在回流焊接爐中，倒裝晶片和其他元件要被焊接在基板上。在此過(guò)程中，如果加熱的溫度太高，或者時(shí)間太長(zhǎng) ，助焊劑便會(huì)在潤(rùn)濕整個(gè)焊接面之前揮發(fā)或分解完，造成潤(rùn)濕不良或其他焊接缺陷。另外，在復(fù)雜的混合裝配中 ，大的元件比小的元件溫度要低，造成每個(gè)焊點(diǎn)溫度的不均勻。元件焊球的不共面性在此也應(yīng)受到關(guān)注。錫鉛共 晶材料的焊球如果蘸取助焊劑的量恰當(dāng)，即使其只是剛好接觸到焊盤(pán)，在回流焊接過(guò)程中也會(huì)與焊盤(pán)焊接良好。 由于焊球大小的差異，假設(shè)基板平整沒(méi)有變形，則只有3個(gè)的焊球接觸到焊盤(pán)。實(shí)際情況是基板不會(huì)完全平 整，可能并不是3個(gè)較大的焊球接觸焊接面。我們注意到，在焊接過(guò)程中，由于焊球的“坍塌”，非常顯著地降 低了基板焊盤(pán)與元件之間的距離。正是因?yàn)檫@種“坍塌”，使得那些原本沒(méi)有和焊盤(pán)接觸的焊球也在此過(guò)程中焊 接完好，如圖1和圖2所示。但是那些太小的焊球盡管有這種補(bǔ)償作用仍然會(huì)存在接觸問(wèn)題，引起電氣開(kāi)路。在回 流爐中，焊點(diǎn)形成完整的坍塌連接是關(guān)鍵。

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　　圖1 焊接之前 圖2 焊接之后

　?。?）回流環(huán)境的考慮

　　在空氣中回流焊接，形成電氣連接并非難事?！サ覀冏屑?xì)檢查會(huì)發(fā)現(xiàn)一些非常顯著的焊接缺陷。一些焊盤(pán)只 是部分的潤(rùn)濕，很少焊點(diǎn)會(huì)形成完整的“坍塌”連接，甚至可以發(fā)現(xiàn)有些元件可能輕微的歪斜。對(duì)于無(wú)鉛焊接而 言，問(wèn)題更嚴(yán)重。

　　倒裝晶片在氮?dú)庵谢亓骱附佑性S多優(yōu)點(diǎn)。在較低氧氣濃度下回流焊接，條件比較寬松，可以獲得很好的焊接良 率。由于減少了氧化，可以獲得更好的潤(rùn)濕效果，同時(shí)工藝窗口也較寬。在氮?dú)饣亓鳝h(huán)境中熔融的焊料表面張力 較大，元件具有很好的自對(duì)中性，可控坍塌連接會(huì)更完整，焊接良率也會(huì)較高。對(duì)于無(wú)鉛焊接工藝，特別是當(dāng)基 板焊盤(pán)的表面處理方式是OSP時(shí)，推薦使用氮?dú)猓刂苹亓鳡t內(nèi)氧氣濃度在50 ppm左右。但是氮?dú)獾氖褂脮?huì)導(dǎo)致 成本增加25％～50％。需要在良率和成本之間考慮平衡。如果在此情況下要考慮應(yīng)用空氣回流焊接，則推薦使用 DR（Direct－Ramp）形態(tài)的焊接溫度曲線。另外，一些小的元器件，如0201／0402在氮?dú)庵谢亓骱附訒?huì)產(chǎn)生較多 的立碑缺陷，這些都是需要我們綜合考慮的。

