半導(dǎo)體技術(shù)的全新光耦仿真器產(chǎn)品系列,旨在提高信號(hào)完整性、降低功耗并延長(zhǎng)高電壓工業(yè)和汽車應(yīng)用的使用壽命。這是德州儀器第一款與業(yè)內(nèi)常見(jiàn)的光耦合器引腳對(duì)引腳兼容的光耦仿真器,
2023-09-20 11:04:22470

德州儀器推出基于信號(hào)隔離半導(dǎo)體技術(shù)的全新光耦仿真器產(chǎn)品系列

) 今日推出基于信號(hào)隔離半導(dǎo)體技術(shù)的全新光耦仿真器產(chǎn)品系列,旨在提高信號(hào)完整性、降低功耗并延長(zhǎng)高電壓工業(yè)和汽車應(yīng)用的使用壽命。這是德州儀器第一款與業(yè)內(nèi)常見(jiàn)的光耦合器引腳對(duì)引腳兼容的光耦仿真器,可無(wú)縫集成到現(xiàn)有設(shè)計(jì)中,同時(shí)能充分發(fā)揮基于
2023-09-20 09:25:11618

英特爾FPGA產(chǎn)品系列再添新成員

今年1月,我們宣布對(duì)Agilex產(chǎn)品系列進(jìn)行擴(kuò)容,以便讓更多用戶能夠體驗(yàn)到廣受贊譽(yù)的Agilex FPGA產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)。我們非常期待在一年一度的IFTD大會(huì)上與客戶和合作伙伴進(jìn)一步分享這一全新FPGA產(chǎn)品系列,并詳細(xì)介紹這些產(chǎn)品在加快可編程創(chuàng)新速度方面帶來(lái)的機(jī)遇。
2023-09-19 16:27:44441

具有800W峰值功率的RACM600-L系列

RACM600-L 系列 AC/DC 電源具有極高的市場(chǎng)知名度和性價(jià)比,該系列增加了 2 個(gè)新的版本,在現(xiàn)有 24V 輸出的基礎(chǔ)上,可提供 12 V 和 48 V 輸出。新產(chǎn)品的峰值功率高達(dá) 800 W。
2023-09-15 11:36:01593

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2023-09-07 08:01:40

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全新高性價(jià)比STM32H5,引入STM32H5 MCU系列用于高性能設(shè)計(jì),提高應(yīng)用程序性能,有靈活的電源模式,安全性可擴(kuò)展
2023-09-05 06:51:14

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代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于近日宣布推出全新的TEGRION?系列安全控制器,這是英飛凌迄今為止最廣泛的28 nm安全控制器產(chǎn)品組合。該系列安全控制器集成了全新的Integrity
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STM32F0產(chǎn)品系統(tǒng)架構(gòu)ARCHITECTURE

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2023-08-01 09:59:000

英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車規(guī)級(jí)器件,用于靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用

,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)(SJ)MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源(SMPS)、太陽(yáng)能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器(SSR)、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器(PLC)
2023-07-28 15:05:301065

ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304-id5s609芯片資料

供應(yīng)ID5S609SEC-R1 600V高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片可代換IR2304,提供id5s609芯片資料關(guān)鍵參數(shù) ,廣泛應(yīng)用于中小型功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)、功率MOSFET或IGBT驅(qū)動(dòng)、半橋功率逆變器
2023-07-20 14:20:134

ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC-ID7U603規(guī)格書(shū)

供應(yīng)ID7U603SEC-R1 600V半橋MOS柵極驅(qū)動(dòng)IC,提供ID7U603規(guī)格書(shū)關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向芯朋微代理商深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-07-20 14:11:044

表面安裝肖特基和PIN二極管產(chǎn)品系列概述

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2023-07-20 10:28:280

Nexperia憑借600 V器件進(jìn)入IGBT市場(chǎng)

除了這些新材料外,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周,Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場(chǎng),推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。
2023-07-18 15:35:53367

CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表(600V-0.8A-Thyristor / Low Power Use )

CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-07-14 09:39:210

RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT Application: Inverter)

RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-14 09:37:470

RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-14 09:26:090

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:19:160

RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-40A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 40A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-13 20:17:310

RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-15A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6005TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 15A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:54:020

RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-10A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-07-13 18:53:520

RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching )

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2023-07-13 18:52:500

RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching)

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2023-07-13 18:52:300

RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-20A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
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RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-30A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode )

RJS6005WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode )
2023-07-13 18:49:070

RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表(600V-30A-IGBT / Application:Current resonance circuit)

RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-07-12 20:22:020

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:430

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 20:21:320

BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-16A-Triac / Medium Power Use)

BCR16PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 16A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:190

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-12A-Triac / Medium Power Use)

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:54:010

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表(600V-8A-Triac / Medium Power Use)

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-07-12 18:53:310

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表(600V-2A -Triac / Low Power Use)

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-07-12 18:53:140

R課堂 | 600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS?產(chǎn)品陣容又增新品

了 “R60xxVNx系列” (含7款機(jī)型)。 此外,高速開(kāi)關(guān)型600V耐壓Super Junction MOSFET產(chǎn)品陣容中也新增了導(dǎo)通電阻更低的 “R60xxYNx系列” (含2款機(jī)型
2023-07-12 12:10:08437

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-10A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:450

RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A81RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:310

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-11 20:41:170

英飛凌推出OptiMOS 7技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列

采用OptiMOS 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON,或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。
2023-07-03 16:11:12677

為什么M031系列是M0微控制器的最佳選擇?

