通過(guò)檢測(cè)RC網(wǎng)絡(luò)中C兩端的電壓,作為電流信號(hào),幾路電流信號(hào)(本例只有兩路)通過(guò)一個(gè)相同的電阻就得到了平均值均流母線
2011-11-21 14:21:14
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通過(guò)并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)。
2025-05-23 10:52:48
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在電力電子領(lǐng)域,當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí),受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響,會(huì)出現(xiàn)動(dòng)態(tài)電流不均的問(wèn)題,制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題。
2025-05-30 14:33:43
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參數(shù)會(huì)有所差異,電源模塊并聯(lián)造成了各個(gè)模塊電應(yīng)力和熱應(yīng)力不同,大大降低了整個(gè)電源系統(tǒng)的可靠性運(yùn)行。為了保證各個(gè)模塊所受到的電應(yīng)力和熱應(yīng)力基本相同,需要對(duì)并聯(lián)模塊采用并聯(lián)均流技術(shù)。
2025-08-26 09:28:15
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多模塊電源系統(tǒng)并聯(lián)工作時(shí),為了保證模塊間電流應(yīng)力和熱應(yīng)力的均勻分配,防止一個(gè)或多個(gè)電源模塊運(yùn)行在電流極限值,而采用并聯(lián)均流控制技術(shù),可以很好地滿足需要。文中分析了
2011-10-19 11:08:33
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本文通過(guò)對(duì)常用的電流檢測(cè)方法與均流控制的分析研究,提出了用一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)檢測(cè)電源輸出電流的方法,并在這種電流檢測(cè)方法的基礎(chǔ)上給出了一種簡(jiǎn)單的并聯(lián)系統(tǒng)均流的方案。
2011-11-21 14:14:29
23048 SiC MOSFET并聯(lián)的動(dòng)態(tài)均流與IGBT類似,只是SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度更快,對(duì)一些并聯(lián)參數(shù)會(huì)更為敏感。
2021-09-06 11:06:23
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,隔離技術(shù)經(jīng)常會(huì)增加成本,占用寶貴的空間,而且會(huì)對(duì)可靠性帶來(lái)不利影響。第二種允許在陣列中采用單獨(dú)電源并聯(lián)的控制回路策略是使用負(fù)載線來(lái)效仿鎮(zhèn)流電阻器方法中的路徑上的電阻。通過(guò)實(shí)施所謂的“降壓均流
2019-03-01 06:30:00
,隔離技術(shù)經(jīng)常會(huì)增加成本,占用寶貴的空間,而且會(huì)對(duì)可靠性帶來(lái)不利影響。第二種允許在陣列中采用單獨(dú)電源并聯(lián)的控制回路策略是使用負(fù)載線來(lái)效仿鎮(zhèn)流電阻器方法中的路徑上的電阻。通過(guò)實(shí)施所謂的“降壓均流
2018-10-19 16:48:21
。 并聯(lián)電源可能會(huì)對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)和負(fù)載調(diào)節(jié)帶來(lái)消極影響。降壓均流方法刻意使用了負(fù)的負(fù)載調(diào)節(jié)方式將負(fù)載分布到陣列中的模塊。因此,對(duì)于降壓均流陣列,負(fù)載調(diào)節(jié)往往比用傳統(tǒng)單誤差放大器創(chuàng)建的陣列差??梢栽诮祲?b class="flag-6" style="color: red">均流陣列
2018-11-30 17:05:56
對(duì)常用的電流檢測(cè)方法與均流控制的分析研究,提出了用一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)檢測(cè)電源輸出電流的方法,并在這種電流檢測(cè)方法的基礎(chǔ)上給出了一種簡(jiǎn)單的并聯(lián)系統(tǒng)均流的方案。這種方案使電流檢測(cè)很方便,能高效率、低成本、簡(jiǎn)單、方便地實(shí)現(xiàn)并聯(lián)系統(tǒng)的均流。
2013-03-18 20:48:14
技術(shù)發(fā)展的趨勢(shì)之一,是實(shí)現(xiàn)組合大功率電源系統(tǒng)的重點(diǎn)。1.不能并聯(lián)的根源很多工程師剛接觸電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí),總會(huì)把多個(gè)電源模塊并聯(lián)一起使用,導(dǎo)致模塊輸出無(wú)法均流,使得模塊輸出短路、啟動(dòng)異常、損壞等現(xiàn)象。要
2015-09-25 09:52:58
DCDC的并聯(lián)均流怎么設(shè)計(jì)
2022-05-05 11:01:21
誰(shuí)能幫我解釋一下:IGBT均流的問(wèn)題:三相逆變的電流不平衡,相與相之間的電流相差10-15安培(兩個(gè)IGBT并聯(lián)在一起為一相電流)?
