。同時(shí)，2019年北京通美也成為全球第四大的砷化鎵襯底供應(yīng)商，砷化鎵襯底銷量突破175萬(wàn)片。 ? ? ? 成立于1998年的北京通美，目前主要產(chǎn)品為磷化銦襯底、砷化鎵襯底、鍺襯底、PBN坩堝、高純金屬及化合物等，應(yīng)用于5G通信、數(shù)據(jù)中心、新一代顯示
2022-07-15 08:10:00
8211 TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：TQNT)，推出完整、經(jīng)濟(jì)高效的 Ka 波段砷化鎵 (GaAs) 射頻芯片組
2012-10-17 15:10:462424 據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進(jìn)集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進(jìn)行部際協(xié)調(diào)。上證報(bào)資訊獲悉，政策扶持的重點(diǎn)將主要集中于集成電路的設(shè)計(jì)和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)，功率半導(dǎo)體將迎來(lái)重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和黃金發(fā)展期。
2014-01-21 09:50:322211 盡管存在硅的競(jìng)爭(zhēng)，但無(wú)線通信的需求將繼續(xù)推動(dòng)砷化鎵市場(chǎng)發(fā)展。
2016-01-07 08:19:552343 以莫倫科夫說(shuō)法來(lái)看，代表高通旗下RF元件采用的PA制程，將由現(xiàn)行CMOS轉(zhuǎn)向砷化鎵，在這個(gè)架構(gòu)下，未來(lái)勢(shì)必還要調(diào)整代工廠，由目前的臺(tái)積電轉(zhuǎn)至穩(wěn)懋、宏捷科這類的砷化鎵代工廠。
2016-02-01 10:33:172061 全球無(wú)線網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施中使用砷化鎵(GaAs)半導(dǎo)體的市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，從2011年的大約2.05億美元達(dá)到2015年約為3.2億美元。
2011-08-30 08:53:081270 我國(guó)車聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀是怎樣的？未來(lái)的發(fā)展機(jī)遇有哪些？車聯(lián)網(wǎng)是近年來(lái)很熱的一個(gè)話題，雖然我國(guó)車聯(lián)網(wǎng)還處在探索發(fā)展期，但是很多人對(duì)車聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展充滿信心，認(rèn)為我國(guó)車聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)潛力大，將在未來(lái)幾年迎來(lái)黃金期
2018-01-23 16:17:31
，在傳統(tǒng)工業(yè)、交通、 建筑等領(lǐng)域脫碳中將扮演重要作用。在此背景下，我們認(rèn)為燃料電池汽車將進(jìn)入 快速發(fā)展的黃金十年，產(chǎn)業(yè)鏈配套的材料、設(shè)備生產(chǎn)商將迎來(lái)巨大成長(zhǎng)機(jī)遇。我 們梳理了主要環(huán)節(jié)如下：1）電堆
2021-06-30 08:10:36
。隨著市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛，這些科研成果有望逐步落地。氧化鎵市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮笱趸?b class="flag-6" style="color: red">鎵產(chǎn)業(yè)化也在進(jìn)行中。去年6月30日，銘鎵半導(dǎo)體完成近億元A輪融資，融資將主要用于氧化鎵項(xiàng)目的擴(kuò)產(chǎn)與研發(fā)，預(yù)計(jì)2023年底將建
2023-03-15 11:09:59
導(dǎo)讀：據(jù)最新的研究表明，到2023年，全球?qū)χ悄芗揖釉O(shè)備的需求將很快超過(guò)智能手機(jī)銷量。
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Strategy Analytics研究顯示， 2017年全球智能家居設(shè)備
2018-06-12 09:25:21
高壓硅二極管具有低正向傳導(dǎo)壓降，但由于其反向恢復(fù)行為，會(huì)在功率轉(zhuǎn)換器中造成顯著的動(dòng)態(tài)損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復(fù)行為可以忽略不計(jì)，但確實(shí)表現(xiàn)出更高的體電容和更大的正向傳導(dǎo)降。由于砷化鎵技術(shù)
