毫無疑問，下一代的CMOS邏輯將邁入1nm時代，在即將舉行的IEDM上，。有不少關于“下一代 CMOS”的著名講座。因此，我們將它們分為“互補FET”、“2D材料”和“多層布線”子類別。

在本文中，按順序進行介紹。

將構成 CMOS 的兩個 FET 堆疊起來，將硅面積減少一半

第一個是“下一代 CMOS 邏輯”領域中的“互補 FET (CFET)”。CMOS邏輯（邏輯電路）由至少兩個晶體管組成：一個n溝道MOS FET和一個p溝道MOS FET。晶體管數量最少的邏輯電路是反相器（邏輯反相電路），由1個n溝道MOS和1個p溝道MOS組成。換句話說，它需要相當于兩個晶體管的硅面積。

CFET 是這兩種類型 MOSFET 的三維堆疊。理論上，可以使用一個 FET 占用的硅面積來創(chuàng)建 CMOS 邏輯。與傳統(tǒng)CMOS相比，硅面積減半。但制造工藝相當復雜，挑戰(zhàn)重重，打造難度較大。

在IEDM 2023上，CFET研發(fā)取得了重大進展。臺積電和英特爾均推出了單片堆疊下層 FET 和上層 FET 的 CMOS 電路。TSMC 演示了一個 CFET 原型，該原型將 n 溝道 FET 單片堆疊在 p 溝道 FET 之上。所有 FET 均具有納米片結構。柵極間距為48nm。制造成品率達90%以上。目前的開/關比超過6位數。

Intel 設計了一個 CFET 原型，將三個 n 溝道 FET 單片堆疊在三個 p 溝道 FET 之上 (29-2)。所有 FET 均具有納米帶結構（與納米片結構基本相同的結構）。我們制作了柵極間距為 60nm 的 CMOS 反相器原型并確認了其運行。

采用二維材料制成GAA結構的納米片通道

下一代 CMOS 邏輯晶體管的另一個有希望的候選者是通道是過渡金屬二硫屬化物 (TMD) 化合物的二維材料（單層和極薄材料）的晶體管。當 MOSFET 的溝道尺寸縮短時，“短溝道效應”成為一個主要問題，其中閾值電壓降低且變化增加。減輕短溝道效應的一種方法是使溝道變薄。TMD很容易形成單分子層，原則上可以創(chuàng)建最薄的通道。

TMD 溝道最初被認為是一種用于小型化傳統(tǒng)平面 MOSFET 的技術（消除了對鰭結構的需要）。最近，選擇TMD作為環(huán)柵（GAA）結構的溝道材料的研究變得活躍。候選通道材料包括二硫化鉬（MoS2）、二硫化鎢（WS2）和二硒化鎢（WSe2）。

包括臺積電等在內的聯(lián)合研究小組開發(fā)了一種具有納米片結構的n溝道FET，其中溝道材料被單層MoS2取代。柵極長度為40nm。閾值電壓高，約為1V（常關操作），導通電流約為370μA/μm（Vds約為1.0V），電流開關比為10的8次方。

imec 和 Intel 的聯(lián)合研究團隊使用二維溝道候選材料在 300mm 晶圓上制造了原型 n 溝道 MOS 和 p 溝道 MOS，并評估了它們的特性。候選材料有 MoS2、WS2?和 WSe2。MoS2單層膜適用于n溝道FET，WSe多層膜適用于p溝道FET。

包括臺積電等在內的聯(lián)合研究小組開發(fā)出一種二維材料晶體管，其電流-電壓特性與n溝道FET和p溝道FET相同。MoS2（一種 n 溝道材料）和 WSe2（一種 p 溝道材料）在藍寶石晶圓上生長，并逐個芯片轉移到硅晶圓上。此外，英特爾還原型制作了具有GAA結構的二維材料溝道FET，并在n溝道和p溝道上實現了相對較高的遷移率。

石墨烯、釕和鎢將取代銅 (Cu) 互連

多層布線是支持CMOS邏輯擴展的重要基礎技術。人們擔心，當前流行的銅（Cu）多層互連的電阻率將由于小型化而迅速增加。因此，尋找金屬來替代 Cu 的研究非?；钴S。候選材料包括石墨烯、釕 (Ru) 和鎢 (W)。

臺積電將宣布嘗試使用石墨烯（一種片狀碳同素異形體）進行多層布線。當我們制作不同寬度的互連原型并將其電阻與銅互連進行比較時，我們發(fā)現寬度為15 nm或更小的石墨烯互連的電阻率低于銅互連的電阻率。石墨烯的接觸電阻率也比銅低四個數量級。將金屬離子嵌入石墨烯中可以改善互連的電性能，使其成為下一代互連的有前途的材料。

imec 制作了高深寬比 (AR) 為 6 至 8、節(jié)距為 18 nm 至 26 nm 的 Ru 兩層精細互連原型，并評估了其特性。制造工藝為半鑲嵌和全自對準過孔。在AR6中原型制作寬度為10 nm（對應間距18 nm至20 nm）的Ru線測得的電阻值低于AR2中模擬的Cu線的電阻值。

