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并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)電源的均流方法

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平面變壓器中并聯(lián)繞組的設(shè)計(jì)

本內(nèi)容介紹了平面變壓器中并聯(lián)繞組的設(shè)計(jì)
2011-11-10 17:04:1861

一種抑制電源分配網(wǎng)絡(luò)并聯(lián)諧振的方法

提出一種增加去耦支路損耗抑制電源分配網(wǎng)絡(luò)PDN中并聯(lián)諧振的方法。該方法通過在去耦支路引入一個串聯(lián)電阻,使PDN的損耗增加,從而抑制PDN并聯(lián)諧振。給出了理論模型,借助Hyperlynx
2013-09-26 15:20:4023

并聯(lián)IGBT模塊靜動態(tài)方法研究_肖雅偉

并聯(lián)IGBT模塊靜動態(tài)方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:417

開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)

開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)
2017-02-07 15:27:3447

基于開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)的工作原理及特點(diǎn)

的主要任務(wù)是:   (1)當(dāng)負(fù)載變化時,每臺電源的輸出電壓變化相同。  ?。?)使每臺電源的輸出電流按功率份額均攤。
2017-08-31 09:25:2912

電源并聯(lián)的自動技術(shù)及其應(yīng)用

電源并聯(lián)的自動技術(shù)及其應(yīng)用
2017-09-14 09:11:1031

器件并聯(lián)匹配的問題介紹

]和[6]還從系數(shù)的角度,給出了對器件的要求。然而從器件及其篩選匹配方面,我們認(rèn)為還有進(jìn)一步的探討和研究的必要。從事器件應(yīng)用的,注重器件的內(nèi)在性能;從事器件設(shè)計(jì)的,注重線路對器件的要求,兩方面的結(jié)合是提升器件性
2017-10-31 10:11:1311

什么是并聯(lián)技術(shù)

但是電源輸出參數(shù)的擴(kuò)展,僅僅通過簡單的串、并聯(lián)方式還不能完全保證整個擴(kuò)展后的電源系統(tǒng)穩(wěn)定可靠的工作。不論電源模塊是擴(kuò)壓還是擴(kuò),存在一個“壓”、“”的問題,而解決方法的不同,對整個電源擴(kuò)展系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性都有很大的影響。
2017-11-09 15:02:5714993

電源并聯(lián)技術(shù)在航天器測試中的應(yīng)用

針對單臺穩(wěn)壓電源功率無法滿足大型航天器測試供電的問題,設(shè)計(jì)了一種多電源并聯(lián)的航天器測試供電系統(tǒng)。采用通用性強(qiáng)的VC#軟件編程實(shí)現(xiàn)了的自動閉環(huán)控制,通過硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)中各電源電氣獨(dú)立
2017-11-14 17:54:5612

基于STM32的大功率數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

集成度、豐富且性能出眾的片上外設(shè)、編程復(fù)雜度低等優(yōu)點(diǎn)。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實(shí)現(xiàn)多個電源模塊的并聯(lián)工作,提供更大的輸出功率,具有組合靈活、可靠性高、人機(jī)接口友善、工作模式多樣等優(yōu)點(diǎn)。本文采用STM32F103VET6處理器作為主
2017-11-30 16:06:01830

基于STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì)解析

摘要:為了實(shí)現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案,并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片,通過CAN總線
2017-12-12 11:54:372

虛擬阻抗對UPS并聯(lián)系統(tǒng)控制

系統(tǒng)UPS之問產(chǎn)生環(huán)流,降低UPS并聯(lián)系統(tǒng)的特性和穩(wěn)定性。為解決該問題,在電壓電流雙閉環(huán)之外引入虛擬電阻環(huán)節(jié),虛擬阻抗的加入可減小UPS逆變器參數(shù)不同造成的輸出內(nèi)阻抗差異,提高控制精度。詳細(xì)介紹了虛擬阻抗對UPS并聯(lián)系統(tǒng)特性的影響。兩臺單套功率40 kVA的三相四線
2017-12-13 16:04:0922

