為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關斷特性及短路特性之間的矛盾，提高器件的綜合性能和可靠性，在IGBT中引入了一種電子注入增強效應（Injection Enhancement Effect，IE），既可
2025-05-21 14:15:17
1366 
應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN）擴充NGBTxx系列1，200伏（V）溝槽型場截止（FS）絕緣門雙極晶體管（IGBT）器
2012-10-24 13:48:391042 自 20 世紀 80 年代發(fā)展至今，IGBT 芯片經(jīng)歷了 7 代技術及工藝的升級，從平面穿通型（PT）到微溝槽場截止型，IGBT 從芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標都
2023-04-12 12:02:054778 當前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。
2023-06-07 10:32:0719900 
半導體器件，雖然它們都能進行開關操作，但在結(jié)構(gòu)、工作原理和適用場合上有顯著區(qū)別。工作原理和結(jié)構(gòu)差異MOS管（MOSFET）主要是電壓控制型器件，通過電場控制載流子
2025-01-15 17:06:402332 
**Mosfet **和 IGBT 驅(qū)動對比的簡介簡述：一般中低馬力的電動汽車電源主要用較低壓（低于 72V）的電池組構(gòu)成。由于需求的輸出電流較高，因此市場上專用型的 Mosfet 模塊并不
2022-09-16 10:21:27
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別：IGBT和可控硅的區(qū)別：IGBT驅(qū)動電路設計：1、IGBT驅(qū)動電路的設計2、IGBT驅(qū)動器的選擇3、IGBT驅(qū)動電路的設計IGBT和MOS管的區(qū)別： IIGBT
2021-09-09 08:05:31
IGBT應用工程師-上海1、本科及以上學歷，具有幾年以上從事功率半導體器件設計開發(fā)的經(jīng)驗。 ＜/P＞2、掌握半導體基礎理論以及熟悉IGBT理論。3、掌握平面型、溝槽IGBT的Wafer工藝。 4
2014-03-14 15:52:36
IGBT應用工程師-上海1、本科及以上學歷，具有幾年以上從事功率半導體器件設計開發(fā)的經(jīng)驗。 ＜/P＞2、掌握半導體基礎理論以及熟悉IGBT理論。3、掌握平面型、溝槽IGBT的Wafer工藝。 4
2014-03-28 18:06:25
IGBT應用工程師-上海1、本科及以上學歷，具有幾年以上從事功率半導體器件設計開發(fā)的經(jīng)驗。 ＜/P＞2、掌握半導體基礎理論以及熟悉IGBT理論。3、掌握平面型、溝槽IGBT的Wafer工藝。 4
2014-03-18 17:19:12
，不想搭建分立的原件，所以想要使用集成的驅(qū)動電路。但是網(wǎng)上有IGBT驅(qū)動板，IGBT驅(qū)動核，IGBT驅(qū)動芯，IGBT適配板，IPM，這些到底有啥區(qū)別？哪種最為簡單？`
2017-10-10 17:16:20
采用雙溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，與正在量產(chǎn)中的第2代平面型（DMOS結(jié)構(gòu)）SiC-MOSFET相比，導通電阻降低約50%，輸入電容降低約35%。實際的SiC-MOSFET產(chǎn)品下面是可供
2018-12-05 10:04:41
，但大多數(shù)600V IGBT都是PT (Punch Through，穿透) 型器件。PT器件具有NTC (負溫度系數(shù))特性，不能并聯(lián)分流。或許，這些器件可以通過匹配器件VCE(sat)、VGE(TH
2018-08-27 20:50:45
MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,于是也決定了其應用領域的不同，今天就讓小編帶大家一起來了解一下MOSFET與IGBT的本質(zhì)區(qū)別吧~1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA
2021-06-16 09:21:55
MOSFET 或 IGBT導通開關損耗的主要因素，討論二極管恢復性能對于硬開關拓撲的影響。1.導通損耗除了IGBT的電壓下降時間較長外，IGBT和功率MOSFET的導通特性十分類似。由基本的IGBT
2018-09-28 14:14:34
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管 場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體
2020-07-19 07:33:42
什么是H橋電路？S8550（PNP型）和S8050（NPN型）的特性分別是什么？有什么區(qū)別？
2021-06-30 06:37:00
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
IGBT的靜態(tài)特性其實并非難以理解的東西,即便是對于外行人而言。剛接觸那會兒，看到轉(zhuǎn)移特性、輸出特性之類的就想溜之大吉，加之網(wǎng)上查詢的資料一概籠統(tǒng)簡單，只描述特性曲線所表示的關系結(jié)果，卻并不解釋曲線
2019-10-17 10:08:57
Pads中無平面 cam平面 分割混合平面的區(qū)別PADS軟件層的選項中，分別有 無平面（NO plane）、CAM平面層（CAM plane）、分割/混合層（split/mixe），這三種層的主要區(qū)別
