仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向 30V 低壓大電流開關(guān)場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，憑借超低導通損耗、50A 大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應用（如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、大功率負載開關(guān)等）。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時典型值10mΩ，低壓場景下導通損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：50A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）達180A，滿足負載持續(xù)與短時過載需求。

二、核心特性

• 低柵極電荷與快速開關(guān)：柵極電荷特性優(yōu)化，開關(guān)速度優(yōu)異，適配高頻開關(guān)應用（如 PWM 控制的 DC-DC 轉(zhuǎn)換）；
• 雪崩能量指定：單脈沖雪崩能量（\(E_{AS}\)）達45mJ，在感性負載開關(guān)、異常過壓工況下可靠性強；
• 多封裝適配：提供 TO-252 貼片與 TO-251 直插兩種封裝，滿足不同電路布局的量產(chǎn)需求。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 功耗（\(P_D\)）：50W，實際應用需結(jié)合散熱措施（如 PCB 敷銅、散熱焊盤）保障長期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致。

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：
  • TO-252 貼片封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的大電流開關(guān)設計；
  • TO-251 直插封裝，70 片 / 管，滿足傳統(tǒng)插裝式電路的量產(chǎn)需求；
• 典型應用：
  • DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在 30V 級降壓 / 升壓轉(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管，低損耗特性提升電源轉(zhuǎn)換效率；
  • 大功率負載開關(guān)：用于工業(yè)設備、新能源領域的大電流負載切換，50A 電流能力支持設備高效啟動；
  • 開關(guān)類系統(tǒng)：如電源模塊、電機驅(qū)動的開關(guān)回路，實現(xiàn)穩(wěn)定的大電流功率切換。

五、信息來源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際應用需以最新版手冊及器件批次測試數(shù)據(jù)為準。）