以上，這也是目前氮化鎵在手機充電器上廣泛被應用的重要原因。 ? 氮化鎵GaNFast TM 是納微半導體此前被廣泛應用的氮化鎵功率芯片系列，納微半導體銷售營運總監(jiān)李銘釗介紹到，目前全球超過140款量產(chǎn)中的充電器都采用了納微的方案，大約150款
2021-11-26 09:42:13
6891 納微 (Navitas) 半導體宣布，將在11月3號到6號在上海舉辦的中國電源學會學術(shù)年會(CPSSC) 上展示最新的氮化鎵(GaN)功率IC及其應用。
2017-10-30 11:54:4814245 今年2月，納微半導體發(fā)布了寬禁帶行業(yè)首份可持續(xù)發(fā)展報告。報告指出，每顆出貨的清潔、綠色氮化鎵功率芯片可節(jié)省 4 kg CO2排放，GaN有望節(jié)省高達 2.6 億噸/年的二氧化碳排放量，相當于 650
2022-06-15 18:19:511086 
2022年6月**日，中國上海訊——國內(nèi)EDA、IPD行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)芯和半導體于正在美國丹佛舉行的2022年IMS展會上宣布，其IPD芯片累計出貨量已首超10億顆。 芯和半導體在集成無源器件IPD
2022-06-21 10:08:361985 前不久，納微半導體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502394 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布，戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9000 系列高端筆記本電腦實現(xiàn)快充。
2021-12-30 15:06:091791 
2022年1月18日，納微半導體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:023763 
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克股票代碼： NVTS）正式宣布其發(fā)貨數(shù)量已超過四千萬顆，終端市場故障率為零。
2022-03-28 09:27:481186 
芯片行業(yè)領(lǐng)導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）發(fā)布全新GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，帶來前所未有的高集成度和性能表現(xiàn)。 氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術(shù)，同時還減少了提供相同
2023-03-28 13:54:321257 
— 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及GaNFast?氮化鎵功率芯片和GeneSiC?碳化硅功率器件行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日發(fā)布 全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片產(chǎn)品——GaNSlim? ，其憑借 最高級別的集成度和散熱性能 ，可為 手機
2024-10-17 16:31:091305 
近年來，全球半導體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前,我國已經(jīng)成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
氮化鎵功率半導體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計使其非常
2023-06-15 15:32:41
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
工藝，以制造出可預測性能特性和故障率的可復制氮化鎵器件。相比之前的 MIMIC 和 MAFET 計劃，WBST計劃嚴重傾向于軍事應用，不計成本地追求所需性能，但是，隨著化合物半導體提供商不斷完善其生
2017-08-15 17:47:34
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
集成在一顆芯片中。合封的設(shè)計消除了寄生參數(shù)導致的干擾，并充分簡化了氮化鎵器件的應用門檻，像傳統(tǒng)集成MOS的控制器一樣應用，得到了很高的市場占有率。鈺泰半導體瞄準小功率氮化鎵合封應用的市場空白，推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關(guān)頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術(shù)成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉(zhuǎn)換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
Higham表示：“一旦高功率射頻半導體產(chǎn)品攻破0.04美元/瓦難關(guān)，射頻能量市場將會迎來大量機會。在商用微波爐、汽車照明和點火、等離子照明燈等設(shè)備市場，射頻能量器件出貨量可能在數(shù)億規(guī)模，銷售額可達
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產(chǎn)品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅(qū)動電壓
2017-09-04 15:02:41
的優(yōu)勢，近年來在功率器件市場大受歡迎。然而，其居高不下的成本使得氮化鎵技術(shù)的應用受到很多限制。 但是隨著硅基氮化鎵技術(shù)的深入研究，我們逐漸發(fā)現(xiàn)了一條完全不同的道路，甚至可以說是顛覆性的半導體技術(shù)。這就
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的設(shè)計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
行業(yè)標準，成為落地量產(chǎn)設(shè)計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產(chǎn)中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導通電
2023-02-21 16:01:16
氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
2019-07-08 04:20:32
從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
帶半導體，相比常規(guī)的硅材料，開關(guān)速度更快，具有更高的耐壓。在降低電阻的同時，還能提供更高的過電壓保護能力，防止過壓造成的損壞。OPPO使用一顆氮化鎵開關(guān)管取代兩顆串聯(lián)的硅MOS，氮化鎵低阻抗優(yōu)勢可以
2023-02-21 16:13:41
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
納微半導體今日正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障。
2021-01-27 16:43:142251 納微半導體正式宣布，其出貨量創(chuàng)下最新紀錄，已向市場成功交付超過1300萬顆氮化鎵（GaN）功率IC實現(xiàn)產(chǎn)品零故障，反應了全球移動消費電子市場正加速采用氮化鎵芯片，實現(xiàn)移動設(shè)備和相關(guān)設(shè)備的快速充電。
2021-02-01 11:12:142246 ? 納微半導體（Navitas Semiconductor）是全球氮化鎵功率芯片的開創(chuàng)者，成立于2014年，總部位于愛爾蘭，在深圳、杭州、上海都擁有銷售和研發(fā)中心。納微半導體擁有一支強大且不斷壯大
2021-03-10 14:33:013980 DUBLIN， IRELAND —（PRWeb） 納微半導體宣布，在為期三天的2021年慕尼黑上海電子展上，成功完成一系列GaNFast? 大功率氮化鎵工業(yè)應用首秀。
2021-04-27 14:11:531302 納微半導體向福布斯詳細介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應用。
2021-08-24 09:39:212061 
截至 2021 年 5 月，超過 2000 萬片納微 GaNFast?? 氮化鎵功率芯片已經(jīng)成功出貨。
2021-08-24 09:42:301765 