當(dāng)在新的產(chǎn)品硬件設(shè)計(jì)中選擇微控制器時(shí),如何在主流的Arm? Cortex?- M0 的產(chǎn)品線當(dāng)中,選出最適用的微控制器? 是所有設(shè)計(jì)者最棘手的問(wèn)題?,F(xiàn)在不用再煩惱了,新唐科技推出全新
2023-06-15 06:08:04

東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率

線。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu),耐壓600V,適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品,于今日開(kāi)始批量出貨。 ? ? 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比,600V DTMOSVI系列產(chǎn)品
2023-06-13 16:38:50712

英飛凌AURIX?和TRAVEO?系列微控制器擴(kuò)大對(duì)IEC 61508軟硬件技術(shù)指標(biāo)的支持,助力實(shí)現(xiàn)SIL-3級(jí)工業(yè)安全

代碼:IFNNY)推出的AURIX? TC3x和TRAVEO? T2G微控制器產(chǎn)品系列通過(guò)廣泛集成的硬件功能安全與網(wǎng)絡(luò)安全功能來(lái)滿足這些要求。這兩個(gè)產(chǎn)品系列均擴(kuò)大了對(duì)IEC 61508軟硬件技術(shù)指標(biāo)的支持,包括功能安全認(rèn)證所需的所有文件。另外,英飛凌AUTOSAR微控制器MCAL底層驅(qū)動(dòng)軟件產(chǎn)品也支持
2023-06-12 15:03:57394

英飛凌PSoC 6 RTT開(kāi)發(fā)板試用】機(jī)器人機(jī)械臂控制原創(chuàng)開(kāi)源(2) 試用英飛凌產(chǎn)品介紹

接上篇:【英飛凌PSoC 6 RTT開(kāi)發(fā)板試用】機(jī)器人機(jī)械臂控制原創(chuàng)開(kāi)源(1) 開(kāi)箱(產(chǎn)品介紹) - RT-Thread嵌入式技術(shù)論壇 - 電子技術(shù)論壇- 廣受歡迎的專業(yè)電子論壇! https
2023-06-10 15:28:04

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表(600V-12A-Triac / Medium Power Use)

BCR12PM-12LC 數(shù)據(jù)表 (600V - 12A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:01:010

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表(600V-8A-Triac / Medium Power Use)

BCR8PM-12LE 數(shù)據(jù)表 (600V - 8A - Triac / Medium Power Use)
2023-05-15 20:00:230

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表(600V-2A -Triac / Low Power Use)

BCR2PM-12RE 數(shù)據(jù)表 (600V - 2A -Triac / Low Power Use)
2023-05-15 20:00:080

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-10A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A83RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:590

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表(600V-5A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60A01RDPD-A0 數(shù)據(jù)表 (600V - 5A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 19:29:270

THXTEK代理產(chǎn)品:國(guó)民技術(shù)產(chǎn)品系列與解決方案介紹

等多種創(chuàng)新產(chǎn)品。2020年推出的MCU主要分為五大產(chǎn)品系列:i通用基本系列N32G453ii通用增強(qiáng)系列N32G455iii工業(yè)互聯(lián)系列N32G457iv指紋識(shí)別系
2023-04-04 10:55:37535

ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)ups逆變器igbt單管SGT60N60FD1P7 ,提供SGT60N60FD1P7 600v 60a規(guī)格書(shū)參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-04 10:39:344

ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7-士蘭微IGBT代理

供應(yīng)ups逆變器中的igbt管600v 60a SGT60N60FD1P7,是士蘭微IGBT代理,提供SGT60N60FD1P7關(guān)鍵參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>> 
2023-04-04 10:37:48

電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)電機(jī)常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A,提供SGTP50V60FD2PU關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:24:105

50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)50a 600v igbt 驅(qū)動(dòng)電路SGTP50V60FD2PF,提供SGTP50V60FD2PF關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:15:592

SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù)

供應(yīng)SGT30T60SD3PU伺服電機(jī)控制igbt 600V、30A規(guī)格參數(shù),提供SGT30T60SD3PU關(guān)鍵參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 17:09:042

STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù)

供應(yīng)STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源電機(jī)igbt管600V、30A參數(shù),提供SGT30T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:59:562