2023-02-22 17:13:39
砷化鎵銦微光顯微鏡(InGaAs)與微光顯微鏡(EMMI)其偵測(cè)原理相同，都是用來(lái)偵測(cè)故障點(diǎn)定位，尋找亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)的工具，其原理都是偵測(cè)電子-電洞結(jié)合與熱載子所激發(fā)出的光子。差別
2018-10-24 11:20:30
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
FSU02LG砷化鎵晶體管FSX017WF砷化鎵晶體管FSX027WF砷化鎵晶體管FSX017LG砷化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:21:24
` 本帖最后由 330538935 于 2018-5-25 17:14 編輯
FHX45X 砷化鎵功率管產(chǎn)品介紹FHX45X詢價(jià)熱FHX45X現(xiàn)貨王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限FHX45X是超高
2018-05-25 17:03:59
場(chǎng)效應(yīng)管FLM7185-12F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM7785-4F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM7785-6F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLM7785-8F砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 12:35:14
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來(lái)從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
場(chǎng)效應(yīng)管FLL300IL-1砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLL300IL-2砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLL300IL-3砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLC057WG砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLC097WF砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管FLC107WG砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 12:17:43
SGC1112-100A-R砷化鎵晶體管SGM6901VU砷化鎵晶體管SGM6901VU/001砷化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 12:28:02
SGM6901VU砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹SGM6901VU報(bào)價(jià)SGM6901VU代理SGM6901VU咨詢熱SGM6901VU現(xiàn)貨, 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限SGM6901VU是一種高功率GaN HEMT
2018-06-11 14:29:01
化鎵晶體管SGN36H120M1H砷化鎵晶體管SGNH360M1H砷化鎵晶體管SGN31E030MK砷化鎵晶體管SGK5254-30A-R砷化鎵晶體管深圳市立年電子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:32:19
TGF2040砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2040報(bào)價(jià)TGF2040代理TGF2040咨詢熱線TGF2040現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司, TGF2040是離散的400微米pHEMT由DC至
2018-07-18 12:00:19
TGF2160砷化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2160報(bào)價(jià)TGF2160代理TGF2160咨詢熱線TGF2160現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠(chéng)科技有限公司. TGF2160離散的1600微米pHEMT由DC至
2018-07-19 10:35:47
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)，在多個(gè)電力工程檢測(cè)項(xiàng)目招標(biāo)會(huì)現(xiàn)場(chǎng)中標(biāo)，并與多家大型電力設(shè)備公司達(dá)成合作意向。在銷售額持續(xù)走高的形勢(shì)下，華德利科技將迎來(lái)黃金十月！