2019-08-14 04:30:00
更加優(yōu)化。（平面柵與溝槽柵技術的區(qū)別可以參考文章“平面型與溝槽型IGBT結(jié)構(gòu)淺析”）?？v向結(jié)構(gòu)方面，為了緩解阻斷電壓與飽和壓降之間的矛盾，英家于2000年推出了Field Stop IGBT，目標在于
2021-05-26 10:19:23
發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向電場的高壓超結(jié)型結(jié)構(gòu)與平面型結(jié)構(gòu)相比較
2017-08-09 17:45:55
和8英寸的平面型和溝槽型1700V、 2500V和3300V IGBT芯片已進入量產(chǎn)２?。桑牵拢缘墓ぷ髟恚桑牵拢缘尿?qū)動原理與電力ＭＯＳＦＥＴ基本相同，是一種場控器件，其開通和關斷由柵射極電壓u GE
2021-03-22 19:45:34
多。 8.平面型，在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于
2015-11-27 18:09:05
整個混合開關的頻率響應。實驗樣品該實驗基于溝槽場停止IGBT芯片的樣品，該芯片的額定阻斷電壓高達1200 V，標稱電流高達200 A，厚度為125μm。通過質(zhì)子輻照改善了IGBT的頻率特性，相關技術在
2023-02-22 16:53:33
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
IGBT和MOS管的區(qū)別是什么？IGBT和可控硅的區(qū)別有哪些？如何實現(xiàn)IGBT驅(qū)動電路的設計？
2021-11-02 08:30:41
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極 型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復合型半導體器 件。IGBT 作為
2021-02-24 10:33:18
... 2、IGBT柵極結(jié)構(gòu):平面柵機構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu); 3、硅片加工工藝:外延生長技術、電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2022-01-01 19:08:53
跪求大神幫我解釋永磁平面電機和直線電機的區(qū)別
2023-03-07 15:32:57
結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以發(fā)現(xiàn)，超結(jié)型結(jié)構(gòu)實際是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。內(nèi)建橫向
2018-10-17 16:43:26
的結(jié)果 雜散電感與電流變化率的結(jié)合影響著器件的開通和關斷電壓特性，可以表示為ΔV=L*di/dt。因此，如果器件關斷時電感Lσ較大，電壓尖峰就會升高。關斷行為對柵極電阻很不敏感。這是溝槽場截止IGBT
2018-12-07 10:16:11
IGBT作為集MOS和BJT優(yōu)點于一身的存在，在經(jīng)歷了這些年的技術發(fā)展，從穿通型IGBT（PT-IGBT）、非穿通型IGBT（NPT-IGBT）、溝道型IGBT和場截止型IGBT（FS-IGBT
2020-12-11 16:54:35
平面型的低噪聲特性與SJ-MOSFET的低導通電阻特性，其產(chǎn)品定位是“平面型的低導通電阻替代品”。從噪聲比較圖可以看出，與標準型的AN系列及其他公司生產(chǎn)的SJ-MOSFET相比，紅色線所示的EN系列
2018-12-03 14:27:05
本文介紹了平面型功率變壓器的特點、類型和結(jié)構(gòu)，并通過具體實例論述了平面型變壓器在開關電源中的應用。
2009-10-15 09:57:36
77 1）更高集成的功率場效應管——溝槽結(jié)構(gòu)器件2）溝槽型功率管參數(shù)的提升3）溝槽型功率管在工程實踐中的運用
2010-06-28 08:39:2724 摘要:根據(jù)變壓器工作原理和
平面型PCB變壓器的自身特點,對PCB變壓器進行了研究。得出了變壓器PCB板繞組的最優(yōu)布置方式;在繞組損耗和磁芯損耗的數(shù)學模型基礎上,找出最適當?shù)拇判?/div>
2010-11-30 12:08:040
臺面型/擴散型/合金結(jié)/鍵型二極管
臺面型二極管 PN結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結(jié)及
2009-11-07 08:45:381275 IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
絕緣柵雙極晶體
2010-03-05 15:53:4511496 22nm以后的晶體管技術領域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細化會越來越困難的，為此，人們關注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 IGBT的靜態(tài)特性包括伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和靜態(tài)開關特性。IGBT的伏安特性如圖1-33所示，與GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582705 