全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7,提供SGT20T60SDM1P7關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 16:02:491

士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù)

供應(yīng)士蘭微焊機(jī)IGBT單管 驅(qū)動(dòng)SGT20T60SDM1P7 20A、600V參數(shù),提供SGT20T60SDM1P7 關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>> 
2023-04-03 16:01:10

STGF19NC60KD替代料SGT20T60SD1P7 逆變焊機(jī)單管igbt 20A、600V

供應(yīng)STGF19NC60KD替代料SGT20T60SD1P7 逆變焊機(jī)單管igbt 20A、600V,提供SGT20T60SD1P7 關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>  
2023-04-03 15:50:59

5a 600v耐壓igbt SGTP5T60SD1D/F/S可代換AOD5B65M1規(guī)格書(shū)參數(shù)

供應(yīng)5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1DFS規(guī)格書(shū)參數(shù) ,可應(yīng)用于光伏,變頻器,UPS,SMPS以及PFC等領(lǐng)域,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-04-03 14:48:131

SGTP5T60SD1D國(guó)產(chǎn) igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1

 供應(yīng)SGTP5T60SD1D國(guó)產(chǎn) igbt 600v、5a可兼容替代AOD5B65M1 ,提供SGTP5T60SD1D關(guān)鍵參數(shù) ,更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向士蘭微IGBT代理驪微電子申請(qǐng)。>>  
2023-04-03 14:43:53

Melexis推出壓力傳感器芯片完善Melexis無(wú)PCB平臺(tái)產(chǎn)品系列

Melexis推出兩款相對(duì)壓力傳感器芯片,在嚴(yán)苛的介質(zhì)中具有更優(yōu)異的魯棒性。這兩款面向市場(chǎng)推出的超高精度壓力傳感器芯片完善了Melexis無(wú)PCB平臺(tái)產(chǎn)品系列。
2023-04-03 10:35:38777

【世說(shuō)芯品】Microchip擴(kuò)大安全認(rèn)證IC產(chǎn)品系列

微芯科技公司)宣布擴(kuò)大安全認(rèn)證產(chǎn)品系列,推出CryptoAuthentication和CryptoAutomotiveIC系列六款新產(chǎn)品。這些產(chǎn)品符合通用標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)合解釋
2023-04-03 10:32:02312

CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表(600V-0.8A-Thyristor / Low Power Use )

CR08AS-12A 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.8A - Thyristor / Low Power Use )
2023-03-31 19:28:150

RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-37A-IGBT Application: Inverter)

RJH60D5BDPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 37A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-31 19:26:480

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(600V-50A-IGBT/Application: Inverter)

RJH60M7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (600V - 50A - IGBT/Application: Inverter)
2023-03-31 19:11:000

RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表(600V-10A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6004TDPP-EJ 數(shù)據(jù)表 (600V - 10A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:23:430

RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching )

RJK6011DJE 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching )
2023-03-30 19:22:410

RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表(600V-0.1A-MOS FET / High Speed Power Switching)

RJK6011DJA 數(shù)據(jù)表 (600V - 0.1A - MOS FET / High Speed Power Switching)
2023-03-30 19:22:280

RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表(600V-20A-Diode / SiC Schottky Barrier Diode)

RJS6004WDPK 數(shù)據(jù)表 (600V - 20A - Diode / SiC Schottky Barrier Diode)
2023-03-30 19:21:350

RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表(600V-30A-IGBT / Application:Current resonance circuit)

RJH60T04DPQ-A1 數(shù)據(jù)表 (600V - 30A - IGBT / Application:Current resonance circuit)
2023-03-30 18:47:000

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM-80 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:470

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表(600V-22A-IGBT / Application: Inverter)

RJP60V0DPM 數(shù)據(jù)表 (600V - 22A - IGBT / Application: Inverter)
2023-03-30 18:46:340

600V

NUT/SCREWDRIVERSETW/HANDLE2PC
2023-03-29 21:00:14

ir2104驅(qū)動(dòng)芯片代換料ID7U603SEC-R1 600V半橋預(yù)驅(qū)方案

逆變器、全橋驅(qū)動(dòng)逆變器等領(lǐng)域?!?nbsp;ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點(diǎn)  ■ 浮動(dòng)工作電壓可達(dá)600V  ■ 拉灌電流典型值210mA/36
2023-03-29 09:24:35

英飛凌推出適用于低功耗設(shè)備的高度集成的 iMOTION? IMI110 系列模塊

功率模塊(IPM)。該產(chǎn)品系列在緊湊的 DSO-22 封裝中集成了 iMOTION 運(yùn)動(dòng)控制引擎(MCE)、三相柵極驅(qū)動(dòng)器和 600 V/2 A 或 600 V/4 A IGBT。這款集成的電機(jī)控制器
2023-03-27 14:42:30446

IPW60R037CSFD

600V CoolMOSaCSFD功率晶體管
2023-03-27 11:55:40

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