2013-09-22 15:30:49
砷化鎵太陽(yáng)電池外延片領(lǐng)域，無(wú)論生產(chǎn)工藝技術(shù)還是企業(yè)管理均處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。公司產(chǎn)業(yè)園占地面積130畝，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)5 億元人民幣，凱迅光電企業(yè)發(fā)展目標(biāo)是5到8年建設(shè)成為全國(guó)最大的砷化鎵電池和四元系
2016-05-05 17:14:17
我的霍爾傳感器是砷化鎵，也是一種測(cè)量磁場(chǎng)的傳感器，兩個(gè)輸入端，兩個(gè)輸出端。我把十二個(gè)砷化鎵串聯(lián)使用，三個(gè)一組，輸入電流保持在1毫安。每一組測(cè)試的時(shí)候，所有的單個(gè)砷化鎵都對(duì)磁場(chǎng)有響應(yīng)，但是把四組串聯(lián)
2016-04-23 16:13:19
被基準(zhǔn)測(cè)試為10kW LLC的輸出整流器（D1-D4）?！ ?b class="flag-6" style="color: red">砷化鎵 這是雙極性技術(shù)，因此具有小而有限的Qrr.由于正向?qū)▔航岛蚎rr在轉(zhuǎn)換器操作中的相互作用，將產(chǎn)生損耗。請(qǐng)注意，寄生體電容明顯低于
2023-02-21 16:27:41
廠商大放異彩。其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩(wěn)懋就是最大的受益者。
穩(wěn)懋：全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭
穩(wěn)懋成立于1999年10月，是亞洲首座以六吋晶圓生產(chǎn)砷化鎵微波通訊芯片的晶圓制造商，自2010年為全球最大
2019-05-27 09:17:13
到來(lái)，隨著無(wú)線技術(shù)越來(lái)越成熟，更多的電子產(chǎn)品都會(huì)將充電、供電無(wú)線化，這是一個(gè)大趨勢(shì)。目前已經(jīng)很多供應(yīng)商爆料蘋(píng)果將在今年為手機(jī)配備無(wú)線充電功能，到時(shí)，很多國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商勢(shì)必會(huì)陸續(xù)跟進(jìn)。無(wú)線充電行業(yè)將會(huì)迎來(lái)巨大
2017-03-30 13:09:12
無(wú)線充電行業(yè)將迎來(lái)春天？國(guó)內(nèi)創(chuàng)業(yè)公司或將再獲投資近日，蘋(píng)果宣布加入WPC無(wú)線充電聯(lián)盟，科技圈對(duì)于無(wú)線充電技術(shù)的行業(yè)前景，突然紛紛表示看好，如果下一代的“十周年”iPhone配置無(wú)線充電技術(shù)，可以想象
2017-03-30 10:52:15
卻在這兩個(gè)指標(biāo)上彰顯出了卓越的性能，同時(shí)，它還具備某些附加的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。氮化鎵的原始功率密度比當(dāng)前砷化鎵和 LDMOS 技術(shù)的高很多，且支持將器件技術(shù)擴(kuò)展到高頻應(yīng)用。氮化鎵技術(shù)允許器件設(shè)計(jì)師在保持高頻率
2017-08-15 17:47:34
請(qǐng)問(wèn)一下VGA應(yīng)用中硅器件注定要改變砷化鎵一統(tǒng)的局面？
2021-05-21 07:05:36
各位大神，目前國(guó)內(nèi)賣銦鎵砷紅外探測(cè)器的有不少，知道銦鎵砷等III-V族化合物外延片都是哪些公司生產(chǎn)的嗎，坐等答案
2013-06-04 17:22:07
納秒級(jí)脈寬砷化鎵激光器陳列:報(bào)導(dǎo)砷化鎵激光器陣列的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。該陣列光束的脈寬約0.7~5ns，近場(chǎng)光斑面積約100mm×6mm;已被用于觸發(fā)高功率電磁脈沖發(fā)生器中的半導(dǎo)體
2009-10-27 10:05:34
11 高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件-JM8630 替代HG-166A 產(chǎn)品描述：JM8630是一款高線性度與優(yōu)異溫度特性的砷化鎵霍爾元件，可替代旭化成HG-166A。砷化鎵（GaAs
2023-03-09 17:42:14
本文在LabVIEW 8.2 開(kāi)發(fā)環(huán)境下，通過(guò)對(duì)反射式高能電子衍射儀(RHEED)原理及樣品砷化鎵GaAs(001)_ａ(2×4)結(jié)構(gòu)模型的表面原子結(jié)構(gòu)進(jìn)行深入探究，編程設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了理論情況下的GaAs(001)_