大功率電源模塊并聯(lián)的設(shè)計(jì)方案

目前國內(nèi)大部分的模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì),都使用了有源法。這種方法采用母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過取樣各個模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn),具有效率高的優(yōu)點(diǎn)。
2018-03-06 14:27:3413616

如何利用平均電力法進(jìn)行模塊電源并聯(lián)

在之前的介紹中,我們分別介紹了兩種模塊電源并聯(lián)方法,這兩種方式都有其獨(dú)特優(yōu)勢并能將多個模塊實(shí)現(xiàn)并聯(lián)。
2018-07-16 15:45:223871

整流二極管并聯(lián)的實(shí)現(xiàn)

整流二極管的并聯(lián)使用要實(shí)現(xiàn)是一個難題。最主要的原因是二極管是正溫度系數(shù)的器件。
2019-09-07 11:01:1915255

模塊電源并聯(lián)方法及缺點(diǎn)分析

并聯(lián)的各模塊的外特性呈下垂特性,負(fù)載越重,輸出電壓越低。在并聯(lián)時,外特性硬(內(nèi)阻小)的模塊輸出電流大;外特性軟的模塊輸出電流小。
2020-03-08 11:18:005909

模塊電源中常見的方法有那些?有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

通常模塊電源并聯(lián)要解決的首要問題就是問題。以保證模塊間電流應(yīng)力和熱應(yīng)力的均勻分配,防止一臺或多臺模塊運(yùn)行在電流極限狀態(tài)。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">并聯(lián)運(yùn)行的各模塊特性并不一致,外特性好的可能承擔(dān)更多的電流,甚至
2020-10-06 18:08:006627

用基本的物理原理理解IGBT—并聯(lián)不簡單

,沒有并聯(lián),就不是IGBT。 但是這里面就牽扯到并聯(lián)問題。 2、芯片越大越好? 有些人感覺把IGBT芯片做大一點(diǎn),一顆頂兩顆,這樣就可以減少封裝中的并聯(lián)問題了。事實(shí)顯然沒有那么簡單。 首先,IGBT芯片是很多個元胞組成的,按15um的元胞寬度,方形
2022-11-15 17:18:004648

分析和比較驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT特性的影響

決該矛盾的有效方法。然而,并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無法達(dá)到完全的對稱,使得理想化的靜、動態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。本文主要分析和比較了驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT特性的影響,并
2021-02-14 11:43:005801

三相全橋逆變器的并聯(lián)設(shè)計(jì)

的差異,導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)特性,設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù),給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果,試驗(yàn)結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2021-04-12 15:23:3224

降壓方法的分析.設(shè)計(jì)與性能評估

分析了下垂電流的分配方法,并提出了一種提出了一般設(shè)計(jì)程序。 結(jié)果表明N + 1電源精度是輸出電壓設(shè)定點(diǎn)精度,輸出電壓下降的斜率和控制環(huán)路的增益。 發(fā)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)精度為輸出電壓的10%并聯(lián)電源需要設(shè)置在0.35%以內(nèi)。 這設(shè)計(jì)程序的準(zhǔn)確性與三個并聯(lián)工作的電源的測量結(jié)果。
2021-04-16 09:46:468

開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)

開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)(史上最牛電源技術(shù)總結(jié))-?開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)摘 要:大功率輸出和分布式電源電源技術(shù)發(fā)展的方向,而并聯(lián)開關(guān)變換器模塊間采用技術(shù),是實(shí)現(xiàn) 大功率電源和冗余電源的關(guān)鍵,本文
2021-09-27 09:21:2845

兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源功能,只有開關(guān)電源功能的才可以并聯(lián)使用。沒有的切記不可并聯(lián)使用。電工之家百度快照課復(fù)制(可以把網(wǎng)址復(fù)制到百度搜索欄,不是http網(wǎng)址搜索欄)

兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源并聯(lián)使用,就是我們常說的開關(guān)電源功能,只有開關(guān)電源功能的才可以并聯(lián)
2021-11-07 11:21:0417

如何通過設(shè)計(jì)確保IGBT并聯(lián)

由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對稱等,必引起器件電流分配不均,嚴(yán)重時會使器件失效甚至損壞主電路,因此,IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過設(shè)計(jì)確保。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)措施包括:降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:334225

SiC MOSFET單管的并聯(lián)特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的特性。
2022-08-01 09:51:153087

電源模塊參數(shù)對并聯(lián)開關(guān)特性影響的方法

 IGBT模塊并聯(lián)的挑戰(zhàn)是在考慮不同模塊參數(shù)的情況下了解功率轉(zhuǎn)換器的必要降額。這種理解對于在熱和安全操作限制內(nèi)正確并行運(yùn)行模塊非常重要。本文介紹了如何分析模塊參數(shù)對功率模塊并聯(lián)運(yùn)行的和開關(guān)能量不平衡的影響的方法。
2023-03-08 15:06:001231

RC并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)詳解

 將電阻R1與電容C1串聯(lián),電阻R2與電容C2并聯(lián)所組成的網(wǎng)絡(luò),稱為RC并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)。一般兩個電阻取值相同,兩個電容取值也相同。所謂選頻,指的是這個電路可以“選”出特定的頻率,并通過后續(xù)的正反饋
2023-05-01 09:40:0017720

求一種大功率電源模塊并聯(lián)的設(shè)計(jì)方案

目前國內(nèi)大部分的電源模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì),都使用了有源法。這種方法采用母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過取樣各個模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)
2023-05-02 14:57:001916

IGBT的并聯(lián)使用方法介紹

驅(qū)動電路對動態(tài)的影響:驅(qū)動電路對并聯(lián)的影響也是顯而易見的,如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動電路不同步,則先驅(qū)動的IGBT要承擔(dān)大得多的動態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:554414

N+1熱插拔電源模塊并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

N+1個熱插拔電源模塊并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì) 摘要 目前工業(yè)及國防領(lǐng)域中對開關(guān)電源的體積、功率、可靠性等要求高,急需一種新型拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">電源系統(tǒng)。介紹了一種采用Vicor高功率密度器件設(shè)計(jì)的具有熱插拔功能
2024-11-21 09:36:251996

UPS電源“十全十測”之9:UPS并機(jī)性能測試

一、什么是UPS并機(jī)性能UPS(不間斷電源)并機(jī)性能指的是在多臺UPS并聯(lián)運(yùn)行時,各臺UPS能夠均勻分擔(dān)負(fù)載電流的能力。在實(shí)際應(yīng)用中,為了確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,往往需要采用多臺UPS
2025-01-10 17:23:382163

碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述

碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:011509

MOS管的并聯(lián)使用:如何保證電流

。因此,如何保證并聯(lián)MOS管的電流,是設(shè)計(jì)中的一個關(guān)鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個方面,探討實(shí)現(xiàn)電流方法: 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻(Rds(on)) :MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354243

MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何與提高耐壓能力?

電力電子電路設(shè)計(jì),有時單個整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求,此時可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時需要解決問題,串聯(lián)時要保證壓,否則會導(dǎo)致器件提前失效
2025-03-17 11:45:362478

并聯(lián)MOSFET設(shè)計(jì)指南:、寄生參數(shù)與熱平衡

的整體可靠性。然而,MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡單的“多加幾個”過程,必須考慮到、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn),優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51670

快恢復(fù)二極管串聯(lián)與并聯(lián)設(shè)計(jì):與應(yīng)用挑戰(zhàn)

實(shí)現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而,F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會面臨壓、以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用:提高耐壓能力問題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓(VRRM)通常
2025-07-23 09:56:29776

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