2012-06-02 09:02:05
都只能做到500W,假如先做4路并聯(lián),均流問(wèn)題有什么好的方案可以推薦嗎?如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián),這個(gè)并聯(lián)均流問(wèn)題如何解決,能推薦一下嗎?謝謝!
2024-01-08 07:21:12
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
均流。均流的方法有很多種。例如:1.輸出阻抗法,又叫下垂法、傾斜法、電壓調(diào)整率法。是通過(guò)調(diào)節(jié)電源的輸出內(nèi)阻的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這個(gè)方法的特點(diǎn)是簡(jiǎn)單。但最大的缺點(diǎn)是電壓調(diào)整率差。2.主從設(shè)置法,人為的在并聯(lián)
2018-07-28 14:13:50
模塊電源并聯(lián)均流輸出的設(shè)計(jì)方法的電路結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,不用使用軟件算法,直接由硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)。速度快且精度高,控制結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單,所以最終我們選擇方案三來(lái)實(shí)現(xiàn)均流控制。
2018-10-23 15:58:49
的差異,導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性,設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù),給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果,試驗(yàn)結(jié)果表明了對(duì)并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時(shí)間:2018-08-07 08:46 來(lái)源:電工之家兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)使用,就是我們常說(shuō)的開(kāi)關(guān)電源有均流功能,只有開(kāi)關(guān)電源有均流功能的才可以并聯(lián)
2021-11-12 08:37:34
準(zhǔn)備用幾個(gè)鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流?有專門(mén)的IC賣嗎?求解答謝謝~
2016-01-05 17:50:04
本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細(xì)分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機(jī)為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實(shí)現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報(bào)警的計(jì)算機(jī)均流技術(shù)方案,實(shí)現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
本文采用STM32F103VET6處理器作為主控芯片,實(shí)現(xiàn)了一種以CAN總線為通信媒介、具有穩(wěn)壓/穩(wěn)流/安培時(shí)/工藝曲線/遠(yuǎn)程控制5種工作模式、液晶圖形顯示的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)(以下簡(jiǎn)稱
2018-08-20 10:08:28
集成度、豐富且性能出眾的片上外設(shè)、編程復(fù)雜度低等優(yōu)點(diǎn)。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源模塊的并聯(lián)工作,提供更大的輸出功率,具有組合靈活、可靠性高、人機(jī)接口友善、工作模式多樣等
2018-08-30 14:00:49
導(dǎo)讀:本文為了實(shí)現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案,并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片,通過(guò)
2018-11-29 17:10:58
如果負(fù)載所需要的功率較大,單獨(dú)一路供電又滿足不了需求,但是有暫時(shí)沒(méi)有大的供電電源,那么是如何做到兩個(gè)或者多個(gè)同樣的電源做到相等輸出均流不倒灌呢?有什么辦法解決,其原理是什么?
舉例,在兩個(gè)LDO輸出
2024-04-27 22:54:15
品種多樣的問(wèn)題,商品品種在減少,便于了標(biāo)準(zhǔn)化標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施。另外,大功率開(kāi)關(guān)電源選用并聯(lián)均流的方法進(jìn)行設(shè)置,還能夠堅(jiān)持必定的冗余。所謂冗余,其實(shí)指的即是后備電源模塊。例如設(shè)3+2臺(tái)變換器模塊并聯(lián),其間3臺(tái)
2016-04-07 11:40:06
兩相交錯(cuò)并聯(lián)Boost電路,當(dāng)兩支路的電感大小不同,而引起兩支路電流不相等時(shí),應(yīng)該如何調(diào)節(jié)??如何實(shí)現(xiàn)均流呢??求助
2016-11-27 14:01:01
開(kāi)關(guān)電源出來(lái)的肖特基上并聯(lián)RC吸收有公式算嗎?RC電容的耐壓多少怎么算的?