2009-12-14 15:48:5811 SW-209-PIN砷化鎵匹配 GaAs SPST 開(kāi)關(guān) DC - 3.0 GHz MACOM 的 SW-209-PIN 是一款射頻開(kāi)關(guān)
2023-04-18 15:19:22
Strategy Analytics：砷化鎵和磷化銦支撐光纖網(wǎng)絡(luò)高增長(zhǎng)，模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至4.92億美元
Strategy Analytics 發(fā)布最新研究報(bào)告“光纖模擬芯片市場(chǎng)機(jī)會(huì)：2
2009-08-11 08:30:401063 模擬電路網(wǎng)絡(luò)課件 第十八節(jié):砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
4.2 砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管
砷化鎵（G
2009-09-17 10:43:251376 
1、什么是砷化鎵三五族太陽(yáng)能電池
太陽(yáng)能電池(Solar Cell)可大致分為三代，第一代為硅晶電池，又可大致分為單晶硅與多晶硅兩種，商業(yè)應(yīng)用之歷史最悠久，已被廣泛應(yīng)用
2010-09-14 18:17:546080 全球最大的砷化鎵晶圓代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(3105)即將在12月13日上柜，由于主力客戶Avago是蘋(píng)果iPhone4S最大的贏家，法人預(yù)估穩(wěn)懋第四季EPS可望達(dá)到1元，訂單能見(jiàn)度到明年第一季，且明年?duì)I
2011-11-24 09:08:012130 美國(guó)伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
2012-01-07 11:47:281882 類似矽制程技術(shù)中的BJT與CMOS，砷化鎵制程技術(shù)主要區(qū)分為HBT（異質(zhì)接面雙極性晶體管）與pHEMT（異質(zhì)接面高電子遷移率晶體管）兩大主軸，并被廣泛應(yīng)用于商用與先進(jìn)無(wú)線通訊中的關(guān)鍵零組件。以下針對(duì)
2017-09-20 15:03:246 （二）砷化鎵單晶制備方法及原理 從20世紀(jì)50年代開(kāi)始，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了多種砷化鎵單晶生長(zhǎng)方法。目前主流的工業(yè)化生長(zhǎng)工藝包括：液封直拉法（LEC）、水平布里其曼法（HB）、垂直布里其曼法（VB）以及垂直
2017-09-27 10:30:4244 砷化鎵射頻（RF）元件憑藉著優(yōu)異的雜訊處理及高線性等特色，成為高效能通訊設(shè)備開(kāi)發(fā)人員長(zhǎng)久以來(lái)的首選方案；然而，近來(lái)隨著絕緣層覆矽（SOI）制程技術(shù)的突破，以矽材料為基礎(chǔ)的RF元件性能已大幅突破，成為
2017-11-08 15:46:540 砷化鎵射頻（RF）元件憑藉著優(yōu)異的雜訊處理及高線性等特色，成為高效能通訊設(shè)備開(kāi)發(fā)人員長(zhǎng)久以來(lái)的首選方案；然而，近來(lái)隨著絕緣層覆矽（SOI）制程技術(shù)的突破，以矽材料為基礎(chǔ)的RF元件性能已大幅突破，成為替代砷化鎵方案的新選擇。
2018-04-22 11:51:002661 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料
2018-03-01 14:55:4545809 近日，漢能薄膜發(fā)電集團(tuán)宣布，其砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）已認(rèn)證，漢能Alta高端裝備集團(tuán)（以下簡(jiǎn)稱“Alta”）的砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-12 16:38:2511109 據(jù)悉，近日，漢能砷化鎵（GaAs）技術(shù)再獲重大突破。據(jù)世界三大再生能源研究機(jī)構(gòu)之一的德國(guó)弗勞恩霍夫太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）認(rèn)證，漢能阿爾塔砷化鎵薄膜單結(jié)電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到29.1%，再次刷新世界紀(jì)錄。
2018-11-19 15:31:477945 2018年國(guó)內(nèi)移動(dòng)轉(zhuǎn)售業(yè)務(wù)迎來(lái)正式商用，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入一劑“強(qiáng)心針”。“隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、人工智能等新技術(shù)的快速發(fā)展，2019年多產(chǎn)業(yè)融合將大勢(shì)所趨，移動(dòng)轉(zhuǎn)售業(yè)務(wù)發(fā)展將迎來(lái)新的機(jī)遇。”陳喬宇說(shuō)道。