氮化鎵（GaN）是下一代半導體技術(shù)，它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 12:22:201780 納微半導體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:092413 
氮化鎵功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（“納微”）的股票，正式開始在納斯達克全球市場交易，股票代碼為“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312630 
全球氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體，在北京小米科技園舉辦的 2021 被投企業(yè) Demo Day 上，展示了下一代功率電源和手機快充產(chǎn)品。
2021-11-02 09:51:311292 
近日，中國上海訊——國內(nèi)EDA、濾波器行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)芯和半導體宣布，其IPD濾波器產(chǎn)品累計出貨量首超10億顆。
2022-03-05 09:51:143429 氮化鎵作為下一代半導體技術(shù)，其運行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護模塊在單個SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 本文重點討論氮化鎵功率器件在陣列雷達收發(fā)系統(tǒng)中的應用。下面結(jié)合半導體的物理特性，對氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）的特點加以說明。
2022-04-24 16:54:336942 
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以提高效率和功率密度，將加速進入更多類型的快充市場。
2022-05-05 10:32:562303 美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169，這是一款采用 GaNSense?技術(shù)的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可滿足高功率應用。
2022-05-11 11:24:312749 氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體宣布，正式成為全球首家獲得頂尖碳中和及氣候融資顧問機構(gòu)Natural Capital Partners頒發(fā)的CarbonNeutral?公司認證的半導體公司。
2022-06-06 14:48:112763 國內(nèi)EDA、IPD行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)芯和半導體于正在美國丹佛舉行的2022年IMS展會上宣布，其IPD芯片累計出貨量已首超10億顆。
2022-06-21 16:32:182197 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現(xiàn)輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:402312 
2022年7月26日，Anker安克創(chuàng)新舉辦“2022安克旗艦新品發(fā)布會”，5款氮化鎵“芯”品強勢降世。納微半導體聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Gene Sheridan現(xiàn)身直播間，揭秘納微如何助力
2022-07-29 16:17:441027 
氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者納微半導體宣布收購碳化硅行業(yè)先驅(qū)GeneSiC，成為唯一專注下一代功率半導體公司 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 8 月 15日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:062747 
未來已來，氮化鎵的社會經(jīng)濟價值加速到來。 ? 本文介紹了鎵未來和納芯微在氮化鎵方面的技術(shù)合作方案。 鎵未來提供的緊湊級聯(lián)型氮化鎵器件與納芯微隔離驅(qū)動器配合，隔離驅(qū)動器保證了異常工作情況下對氮化鎵器件
2022-11-30 14:52:251383 
極具戰(zhàn)略意義的硅控制器技術(shù)，加速GaN和SiC市場推進，搶奪傳統(tǒng)硅功率器件在多元化市場中的份額。 加利福尼亞州托倫斯，2023年1月19日訊：唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率
2023-02-02 16:17:44813 
氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導體材料，是第三代半導體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導體器件芯片設(shè)計、制造、封測以及芯片等主要應用場景。
2023-02-07 09:36:562410 
氮化鎵(GaN)功率半導體技術(shù)和模塊式設(shè)計的進步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 17:41:29999 氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度，更高的熱導率和更低的導通電
阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優(yōu)越。
氮化鎵晶體
2023-02-15 16:19:06
0 來源：《半導體芯科技》雜志12/1月刊 近年來，芯片材料、設(shè)備以及制程工藝等技術(shù)不斷突破，在高壓、高溫、高頻應用場景中第三代半導體材質(zhì)優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)。其中，氮化鎵憑借著在消費產(chǎn)品快充電源領(lǐng)域的如
2023-02-17 18:13:204107 氮化鎵功率器件可以分為三類：MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。
2023-02-19 14:32:393124 納微半導體如何在氮化鎵上造芯片？ 作者丨 周雅 剛剛過去的10月底，納微半導體（Navitas Semiconductor）成功在納斯達克上市，上市當天企業(yè)價值10億美元。1個月后，納微半導體再進
2023-02-21 14:57:110 領(lǐng)導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣
布推出新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術(shù)集成了關(guān)鍵、實時、智能的傳感和保護電路，
進一步提高了納微半導體在功率半導體行業(yè)領(lǐng)先的可靠性和穩(wěn)健性，同時增加了
2023-02-22 13:48:053 近日，世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導體”)簽署授權(quán)代理協(xié)議，代理其旗下工業(yè)級氮化鎵功率驅(qū)動芯片、智能氮化鎵功率開關(guān)等產(chǎn)品，廣泛應用于新能源汽車、充電樁、數(shù)據(jù)中心電源、光伏儲能、快充電源等行業(yè)。
2023-03-08 09:56:002123 在電源領(lǐng)域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設(shè)計，加強器件可靠性，降低系統(tǒng)成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術(shù)，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
2023-03-28 13:58:021876 
新微半導體40V氮化鎵功率器件工藝平臺擁有較大的工藝窗口，并具有良好的一致性和穩(wěn)定性的工藝保障。其采用的無金工藝，RC<0.4 Ω·mm；柵極采用自對準工藝，使得柵極形貌良好，且最小線寬低至0.5μm。
2023-05-24 16:24:053564 
早前，納微半導體率先憑借氮化鎵功率芯片產(chǎn)品，踩準氮化鎵在充電器和電源適配器應用爆發(fā)的節(jié)奏，成為氮化鎵領(lǐng)域的頭部企業(yè)。同時，納微也不斷開發(fā)氮化鎵和碳化硅產(chǎn)品線，拓展新興應用市場。在2023慕尼黑上海