2019-03-01 09:35:10
有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄
2017-04-17 23:59:52
及其應(yīng)用做簡(jiǎn)要討論。圖1 多臺(tái)開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流實(shí)現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)自動(dòng)均流技術(shù)是常用的硬件電流均流技術(shù)之一。該方法是通過(guò)均流總線和相并聯(lián)各電源間電流信號(hào)的比較獲得相應(yīng)修正量,來(lái)實(shí)現(xiàn)各單元電源間電流均勻分配
2011-07-13 15:19:57
都只能做到500W,假如先做4路并聯(lián),均流問(wèn)題有什么好的方案可以推薦嗎?如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián),這個(gè)并聯(lián)均流問(wèn)題如何解決,能推薦一下嗎?謝謝!
2018-07-27 08:56:50
模塊電源市場(chǎng)日趨成熟,并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點(diǎn)?
2021-03-16 09:24:11
基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究(2)
2019-04-22 11:40:09
:介紹了IGBT 擴(kuò)容的并聯(lián)方法,分析了導(dǎo)致IGBT 模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)不均流的各種因素,提出了相應(yīng)的解決措施,并進(jìn)行了仿真分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流
2009-05-01 09:56:56
57 模塊電源并聯(lián)使用時(shí)均流問(wèn)題的資料:Analysis, Design, and Performance Evaluation of Droop Current-Sharing
2009-11-28 11:17:48
33 本文在對(duì)APFC大功率高頻開(kāi)關(guān)電源研究的過(guò)程中,著重對(duì)開(kāi)關(guān)管的并聯(lián)均流技術(shù)進(jìn)行了深入研究,并對(duì)一種新的并聯(lián)均流技術(shù)進(jìn)行了理論分析、模擬仿真,結(jié)合中功率(3KW)ZVT-APFC模
2009-12-16 14:17:25
102 本文針對(duì)UPS 逆變器無(wú)互連線并聯(lián)系統(tǒng),結(jié)合均流的基本原理提出了均流的一種方案,并通過(guò)理論分析和仿真結(jié)果與原有PQ 法進(jìn)行了比較。結(jié)果表明,該方案在線性負(fù)載均流性能良
2010-01-11 14:25:39
43 本文針對(duì)UPS逆變器無(wú)互連線并聯(lián)系統(tǒng),結(jié)合均流的基本原理提出了均流的一種方案,并通過(guò)理論分析和仿真結(jié)果與原有PQ法進(jìn)行了比較。結(jié)果表明,該方案在線性負(fù)載均流性能良好的情況
2010-07-14 16:13:16
25 論文中采用推挽式PWM DC/DC電路研制了大功率開(kāi)關(guān)電源的子模塊,并設(shè)計(jì)出多個(gè)電源模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)的均流控制電路。論文重點(diǎn)分析了相關(guān)工作原理,設(shè)計(jì)了電路參數(shù),研制成
2010-08-14 17:18:46
344 摘要:系統(tǒng)采用開(kāi)關(guān)電源芯片TPS5430為核心制作兩路穩(wěn)壓電源.兩路電源可獨(dú)立、并聯(lián)使用。兩路電源并聯(lián)時(shí),利用電流反饋控制技術(shù),通過(guò)運(yùn)放的動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)均流。采用超低
2010-10-01 19:32:03
68 摘要:介紹了將電源模塊并聯(lián),并構(gòu)成冗余結(jié)構(gòu)進(jìn)行供電的好處,講述了幾種傳統(tǒng)的并聯(lián)均流電路,討論了各種方式下的工作過(guò)程及優(yōu)缺點(diǎn),并對(duì)均流技術(shù)的發(fā)展做了展望。
2006-03-11 13:10:54
3660 
并聯(lián)擴(kuò)流穩(wěn)壓電源電路圖
2008-05-02 13:34:44
1945 
RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)振蕩電路
斷開(kāi)RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò),測(cè)量放大器靜態(tài)
2008-06-23 17:35:31
14727 
功率MOSFET并聯(lián)均流問(wèn)題研究
對(duì)頻率為MHz級(jí)情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問(wèn)題進(jìn)行了研究,詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過(guò)Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:07
4092 
電源模塊并聯(lián)供電的冗余結(jié)構(gòu)及均流技術(shù)