2019-01-11 09:25:481709 AS179-92LF是一個(gè)PHEMT砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)。該裝置具有插入損耗低、正壓運(yùn)行、直流功耗低的特點(diǎn)。AS179-92LF采用緊湊、低成本2.00 x 1.25 mm、6針SC-70封裝制造。
2019-04-04 08:00:0016 日前，在首屆“南湖之春”國(guó)際經(jīng)貿(mào)洽談會(huì)上，南湖區(qū)簽約45個(gè)項(xiàng)目，總投資超200億元，其中包括砷化鎵集成電路項(xiàng)目。
2019-05-13 16:20:405032 物聯(lián)網(wǎng)將迎來(lái)新的發(fā)展黃金期，其中成熟度較高的智能交通、城市安防、智能電網(wǎng)等投資機(jī)會(huì)將成為未來(lái)幾年物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域。
2019-07-06 09:58:561533 近日消息，研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告指出，由于現(xiàn)行射頻前端元件制造商依手機(jī)通信元件功能需求，逐漸以砷化鎵（GaAs）晶圓作為元件的制造材料，加上5G布建逐步展開(kāi)，射頻元件使用量較4G時(shí)代倍增，預(yù)期GaAs射頻元件市場(chǎng)將自2020年起進(jìn)入新一波成長(zhǎng)期。
2019-07-09 11:37:234289 我們現(xiàn)在之所以能夠通過(guò)Wi-Fi或移動(dòng)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)無(wú)線上網(wǎng)，就是因?yàn)槭謾C(jī)上的無(wú)線通訊模組，而其中關(guān)鍵的射頻元件，則是以砷化鎵材料所制作的功率放大器（PA），甚至連發(fā)射到太空中的人造衛(wèi)星上，也都裝配著穩(wěn)懋半導(dǎo)體生產(chǎn)的砷化鎵芯片。
2020-08-31 10:45:578281 根據(jù)Yole數(shù)據(jù)顯示，2019年下游GaAs元件的市場(chǎng)總產(chǎn)值為88.7億美元，預(yù)計(jì)到2023年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到142.9億美元，2019-2024年GAGR為10%。 此處下游GaAs
2020-10-09 10:34:425020 一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體?；瘜W(xué)式GaAs，分子量144.63，屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入
2020-12-30 10:27:582922 2019年中國(guó)自動(dòng)化市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1865億元，較2018年增長(zhǎng)1.8%。隨著《智能制造發(fā)展規(guī)劃（2016-2020年）》戰(zhàn)略目標(biāo)的逐步實(shí)現(xiàn)，作為智能制造裝備業(yè)重要組成部分的工業(yè)自動(dòng)化控制行業(yè)有望迎來(lái)良好的發(fā)展機(jī)遇。
2021-02-18 17:51:313719 
據(jù)IDC預(yù)計(jì)，到2023年國(guó)內(nèi)折疊屏產(chǎn)品出貨量將超過(guò)100萬(wàn)臺(tái)，折疊屏手機(jī)將迎來(lái)空前爆發(fā)式發(fā)展。
2021-02-23 10:47:283813 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供氮化鎵、砷化鎵和LDMOS將共存嗎？資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-14 08:42:117 HMC788A：0.01千兆赫至10千兆赫，單片集成電路，砷化鎵，PHEMT射頻增益擋路數(shù)據(jù)表
2021-04-23 14:53:3910 半導(dǎo)體合格測(cè)試報(bào)告：砷化鎵SD-A(QTR：2014-00094)
2021-04-24 19:00:0310 砷化鎵電池及砷化鎵LED綜述
2021-08-09 16:39:520 GaAsFET（砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是高頻、超高頻、微波無(wú)線電頻下功放電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。GaAsFET憑借其靈敏性而舉世聞名，其形成的內(nèi)部噪聲極少。這主要是由于砷化鎵擁有與眾不同的載流子遷移率
