仁懋電子（MOT）推出的MOT90N03D是一款面向低壓大電流 DC-DC 轉(zhuǎn)換場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，憑借 30V 耐壓、超低導(dǎo)通損耗及優(yōu)異開關(guān)特性，廣泛適用于高要求 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、高效電源模塊等領(lǐng)域。以下從器件特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景等維度展開說(shuō)明。

一、產(chǎn)品基本信息

MOT90N03D 為N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，核心參數(shù)表現(xiàn)為：

• 漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：30V，適配低壓大電流供電場(chǎng)景；
• 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值4.2mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)時(shí)典型值6.5mΩ，低壓場(chǎng)景下導(dǎo)通損耗極低；
• 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)）：90A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\)時(shí)降額為72A，滿足大電流持續(xù)與短時(shí)過(guò)載需求。

二、核心特性

• 低損耗設(shè)計(jì)：導(dǎo)通損耗與開關(guān)損耗雙重優(yōu)化，\(R_{DS(on)} \times Q_g\)性能達(dá)到行業(yè)標(biāo)桿，適配高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換以實(shí)現(xiàn)高能量效率；
• 低閾值電壓：簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，降低驅(qū)動(dòng)功耗，提升系統(tǒng)兼容性；
• 快速開關(guān)能力：開關(guān)損耗顯著降低，適合高頻 PWM 控制的電源轉(zhuǎn)換場(chǎng)景；
• 高魯棒性表現(xiàn)：?jiǎn)蚊}沖雪崩能量達(dá)363mJ，在感性負(fù)載開關(guān)、異常過(guò)壓工況下可靠性強(qiáng)。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說(shuō)明）

• 柵源極電壓（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，柵極驅(qū)動(dòng)需控制在該范圍以避免氧化層損壞；
• 總功耗（\(P_D\)）：320W，實(shí)際應(yīng)用需結(jié)合散熱設(shè)計(jì)（如散熱焊盤、金屬基板）保障長(zhǎng)期可靠工作；
• 結(jié)溫范圍（\(T_J\)）：-55~+150℃，存儲(chǔ)溫度范圍與結(jié)溫區(qū)間一致；
• 熱特性：結(jié)殼熱阻（\(R_{JC}\)）1.58℃/W，結(jié)環(huán)境熱阻（\(R_{JA}\)）100℃/W，需通過(guò)封裝與 PCB 設(shè)計(jì)優(yōu)化熱管理。

四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景

• 封裝形式：采用TO-252 貼片封裝，每卷 2500 片，適配高密度電路板的大電流電源設(shè)計(jì)；同時(shí)提供 TO-251 直插封裝（對(duì)應(yīng)型號(hào) MOT90N03C，70 片 / 管），滿足傳統(tǒng)插裝需求；
• 典型應(yīng)用：
  • 高要求 DC-DC 轉(zhuǎn)換器：在工業(yè)電源、消費(fèi)電子電源模塊的 DC-DC 轉(zhuǎn)換回路中，作為主開關(guān)管實(shí)現(xiàn)高效能量轉(zhuǎn)換；
  • 高效電源模塊：如服務(wù)器輔助電源、汽車電子低壓電源，利用低損耗特性提升電源效率與可靠性。

五、信息來(lái)源

仁懋電子（MOT）官方產(chǎn)品手冊(cè)（注：以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理，實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。）