　?。?）回流焊接溫度曲線設(shè)置

　　對(duì)于混合裝配，在同一產(chǎn)品上既有助焊劑裝配又有錫膏裝配，所以焊接溫度曲線需要仔細(xì)的優(yōu)化。主要從這幾 個(gè)方面進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置：升溫的速度、助焊劑活化溫度和時(shí)間、液相以上時(shí)間，以及回流溫度和冷卻速度。一 般來(lái)說(shuō)，錫膏或助焊劑會(huì)針對(duì)以上參數(shù)推薦一個(gè)范圍給使用者，但這個(gè)范圍比較粗糙，由于我們工廠的產(chǎn)品千差 萬(wàn)別，沒(méi)有一個(gè)所謂通用的“標(biāo)準(zhǔn)”焊接溫度曲線，需要對(duì)不同的產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化。優(yōu)化參考的標(biāo)準(zhǔn)是焊接完成后 ，焊接不良率要，產(chǎn)品無(wú)明顯的翹曲變形，外觀沒(méi)有因溫度而造成的損傷，焊點(diǎn)形成完整并且足夠的焊接強(qiáng) 度，焊點(diǎn)光亮無(wú)氧化。對(duì)于一些復(fù)雜的裝配，電路板上既有小的倒裝晶片，又有較大的元件，如BGA或連接插座 等，由于熱容的差異，如果不仔細(xì)地優(yōu)化爐溫設(shè)置，有時(shí)板上的溫度差會(huì)高達(dá)15～20°C，造成基板嚴(yán)重翹曲變 形，焊點(diǎn)因?yàn)閼?yīng)力而開(kāi)裂。基板的翹曲變形對(duì)倒裝晶片的裝配良率影響明顯，綜合元件焊球大小的差異，其影響 有時(shí)非常顯著。

　　回流溫度曲線形態(tài)有RSR（RampˉSoak－Ramp ）（如圖3所示）和DR（DirectRamp）兩種，根據(jù)錫膏和助焊劑 的特性而定。RSR在以下情況下被應(yīng)用得比較多：

　　·板上元件較多而且差異很大；

　　·需要減少焊點(diǎn)內(nèi)空洞；

　　·要求預(yù)熱溫度小于1.5°C/s時(shí)受限于產(chǎn)量和設(shè)備能力。

　　圖3 RSR形態(tài)的溫度曲線

　　DR溫度曲線（如圖4所示）有以下特點(diǎn)：

　　·可以有比較小的升溫速度（0.5～1.0°C/s）；

　　·適合厚度為1.6 mm或更薄的板上裝配小的CSP、BGA、芯片和片狀元件；

　　圖4 DR形態(tài)的溫度曲線

　　在元件封裝工藝中或電路板上元件較少而且都是相同元件時(shí)，趨向應(yīng)用DR形態(tài)的回流焊接溫度曲線，可以獲得 較高的產(chǎn)量，焊接品質(zhì)也可以滿足要求。但不同產(chǎn)晶需要優(yōu)化出對(duì)應(yīng)的溫度曲線，如圖5所示。怎樣進(jìn)行溫度曲 線的優(yōu)化呢？需要了解在焊接各個(gè)階段，如果焊接溫度設(shè)置不當(dāng)，可能會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題，那么，我們就會(huì)有針對(duì)性 的來(lái)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)置了。

　　圖5 不同產(chǎn)品對(duì)應(yīng)不同的溫度曲線

　　一般從室溫升高到助焊劑活化溫度，升溫速度要求小于2.5℃/s，太快的升溫會(huì)對(duì)元件造成熱沖擊，除此之外， 還會(huì)導(dǎo)致助焊劑急劇揮發(fā)造成錫珠、錫塌和元仵“爆米花”等現(xiàn)象。比較小的升溫更有利于減少電路板上的溫度 差。