摘要:介紹了將電源模塊并聯(lián),并構(gòu)成冗余結(jié)構(gòu)進(jìn)行供電的好處,講述了幾種傳統(tǒng)的并聯(lián)均
2009-07-11 13:57:32
3833 
高頻開(kāi)關(guān)電源的并聯(lián)均流系統(tǒng)
摘要:介紹了高頻開(kāi)關(guān)電源的控制電路和并聯(lián)均流系統(tǒng)??刂齐娐凡捎肨L494脈寬調(diào)制控制器來(lái)產(chǎn)生PWM脈
2009-07-14 08:16:34
1225 
開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)的數(shù)字均流技術(shù)
摘要:分布式電源系統(tǒng)應(yīng)用中,并聯(lián)開(kāi)關(guān)變換器模塊間需要采用均流措施,
2009-07-15 09:14:43
3016 
逆變器并聯(lián)運(yùn)行中的均流技術(shù)
1引言
單個(gè)電源組件的容量是有限的,為了增加電源的容量,提高供電可靠性,常采
2009-07-17 08:29:03
4987 
UC3902均流芯片的應(yīng)用
摘要:在直流模塊并聯(lián)方案中,自主均流法以其優(yōu)越的性能而得到廣泛的應(yīng)用。UC3902芯片的問(wèn)世,
2009-07-20 15:07:53
11272 開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)
Technique of Parallel Balanced Current in SMPS
摘要:討論幾種常用的開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù),闡述其主要工作原理及特點(diǎn)。
2009-07-24 12:07:14
3295 
摘要:本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細(xì)分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機(jī)為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實(shí)現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報(bào)警的計(jì)算機(jī)均流技術(shù)方案,實(shí)
2011-02-18 13:25:01
133 摘要:介紹了IGBT 擴(kuò)容的并聯(lián)方法,分析了導(dǎo)致IGBT 模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)不均流的各種因素,提出了相應(yīng)的解 決措施,并進(jìn)行了仿真分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。 關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流; 動(dòng)態(tài)均流
2011-03-08 15:33:27
112 本文就多臺(tái)開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流實(shí)現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)的自動(dòng)均流技術(shù)及其應(yīng)用做簡(jiǎn)要討論。
2011-06-23 17:25:32
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文中分析了LTC4350自主均流法的工作原理和性能特點(diǎn),采用LTC4350制作了兩塊實(shí)驗(yàn)電源模塊,并讓其并聯(lián)工作,做均流和熱插拔實(shí)驗(yàn),達(dá)到了滿意的效果。
2011-08-17 15:48:33
2131 
并聯(lián)多個(gè)電源系統(tǒng)或模塊以增加輸出功率或容錯(cuò)目的的電源架構(gòu)中均流是一個(gè)很重要的考慮因素。大部分的模塊架構(gòu)均流方法是人工增加輸出阻抗或真正感應(yīng)輸出電流.利用反饋控制達(dá)到
2011-11-04 15:27:20
45 本內(nèi)容介紹了平面變壓器中并聯(lián)繞組的均流設(shè)計(jì)
2011-11-10 17:04:18
61 提出一種增加去耦支路損耗抑制電源分配網(wǎng)絡(luò)PDN中并聯(lián)諧振的方法。該方法通過(guò)在去耦支路引入一個(gè)串聯(lián)電阻,使PDN的損耗增加,從而抑制PDN并聯(lián)諧振。給出了理論模型,借助Hyperlynx
2013-09-26 15:20:40
23 并聯(lián)IGBT模塊靜動(dòng)態(tài)均流方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:41
7 開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)
2017-02-07 15:27:34
47 均流的主要任務(wù)是:
(1)當(dāng)負(fù)載變化時(shí),每臺(tái)電源的輸出電壓變化相同。
?。?)使每臺(tái)電源的輸出電流按功率份額均攤。
2017-08-31 09:25:29
12 電源并聯(lián)的自動(dòng)均流技術(shù)及其應(yīng)用
2017-09-14 09:11:10
31 ]和[6]還從均流系數(shù)的角度,給出了對(duì)器件的要求。然而從器件及其篩選匹配方面,我們認(rèn)為還有進(jìn)一步的探討和研究的必要。從事器件應(yīng)用的,注重器件的內(nèi)在性能;從事器件設(shè)計(jì)的,注重線路對(duì)器件的要求,兩方面的結(jié)合是提升器件性
2017-10-31 10:11:13