華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣
2012-05-29 08:47:482638 飛兆半導體是全球領先的高性能電源和移動半導體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關工業(yè)應用為目標，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和電焊機，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設計中實現(xiàn)更好的效率和可靠性。
2013-12-05 14:49:571438 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設計_陳天
2017-01-08 14:36:357 眾所周知，SiC材料的特性和優(yōu)勢已被大規(guī)模地證實，它被認為是用于高電壓、高頻率的功率器件的理想半導體材料。SiC器件的可靠性是開發(fā)工程師所關心的重點之一，因為在出現(xiàn)基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438319 
溝槽柵場終止型代表了絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的最新結(jié)構(gòu)。由于溝槽柵結(jié)構(gòu)與平面柵結(jié)構(gòu)在基區(qū)載流子輸運、柵極結(jié)電容計算等方面存在較大的不同，沿用平面柵結(jié)構(gòu)的建模方法不可避免會存在較大的偏差
2018-02-01 14:25:100 Pads中無平面 cam平面 分割混合平面的區(qū)別 工程師的巨大福利，首款P_C_B分析軟件，點擊免費領取 PADS軟件 層的選項中，分別有 無 平面（ NO plane ） 、 CAM平面 層（ C
2019-08-02 14:16:1717494 IGBT工作中的特性： IGBT 的靜態(tài)特性， 靜態(tài)數(shù)據(jù)特性關鍵有光電流特性、遷移特性和電源開關特性。 （1）光電流特性： IGBT 的光電流特性就是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏極電流與柵極
2020-12-15 16:10:317687 MOSFET大致可以分為以下幾類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領域應用。
2021-01-22 08:41:4211404 IGBT3的出現(xiàn)，又在IGBT江湖上掀起了一場巨大的變革。IGBT3的元胞結(jié)構(gòu)從平面型變成了溝槽型。
2021-06-02 11:05:217296 
適用于感應加熱應用的 Fairchilds 第二代場截止、陽極短路、溝槽 IGBT
2022-11-15 20:02:240 上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動
2023-02-17 16:40:232475 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應
2023-02-22 13:59:501 MOS管？而有些電路用IGBT管？ 下面我們就來了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。
2023-02-23 09:34:200 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ 什么是MOS管？ 場效應管主要有兩種類型：分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效
2023-02-23 16:03:254 ，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！ ?什么是MOS管？ 場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。 MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場
2023-02-23 15:50:052 MOS管和IGBT管有什么區(qū)別？不看就虧大了
在電子電路中，MOS管和IGBT管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關元件來使用，MOS管和IGBT管在外形及特性參數(shù)也比較相
似，那為什么有些電路用MOS管？而有些電路用IGBT管？
2023-02-24 10:34:456 了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！
1、什么是MOS管？
場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。
MOS管即MOSFET，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管，由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵
場效
2023-02-24 10:36:266 GaN基功率開關器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:002554 
溝槽柵結(jié)構(gòu)是一種改進的技術，指在芯片表面形成的凹槽的側(cè)壁上形成MOSFET柵極的一種結(jié)構(gòu)。溝槽柵的特征電阻比平面柵要小，與平面柵相比，溝槽柵MOSFET消除了JFET區(qū)