　　錫鉛焊膏中助焊劑活化溫度一般為120～150℃，無(wú)鉛錫膏中助焊劑活化的溫度較高，一般為150～200℃。在此 溫度，助焊劑的活性被激發(fā)，清潔焊接面，去除焊接表面的氧化物，潤(rùn)濕焊接表面，防止焊接面在爐內(nèi)的再次氧 化。如果設(shè)置的溫度過(guò)高，助焊劑會(huì)急劇揮發(fā)，一部分甚至?xí)纸?，?dǎo)致焊接面清潔潤(rùn)濕不良，或焊接面氧化， 焊接完后焊點(diǎn)內(nèi)出現(xiàn)空洞。過(guò)低的溫度設(shè)置會(huì)導(dǎo)致助焊活化時(shí)間不足，焊接表面的油污和氧化物不能完全去除， 導(dǎo)致焊接不良。另外，會(huì)有較多的助焊劑留在回流焊接階段而導(dǎo)致焊點(diǎn)內(nèi)過(guò)多的空洞。適當(dāng)?shù)闹竸┗罨瘯r(shí)間不僅可以很好的潤(rùn)濕焊接面，還可以降低焊點(diǎn)中的空洞。但是太長(zhǎng)的活化時(shí)間反而會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)內(nèi) 空洞的急劇增加，原因是助焊劑在此階段過(guò)度揮發(fā)，焊接面及焊料氧化，在回流階段沒(méi)有足夠的助焊劑覆蓋在熔 融的焊料金屬表面，導(dǎo)致過(guò)多的氧化。所以在此溫度下的時(shí)間需要細(xì)心的優(yōu)化。

　　一般對(duì)于無(wú)鉛工藝，助焊劑活化的時(shí)間為60～90 s，對(duì)于錫鉛工藝，助焊劑活化時(shí)間為2.5~3 mln。

　　在回流焊接過(guò)程中，液相以上時(shí)間要適當(dāng)，時(shí)間太短，焊點(diǎn)可能不完整，容易出現(xiàn)“冷焊”；時(shí)間太長(zhǎng)，則會(huì) 有氧化的問(wèn)題，焊點(diǎn)發(fā)黑無(wú)光澤，元件及電路板容易損壞，而且焊點(diǎn)內(nèi)金屬間化合物會(huì)過(guò)度生長(zhǎng)。對(duì)于無(wú)鉛工藝 ，控制液相以上時(shí)間在45～90 s，推薦為60 s。錫鉛工藝，液相以上時(shí)間控制在60～75s，推薦為60 s。

　　回流的溫度一般要求高于液相溫度15～30℃，原則是在滿足焊接要求的情況下，盡量使用較低的焊接溫度 以降低由于高溫引起的翹曲變形、焊點(diǎn)的氧化及控制金屬間化合物在焊點(diǎn)內(nèi)的過(guò)度生長(zhǎng)。但太低的回流溫度會(huì)導(dǎo) 致焊接不充分，或者焊料不能完全熔化，出現(xiàn)“冷焊”。太高的回流溫度不僅帶來(lái)產(chǎn)品的翹曲變形，焊點(diǎn)的氧化 ，還會(huì)損壞元件和基板，焊點(diǎn)內(nèi)金屬間化合物也會(huì)長(zhǎng)得很大。

　　冷卻速度在無(wú)鉛工藝中已備受關(guān)注，原因是其影響焊點(diǎn)的微觀結(jié)構(gòu)和可靠性。比較慢的冷卻速度，焊點(diǎn)內(nèi)金屬 間化合物尺寸會(huì)很大，同時(shí)錫的結(jié)晶顆粒也會(huì)比較粗，這些對(duì)焊點(diǎn)的可靠性都不利。而比較快的冷卻速度有利于 減少焊點(diǎn)內(nèi)金屬間化合物的形成，錫晶顆粒也會(huì)比較細(xì)。但是快速的冷卻會(huì)導(dǎo)致基板和元器件嚴(yán)重的翹曲變形。 所以，在優(yōu)化此參數(shù)時(shí)需要平衡考慮。另外，在組裝倒裝晶片時(shí)，在強(qiáng)制熱風(fēng)回流爐設(shè)置中往往被忽略的一個(gè)參 數(shù)就是風(fēng)扇的轉(zhuǎn)速。太強(qiáng)的氣流有時(shí)會(huì)將細(xì)小的元件吹跑，或?qū)е略阋?。一般可以調(diào)整其轉(zhuǎn)速在3 500轉(zhuǎn)/min左右。