11 但是電源輸出參數(shù)的擴(kuò)展,僅僅通過(guò)簡(jiǎn)單的串、并聯(lián)方式還不能完全保證整個(gè)擴(kuò)展后的電源系統(tǒng)穩(wěn)定可靠的工作。不論電源模塊是擴(kuò)壓還是擴(kuò)流,均存在一個(gè)“均壓”、“均流”的問(wèn)題,而解決方法的不同,對(duì)整個(gè)電源擴(kuò)展系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性都有很大的影響。
2017-11-09 15:02:57
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針對(duì)單臺(tái)穩(wěn)壓電源功率無(wú)法滿足大型航天器測(cè)試供電的問(wèn)題,設(shè)計(jì)了一種多電源并聯(lián)均流的航天器測(cè)試供電系統(tǒng)。采用通用性強(qiáng)的VC#軟件編程實(shí)現(xiàn)了均流的自動(dòng)閉環(huán)控制,通過(guò)硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)中各電源電氣獨(dú)立
2017-11-14 17:54:56
12 集成度、豐富且性能出眾的片上外設(shè)、編程復(fù)雜度低等優(yōu)點(diǎn)。數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)以數(shù)字通信和控制的方式實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源模塊的并聯(lián)工作,提供更大的輸出功率,具有組合靈活、可靠性高、人機(jī)接口友善、工作模式多樣等優(yōu)點(diǎn)。本文采用STM32F103VET6處理器作為主
2017-11-30 16:06:01
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摘要:為了實(shí)現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案,并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片,通過(guò)CAN總線
2017-12-12 11:54:37
2 系統(tǒng)UPS之問(wèn)產(chǎn)生環(huán)流,降低UPS并聯(lián)系統(tǒng)的均流特性和穩(wěn)定性。為解決該問(wèn)題,在電壓電流雙閉環(huán)之外引入虛擬電阻環(huán)節(jié),虛擬阻抗的加入可減小UPS逆變器參數(shù)不同造成的輸出內(nèi)阻抗差異,提高均流控制精度。詳細(xì)介紹了虛擬阻抗對(duì)UPS并聯(lián)系統(tǒng)均流特性的影響。兩臺(tái)單套功率40 kVA的三相四線
2017-12-13 16:04:09
22 目前國(guó)內(nèi)大部分的模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì),都使用了有源法。這種方法采用均流母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過(guò)取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)均流,具有效率高的優(yōu)點(diǎn)。
2018-03-06 14:27:34
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在之前的介紹中,我們分別介紹了兩種模塊電源的并聯(lián)方法,這兩種方式都有其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)并能將多個(gè)模塊實(shí)現(xiàn)并聯(lián)均流。
2018-07-16 15:45:22
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整流二極管的并聯(lián)使用要實(shí)現(xiàn)均流是一個(gè)難題。最主要的原因是二極管是正溫度系數(shù)的器件。
2019-09-07 11:01:19
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并聯(lián)的各模塊的外特性呈下垂特性,負(fù)載越重,輸出電壓越低。在并聯(lián)時(shí),外特性硬(內(nèi)阻?。┑哪K輸出電流大;外特性軟的模塊輸出電流小。
2020-03-08 11:18:00
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通常模塊電源并聯(lián)要解決的首要問(wèn)題就是均流問(wèn)題。均流以保證模塊間電流應(yīng)力和熱應(yīng)力的均勻分配,防止一臺(tái)或多臺(tái)模塊運(yùn)行在電流極限狀態(tài)。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">并聯(lián)運(yùn)行的各模塊特性并不一致,外特性好的可能承擔(dān)更多的電流,甚至
2020-10-06 18:08:00
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,沒(méi)有并聯(lián),就不是IGBT。 但是這里面就牽扯到并聯(lián)均流問(wèn)題。 2、芯片越大越好? 有些人感覺(jué)把IGBT芯片做大一點(diǎn),一顆頂兩顆,這樣就可以減少封裝中的并聯(lián)均流問(wèn)題了。事實(shí)顯然沒(méi)有那么簡(jiǎn)單。 首先,IGBT芯片是很多個(gè)元胞組成的,按15um的元胞寬度,方形
2022-11-15 17:18:00