2021-09-13 17:23:424809 、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鎵、銦、鋁、磷或砷。在這一點(diǎn)上，作為我們?nèi)A林科納研究的重點(diǎn)，GaAs晶圓是一個(gè)很好的候選，它可以成為二極管等各種技術(shù)器件中最常見(jiàn)的襯底之一。 襯底表面對(duì)實(shí)現(xiàn)高性能紅外器件和高質(zhì)量薄膜層起著重要作用
2022-01-19 11:12:222382 
之前的砷化鎵(GaAs)和橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)一樣，氮化鎵(GaN)是一項(xiàng)革命性技術(shù)，在實(shí)現(xiàn)未來(lái)的射頻、微波和毫米波系統(tǒng)方面能夠發(fā)揮巨大作用。不過(guò)，它并不是一劑“靈丹妙藥”，其他技術(shù)仍然可以發(fā)揮重要作用。
2022-03-22 13:01:546364 在光電子激光、LED領(lǐng)域砷化鎵也占據(jù)很大的分量。作為成熟的第二代化合物半導(dǎo)體，砷化鎵功率芯片以及光電子芯片均是在砷化鎵基板上通過(guò)外延生長(zhǎng)的手段長(zhǎng)出不同的材料膜層結(jié)構(gòu)。
2022-04-07 15:32:577549 
砷化鎵集成單刀雙擲開(kāi)關(guān)AS179-92LF英文手冊(cè)免費(fèi)下載。
2022-04-12 15:00:575 砷化鎵可在一塊芯片上同時(shí)處理光電數(shù)據(jù)，因而被廣泛應(yīng)用于遙控、手機(jī)、DVD計(jì)算機(jī)外設(shè)、照明等諸多光電子領(lǐng)域。另外，因其電子遷移率比硅高6倍，砷化鎵成為超高速、超高頻器件和集成電路的必需品。
2022-04-25 10:58:4314399 對(duì)于做激光應(yīng)用的砷化鎵基板，晶向有很重要的應(yīng)用。關(guān)乎了激光芯片的成品質(zhì)量和合格率，通過(guò)在wafer上劃片，劈裂
2022-11-10 10:54:544757 砷化鎵是發(fā)光材料，加上泵浦源和諧振腔，即可選頻制成激光器。650nm-1300nm波長(zhǎng)的低功率激光器都可以用砷化鎵材料設(shè)計(jì)，典型代表是VCSEL（垂直腔表面發(fā)射激光器），廣泛應(yīng)用在短距離數(shù)據(jù)中心光纖通信，TOF人臉識(shí)別等。
2022-11-30 09:35:3814208 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開(kāi)關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 16:50:481591 砷化鎵太陽(yáng)能電池最大效率預(yù)計(jì)可以達(dá)到23%～26%，它是目前各種類型太陽(yáng)能電池中效率預(yù)計(jì)最高的一種。砷化鎵太陽(yáng)能電池抗輻射能力強(qiáng)，并且能在比較高的溫度環(huán)境中工作。
2023-02-08 16:02:0718195 
迅速轉(zhuǎn)向落地！ 2023伊始，元宇宙又有了可講的新故事。工信部最近表示，2023年將落實(shí)落細(xì)已出臺(tái)的各項(xiàng)政策和接續(xù)措施，加快謀劃布局元宇宙等未來(lái)產(chǎn)業(yè)，實(shí)現(xiàn) 從觀念啟蒙邁向場(chǎng)景化 。于此同時(shí)，不少行業(yè)人士預(yù)判，今年春天推出的蘋(píng)
2023-02-10 23:10:021198 砷化鎵是不是金屬材料 砷化鎵屬于半導(dǎo)體材料。砷化鎵（化學(xué)式：GaAs）是鎵和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導(dǎo)體材料，用來(lái)制作微波集成電路、紅外線發(fā)光二極管
2023-02-14 16:07:3810056 砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應(yīng)用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，因此在電子器件的制造中得到了廣泛的應(yīng)用。
2023-02-14 17:14:473761 砷化鎵二極管是一種半導(dǎo)體器件，它由砷化鎵（GaAs）材料制成，具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應(yīng)速度。砷化鎵二極管的原理是，當(dāng)電壓施加到砷化鎵二極管的兩個(gè)極性時(shí)，電子和空穴就會(huì)在砷化鎵材料中遷移，從而產(chǎn)生電流。
2023-02-16 15:12:592739 砷化鎵（GaAs）是一種半導(dǎo)體材料，它是由鎵（Ga）和砷（As）組成的化合物，具有較高的電子遷移率和較低的漏電流，因此在電子器件中有著廣泛的應(yīng)用。