2023-04-27 11:55:029391 
平面關節(jié)型機械手設
2023-05-29 11:11:331 新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續(xù)流
2022-05-24 15:08:012876 
，MOS管和IGBT管到底有什么區(qū)別吧！1、什么是MOS管？場效應管主要有兩種類型，分別是結(jié)型場效應管（JFET）和絕緣柵場效應管（MOS管）。MOS管即MOSFE
2022-07-21 17:53:517172 
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiCMOSFET都是平面型
2023-01-12 14:34:012202 經(jīng)歷了7代技術及工藝的升級，從平面穿通型（PT）到微溝槽場截止型，IGBT從芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標都進行了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電
2023-04-14 16:32:043492 
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結(jié)構(gòu)，對其導通電阻的構(gòu)成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:026122 
摘要 壓接型 IGBT 芯片在正常的運行工況下承受著電-熱-力多物理量的綜合作用，研究電熱-力影響下的 IGBT 芯片動態(tài)特性對于指導 IGBT 芯片建模以及規(guī)?；?IGBT 并聯(lián)封裝設計具有
2023-08-08 09:58:281 igbt和mos管的區(qū)別 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect
2023-08-25 14:50:017166 半導體器件，它們主要用于控制電能的大功率電路中。IGBT和可控硅在電路中起著相似的作用，但是它們具有不同的特性和優(yōu)缺點。本文將對IGBT和可控硅的區(qū)別進行詳細的比較和闡述。 1. 工作原理 可控硅是一種
2023-08-25 14:57:3113932 igbt和igct的區(qū)別是啥？ IGBT和IGCT是兩種不同類型的高壓開關裝置，用于電力電子應用中。IGBT是導電型場效應晶體管集成電路，而IGCT是絕緣柵控雙極型晶閘管。 IGBT是一種壓降低
2023-08-25 14:57:346214 小、開關速度快、耐高壓等優(yōu)點，廣泛應用于交流調(diào)制、交流變頻等電力電子設備中。在IGBT被廣泛應用的同時，許多工程師也對其進行了深入研究，一般認為IGBT單管和雙管在性能上有所不同，接下來我們將詳細講解IGBT單管和雙管的區(qū)別。 1.定義： 單管IGBT指的是僅具有一個MOS管和一個BPT（雙極晶體管）的I
2023-08-25 15:11:226358 都可以控制電流和電壓，但在許多方面存在明顯的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)： 晶閘管是一種具有四個電極的單向?qū)щ娖骷?，包括控制電極（門極）、陽極、陰極和輔助極。它由P型和N型半導體層交替形成，具有單向?qū)ㄐ再|(zhì)，控制電極和主極之間的電流只能在特定條件下流動。 IGBT是一種三極管，包括控制極、集電極和發(fā)
2023-08-25 15:47:439551 平面工藝與Trench溝槽工藝MOSFET區(qū)別兩種結(jié)構(gòu)圖如下：由于結(jié)構(gòu)原因，性能區(qū)別如下（1）導通電阻Trench工藝MOSFET具有深而窄的溝槽結(jié)構(gòu)，這可以增大
2023-09-27 08:02:488744 
在現(xiàn)今IGBT表面結(jié)構(gòu)中，平面型和溝槽型可謂是各占半壁江山。很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的
2023-10-18 09:45:431375 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:284751 IGCT和IGBT的區(qū)別? IGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor）和 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor
2023-11-17 14:23:154316 MOSFET與IGBT的區(qū)別
2023-11-27 15:36:452393 
IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件，它們在應用、特性、結(jié)構(gòu)和設計等方面存在一些差異。下面將詳細介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理：IGCT是一種電流型器件，其工作原理是基于晶閘管的結(jié)構(gòu)
2023-11-24 11:40:535623 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS的雪崩耐量有何差異以及如何選擇？ 平面型VDMOS和超結(jié)型VDMOS是常見的金屬氧化物半導體場效應管(MOSFETs)的不同設計類型。它們在結(jié)構(gòu)上存在一些細微的差異