2023-08-01 16:36:192934 
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
2023-09-04 15:13:241214 
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應用內(nèi)樹立新標桿
2023-09-07 14:30:151913 于高功率、高速光電元件。例如，氮化鎵可用于紫光激光二極管，并且可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped Solid-state Laser)的情況下產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
2023-09-13 16:41:453102 不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:442506 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:416141 在功率半導體行業(yè)，納微半導體以其對氮化鎵和碳化硅功率芯片的深入研究和創(chuàng)新，贏得了行業(yè)領(lǐng)導者的地位。值此成立十周年之際，納微半導體回顧了其一路走來的輝煌歷程，并對未來展望了無限期待。
2024-02-21 10:50:321467 加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發(fā)布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
2024-02-22 11:42:041476 納微半導體，作為功率半導體領(lǐng)域的佼佼者，以及氮化鎵和碳化硅功率芯片技術(shù)的引領(lǐng)者，近日宣布將亮相于2024年3月20日至22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展。屆時，納微半導體將設(shè)立一個獨特而富有未來感的“納微芯球”展臺，充分展示其最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)，引領(lǐng)觀眾領(lǐng)略全電氣化的未來世界。
2024-03-16 09:40:581416 加利福尼亞州托倫斯2024年5月21日訊 —GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）誠邀觀眾參加6月11日-13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024并造訪“納微芯球”展臺，
2024-05-24 15:37:331347 在電力電子領(lǐng)域，納微半導體憑借其卓越的GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體技術(shù)，已成為行業(yè)內(nèi)的佼佼者。近日，該公司受邀參加6月11日至13日在德國紐倫堡舉行的PCIM 2024電力電子展，并在“納微芯球”展臺上展示其最新技術(shù)成果。
2024-05-30 14:43:081171 加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
2024-06-21 14:45:442671 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導體宣布其先進的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費者帶來了前所未有的快充體驗。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 近日，納微半導體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態(tài)照明電源等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨大潛力。
2024-10-17 16:02:311138 日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化鎵（GaN）功率半導體器件，旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動汽車功率半導體器件的應用上競爭激烈，但氮化鎵因其極低的功率損耗而備受矚目。
2024-10-22 15:10:021758 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）十年前納微半導體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品，也推動了“氮化鎵”的認知普及，當然也成就了納微
2024-10-23 09:43:592386 
氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質(zhì)的半導體材料，近年來在電子領(lǐng)域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、消費電子等熱門領(lǐng)域，發(fā)揮重要的作用。
2024-10-29 16:23:151570 
銷量創(chuàng)新高，再創(chuàng)新佳績！億程碑，新起航！泰芯半導體年出貨超1億顆！
2024-12-12 15:16:011455 近日，GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應鏈，為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081238 
GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導體與系統(tǒng)級解決方案，預計將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10868 近日，唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導者——納微半導體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025，展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設(shè)備領(lǐng)域的應用新突破。
2025-02-25 10:16:381786 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導者——納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布全球首款量產(chǎn)級650V雙向GaNFast氮化鎵
2025-03-13 15:49:393004 
GaN驅(qū)動技術(shù)手冊免費下載 氮化鎵半導體功率器件門極驅(qū)動電路設(shè)計方案
2025-03-13 18:06:0047020 
日訊——納微半導體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認證，這標志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市場的應用正式邁入了全新階段。 ? 納微半導體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族， 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264304 
納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）今日宣布一項重要人事任命：納微董事會已決定聘任Chris Allexandre為公司總裁兼首席執(zhí)行官，自2025年9月1日起正式履職。同時，Chris
2025-08-29 15:22:423924 納微半導體正式發(fā)布專為英偉達800 VDC AI工廠電源架構(gòu)打造的全新100V氮化鎵，650V氮化鎵和高壓碳化硅功率器件，以實現(xiàn)突破性效率、功率密度與性能表現(xiàn)。
2025-10-15 15:54:592482 
格芯（GlobalFoundries，納斯達克代碼：GFS）與納微半導體（Navitas Semiconductor，納斯達克代碼：NVTS）今日正式宣布建立長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同推進美國
2025-11-27 14:30:202048
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