富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)了每種下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景。

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2022年4月10日，富士經(jīng)濟(jì)公布了SiC（碳化硅）和Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)調(diào)查結(jié)果。據(jù)該公司預(yù)測(cè)，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將受到汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域的拉動(dòng)，到2035年將達(dá)到134302億日元（約合人民幣6020億元），是2022年水平的5.0倍。

2035年下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將突破5萬億日元 該研究針對(duì)使用 SiC、GaN（氮化鎵）、Ga2O3（氧化鎵）、金剛石和 Si 功率半導(dǎo)體的下一代功率半導(dǎo)體。并且還調(diào)查了功率半導(dǎo)體相關(guān)組件和制造設(shè)備的市場(chǎng)。調(diào)查時(shí)間為2022年11月至2023年2月。 ? ?

富士經(jīng)濟(jì)認(rèn)為，由于汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域的需求增加，以及信息和通信設(shè)備和工業(yè)領(lǐng)域的穩(wěn)定需求，2022 年硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)擴(kuò)大。盡管消費(fèi)電子領(lǐng)域的需求趨于穩(wěn)定，但汽車/電子領(lǐng)域仍將繼續(xù)帶動(dòng)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)至9817億日元（約合人民幣505億元）的規(guī)模。

由于對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求和對(duì)GaN功率半導(dǎo)體的強(qiáng)勁需求，2022年下一代功率半導(dǎo)體將比上年增長(zhǎng)2.2倍。預(yù)計(jì)未來市場(chǎng)將繼續(xù)高速擴(kuò)張，2023年達(dá)到2354億日元（約合人民幣121億元），比2022年增長(zhǎng)34.5%，2035年擴(kuò)大到54485億日元（約合人民幣2807億元），增長(zhǎng)31.1倍。

僅SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模就超過5萬億日元 富士經(jīng)濟(jì)還提到了每種下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景。

SiC功率半導(dǎo)體以SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-FET、SiC功率模塊為目標(biāo)，市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)大，主要集中在中國(guó)和歐洲。2022年數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源等信息通信設(shè)備領(lǐng)域和太陽能發(fā)電等能源領(lǐng)域的需求將大幅增長(zhǎng)。富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)該市場(chǎng)將在 2023 年繼續(xù)增長(zhǎng)，達(dá)到 2293 億日元（約合人民幣118億元），比 2022 年增長(zhǎng) 34.3%。

之后，除了可再生能源的普及和汽車電動(dòng)化的進(jìn)展外，由于資本投資導(dǎo)致的產(chǎn)能增加、晶圓直徑的增加以及由于加工技術(shù)的改進(jìn)而導(dǎo)致的價(jià)格下降的進(jìn)展導(dǎo)致 SiC 功率在 EV 牽引逆變器中的使用，預(yù)計(jì)到 2035 年市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至 5.33 萬億日元（約合人民幣2746億元），是 2022 年水平的 31.2 倍，模塊采用勢(shì)頭強(qiáng)勁。

GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從 2022 年增長(zhǎng) 32.6%，到 2023 年達(dá)到 57 億日元（約合人民幣3億元），因?yàn)樗挥糜跀?shù)據(jù)中心的 AC 適配器和服務(wù)器電源的高速充電。除了擴(kuò)大以這些應(yīng)用為中心的市場(chǎng)外，還有望擴(kuò)大其在車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器等EV輔助設(shè)備中的使用，市場(chǎng)有望增長(zhǎng)。

Ga2O3功率半導(dǎo)體方面，計(jì)劃開始量產(chǎn)SBD，預(yù)計(jì)2023年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到4億日元（約合人民幣0.2億元）。此外，由于FET計(jì)劃在2025年左右投入實(shí)際使用，預(yù)計(jì)Si和SiC功率半導(dǎo)體的替代將取得進(jìn)展，預(yù)計(jì)市場(chǎng)將主要在消費(fèi)和信息通信領(lǐng)域擴(kuò)大。中長(zhǎng)期有望擴(kuò)展到工業(yè)和能源領(lǐng)域，未來有望擴(kuò)展到汽車/電子領(lǐng)域。

市場(chǎng)雖然旺盛，但零件采購(gòu)困難導(dǎo)致零部件材料和生產(chǎn)設(shè)備產(chǎn)能放緩

此外，2022年功率半導(dǎo)體相關(guān)元器件材料市場(chǎng)因晶圓、前處理材料、后處理材料需求增加，將同比增長(zhǎng)30.9%至2711億日元（約合人民幣139億元）。盡管2023年市場(chǎng)將繼續(xù)擴(kuò)大，但由于零部件制造商產(chǎn)能有限，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)將放緩，預(yù)計(jì)2022年市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)11.5%至3023億日元（約合人民幣155億元）。Fuji Keizai 解釋說：“未來，預(yù)計(jì)由于 SiC 功率半導(dǎo)體的增長(zhǎng)，汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域的需求增加以及燒結(jié)接合材料和氮化硅電路基板的采用增加將有助于市場(chǎng)擴(kuò)張?！?到 2035 年，預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)到 1.202 萬億日元（約合人民幣619億元），是 2022 年水平的 4.4 倍。

2022年，由于海外功率半導(dǎo)體制造商主要在中國(guó)的積極資本投資，制造設(shè)備市場(chǎng)將同比大幅增長(zhǎng)39.3%。盡管由于零件采購(gòu)困難導(dǎo)致交貨時(shí)間延長(zhǎng)等因素，市場(chǎng)增長(zhǎng)正在放緩，但由于對(duì)中國(guó)和其他海外國(guó)家的積極資本投資以及對(duì)需求的增加，我們預(yù)計(jì) 2023 年后將繼續(xù)增長(zhǎng)8英寸SiC晶圓，市場(chǎng)有望擴(kuò)大。2023年預(yù)計(jì)比2022年增長(zhǎng)21.4%至4124億日元（約合人民幣212億元），2035年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)2.4倍至8180億日元（約合人民幣421億元）。

編輯：黃飛

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