2023-11-24 14:15:432352 Transistor）是兩種常見的功率開關器件，用于電力電子應用中的高電壓和高電流的控制。雖然它們都是晶體管的一種，但在結(jié)構(gòu)、特性和應用方面有很大的區(qū)別。本文將詳細介紹IGBT和MOS管的區(qū)別。 首先
2023-12-07 17:19:383221 領域。盡管它們有一些相似之處，但在結(jié)構(gòu)、特性和應用方面存在顯著的差異。 首先，讓我們來看一下IGBT的基本結(jié)構(gòu)。IGBT是一種三極管型器件，結(jié)合了MOSFET的驅(qū)動能力和雙極型晶體管的低導通壓降特性。它由一個P型襯底、一個N型集電極、一個P型獨立柵控極和一個N型漂移區(qū)組成。IGBT的工作原理
2023-12-19 09:56:333799 在電力電子領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是兩種非常重要的功率半導體器件。它們各自具有獨特的工作原理、結(jié)構(gòu)特點和應用場景。本文將對IGBT和MOS管進行詳細的分析和比較，以便讀者能夠更深入地理解它們之間的區(qū)別。
2024-05-12 17:11:005914 溝槽型IGBT（溝槽柵絕緣柵雙極型晶體管）與平面型IGBT（平面柵絕緣柵雙極型晶體管）是兩種常見的絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）結(jié)構(gòu)，它們在電力電子器件領域中扮演著重要角色。以下將從定義、結(jié)構(gòu)、性能、應用及制造工藝等方面詳細闡述這兩種IGBT的差異。
2024-07-24 10:39:005828 
的導電特性。它們的主要區(qū)別在于控制電流的方式。 IGBT的工作原理是基于雙極型晶體管（BJT）和MOSFET的組合。IGBT具有一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。柵極通過施加電壓來控制IGBT的導通和截止。當柵極電壓達到一定值時，IGBT導通，電流從集電極流向發(fā)射極。IGB
2024-08-07 17:16:571676 二極管是一種半導體器件，它允許電流在一個方向上流動，而在另一個方向上阻止電流流動。二極管在電子電路中扮演著重要的角色，如整流、開關、信號調(diào)制等。二極管的類型很多，其中面接觸型和平面型是兩種常見的結(jié)構(gòu)
2024-09-24 09:58:251953 二極管中的點接觸型、面接觸型和平面型在結(jié)構(gòu)、工作原理以及應用領域等方面存在顯著的差異。以下是對這三種類型二極管的比較： 一、結(jié)構(gòu)區(qū)別 點接觸型二極管 ： 結(jié)構(gòu)簡單，由PN結(jié)、P型探針和N型基底構(gòu)成
2024-09-24 10:30:233233 在電力電子技術的快速中，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）技術以其高效、可靠的性能，成為眾多領域的核心組件。從微小的IGBT芯片到復雜的IGBT器件，每一個組成部分都承載著推動電力電子技術進步的使命。下面，我們將逐一深入解析IGBT芯片、IGBT單管、IGBT模塊以及IGBT器件的特性和應用。
2024-10-15 15:23:452471 碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動汽車等多個領域展現(xiàn)出廣闊的應用前景。其中，溝槽型SiC
2025-02-02 13:49:001996 上回書(英飛凌芯片簡史)說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術更迭，標志性的技術包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等。現(xiàn)今
2025-01-15 18:05:212265 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件，廣泛應用于電機驅(qū)動、新能源發(fā)電、變頻器和電動汽車等領域。IGBT在工作過程中會產(chǎn)生大量的熱量，如果不能有效地散熱，將會導致器件溫度升高
2025-02-03 14:27:001300 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《新一代溝槽輔助平面SiC MOSFETS.pdf》資料免費下載
2025-01-24 13:52:342 直播時間：5月20日14:00直播主題：溝槽柵VS平面柵，孰是王者？立即掃碼報名吧！直播間不定時會有禮品掉落，速速掃碼預約！520碳化硅首場直播，帶你直擊可靠性核心戰(zhàn)場！平面柵和溝槽柵，簡約
2025-05-15 17:05:23538 在電子工程領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直是功率轉(zhuǎn)換和控制應用中的關鍵組件。今天，我們將深入探討ON Semiconductor推出的FGHL50T65MQDT場截止溝槽IGBT，這款產(chǎn)品憑借其出色的性能和特性，在眾多應用中展現(xiàn)出了巨大的潛力。
2025-12-08 11:21:421491 
在功率半導體領域，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）一直扮演著至關重要的角色。今天要給大家詳細介紹的是安森美（onsemi）的一款 650V、50A 的場截止溝槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611 
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