2023-02-16 15:28:514881 砷化鎵是第三代半導(dǎo)體，它是在第二代半導(dǎo)體的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，具有更高的電子遷移率、更高的熱導(dǎo)率、更高的光學(xué)性能、更高的熱穩(wěn)定性、更高的電磁屏蔽性能和更高的耐腐蝕性。
2023-02-16 15:59:542891 氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩(wěn)定性和電絕緣性，可以更好地抵抗高溫和電磁干擾，因此可以替代砷化鎵。
2023-02-20 16:10:1429358 砷化鎵芯片的制造工藝要求高，需要精確控制工藝參數(shù)，以保證芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過(guò)程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量；砷化鎵芯片的制造過(guò)程中，由于砷化鎵的比表面積較大，容易形成氣泡，影響芯片的質(zhì)量。
2023-02-20 16:32:248892 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 到2023年，力爭(zhēng)電子元器件行業(yè)銷售總額達(dá)2.1萬(wàn)億元。國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)本土廠商迎來(lái)替代機(jī)遇期。
2023-03-09 09:50:173030 砷化鎵晶圓的材料特性砷化鎵(GaAs)是國(guó)際公認(rèn)的繼“硅”之后最成熟的化合物半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電子遷移率、高輸出功率、低噪音以及線性度良好等優(yōu)越特性，作為第二代半導(dǎo)體材料中價(jià)格昂貴的一種，被
2022-10-27 11:35:396454 
|芯謀分析師集體展望2023在《2023國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望（上）》中，芯謀研究的分析師們對(duì)2023年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展情況、國(guó)內(nèi)各地方半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的發(fā)展情況進(jìn)行了
2023-02-14 10:48:502832 
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能和能帶結(jié)構(gòu)，常用于制造半導(dǎo)體器件，如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小，使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中具有重要的地位。
2023-07-03 16:07:0810908 砷化鎵芯片的制造工藝相對(duì)復(fù)雜，需要使用分子束外延（MBE）或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）等專門的生長(zhǎng)技術(shù)。而硅芯片的制造工藝相對(duì)成熟和簡(jiǎn)單，可以使用大規(guī)模集成電路（VLSI）技術(shù)進(jìn)行批量制造。
2023-07-03 16:19:5310675 目前高功率砷化鎵基單片微波集成電路(MMICs)已廣泛應(yīng)用于軍事、無(wú)線和空間通信系統(tǒng)。使用連接晶片正面和背面的襯底通孔，這些MMICs的性能顯著提高。
2023-07-13 15:55:021320 
上海伯東美國(guó) Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運(yùn)輸以及儲(chǔ)存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
2023-12-14 16:30:151648 首期項(xiàng)目斥資15億人民幣，致力開(kāi)發(fā)4/6英寸砷化鎵生產(chǎn)線。預(yù)計(jì)在2025年7月開(kāi)始試運(yùn)行，此階段主要專注于砷化鎵半導(dǎo)體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產(chǎn)品的生產(chǎn)，年產(chǎn)量設(shè)置為6萬(wàn)片。
2024-02-28 16:38:562860 氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重要成員，它們?cè)诟髯缘膽?yīng)用領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了卓越的性能。然而，要判斷哪個(gè)更先進(jìn)，并不是一個(gè)簡(jiǎn)單的二元對(duì)立問(wèn)題，因?yàn)樗鼈兊南冗M(jìn)性取決于具體的應(yīng)用場(chǎng)
2024-09-02 11:37:167233
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