應用材料公司開發(fā)了一種充分利用 W的低電阻互連架構。適用于2nm以上的技術節(jié)點。我們充分利用 W 襯墊、W 間隙填充和 W CMP（化學機械拋光）等基本技術。

將存儲器等元件納入多層布線過程

一種有些不尋常的方法是研究多層互連過程（BEOL）中的存儲器等構建元件。多層布線下面通常是 CMOS 邏輯電路。因此，理論上，BEOL 中內置的元件不會增加硅面積。它是提高存儲密度和元件密度的一種手段。

斯坦福大學和其他大學的聯(lián)合研究小組將提出在多層邏輯布線工藝中嵌入氧化物半導體 (OS) 增益單元晶體管型存儲元件的設計指南。操作系統(tǒng)選擇了氧化銦錫 (ITO) FET。我們比較了 OS/Si 混合單元和 OS/OS 增益單元。

imec 開發(fā)了 MRAM 技術，可將自旋軌道扭矩 (SOT) 層和磁隧道結 (MTJ) 柱減小到大致相同的尺寸。它聲稱可以將功耗降低到傳統(tǒng)技術的三分之一，將重寫周期壽命延長10的15次方，并減少存儲單元面積。

加州大學洛杉磯分校率先集成了壓控 MRAM 和 CMOS 外圍電路。MRAM的切換時間極短，為0.7ns（電壓1.8V）。原型芯片的讀取訪問時間為 8.5ns，寫入周期壽命為 10 的 11 次方。

將計算功能納入傳感器中

我還想關注“傳感器內計算技術”，它將某種計算功能集成到傳感器中。包括旺宏國際在內的聯(lián)合研究小組將展示基于 3D 單片集成技術的智能圖像傳感器。使用 20nm 節(jié)點 FinFET 技術，將類似于 IGZO DRAM 的存儲層單片層壓在 CMOS 電路層的頂部，并在其頂部層壓由二維材料 MoS2?制成的光電晶體管陣列層。光電晶體管陣列的布局為 5 x 5。

西安電子科技大學和西湖大學的聯(lián)合研究小組設計了一種光電神經元，由一個光電晶體管和一個閾值開關組成，用于尖峰神經網絡。對連續(xù)時間內的傳感信號（光電轉換信號）進行壓縮編碼。

在硅晶圓上集成 GaN 功率晶體管和 CMOS 驅動器

對于能帶隙比 Si 更寬的化合物半導體器件（寬禁帶器件），在 Si 晶圓上制造氮化鎵 (GaN) 基 HEMT 的運動十分活躍。英特爾在 300mm 硅晶圓上集成了 GaN 功率晶體管和 CMOS 驅動器。CMOS驅動器是GaN增強型n溝道MOS HEMT和Si p溝道MOS FET的組合。用于GaN層的Si晶片使用面。對于 Si MOS FET，將另一個面的硅晶片粘合在一起，只留下薄層，用作溝道。

CEA Leti 開發(fā)了用于 Ka 波段功率放大器的 AlN/GaN/Si MIS-HEMT (38-3)。兼容200mm晶圓Si CMOS工藝。通過優(yōu)化SiN柵極絕緣膜原型制作的HTMT的ft為81GHz，fmax為173GHz。28GHz 時的 PAE（功率負載效率）極高，達到 41%（電壓 20V）。假設我們已經實現了與 GaN/SiC 器件相當的性能。

6400萬像素、像素尺寸為0.5μm見方的小型CMOS圖像傳感器。

在圖像傳感器中，顯著的成果包括像素數量的增加、像素尺寸的減小、噪聲的減少以及自動對焦功能的進步。三星電子已試制出具有 6400 萬像素、小像素尺寸為 0.5 μm 見方的高分辨率 CMOS 圖像傳感器。

使用銅電極混合鍵合堆疊三個硅晶片，并為每個像素連接一個光電二極管和后續(xù)電路。與傳統(tǒng)型號相比，RTS（隨機電報信號）噪聲降低了 85%，FD（浮動擴散）轉換增益提高了 67%。

OmniVision Technologies 開發(fā)了一款 HDR 全局快門 CMOS 圖像傳感器，其像素間距為 2.2μm。它是通過將兩片硅片粘合在一起而制成的。FPN（固定模式噪聲）為1.2e-（rms值），時間噪聲為3.8e-（rms值）。

佳能已經推出了雙像素交叉 CMOS 圖像傳感器原型，其中一對光電二極管以 90 度扭轉排列。通過全方位相位差檢測執(zhí)行自動對焦 (AF)。AF 的最低照度低至 0.007 lux。

審核編輯：黃飛