4648 決該矛盾的有效方法。然而,并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無(wú)法達(dá)到完全的對(duì)稱,使得理想化的靜、動(dòng)態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。本文主要分析和比較了驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對(duì)于并聯(lián)IGBT均流特性的影響,并
2021-02-14 11:43:00
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的差異,導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性,設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù),給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果,試驗(yàn)結(jié)果表明了對(duì)并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2021-04-12 15:23:32
24 分析了下垂電流的分配方法,并提出了一種提出了一般設(shè)計(jì)程序。 結(jié)果表明N + 1電源的均流精度是輸出電壓設(shè)定點(diǎn)精度,輸出電壓下降的斜率和控制環(huán)路的增益。 發(fā)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)均流精度為輸出電壓的10%并聯(lián)電源需要設(shè)置在0.35%以內(nèi)。 這設(shè)計(jì)程序的準(zhǔn)確性與三個(gè)并聯(lián)工作的電源的測(cè)量結(jié)果。
2021-04-16 09:46:46
8 開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)(史上最牛電源技術(shù)總結(jié))-?開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)摘 要:大功率輸出和分布式電源是電源技術(shù)發(fā)展的方向,而并聯(lián)開(kāi)關(guān)變換器模塊間采用均流技術(shù),是實(shí)現(xiàn)
大功率電源和冗余電源的關(guān)鍵,本文
2021-09-27 09:21:28
45 兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時(shí)間:2018-08-07 08:46 來(lái)源:電工之家兩個(gè)開(kāi)關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開(kāi)關(guān)電源并聯(lián)使用,就是我們常說(shuō)的開(kāi)關(guān)電源有均流功能,只有開(kāi)關(guān)電源有均流功能的才可以并聯(lián)
2021-11-07 11:21:04
17 由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對(duì)稱等,必引起器件電流分配不均,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使器件失效甚至損壞主電路,因此,IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過(guò)設(shè)計(jì)確保均流。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)均流措施包括:降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:33
4225 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:15
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IGBT模塊并聯(lián)的挑戰(zhàn)是在考慮不同模塊參數(shù)的情況下了解功率轉(zhuǎn)換器的必要降額。這種理解對(duì)于在熱和安全操作限制內(nèi)正確并行運(yùn)行模塊非常重要。本文介紹了如何分析模塊參數(shù)對(duì)功率模塊并聯(lián)運(yùn)行的均流和開(kāi)關(guān)能量不平衡的影響的方法。
2023-03-08 15:06:00
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將電阻R1與電容C1串聯(lián),電阻R2與電容C2并聯(lián)所組成的網(wǎng)絡(luò),稱為RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)。一般兩個(gè)電阻取值相同,兩個(gè)電容取值也相同。所謂選頻,指的是這個(gè)電路可以“選”出特定的頻率,并通過(guò)后續(xù)的正反饋
2023-05-01 09:40:00
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目前國(guó)內(nèi)大部分的電源模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì),都使用了有源法。這種方法采用均流母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過(guò)取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)均流
2023-05-02 14:57:00
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驅(qū)動(dòng)電路對(duì)動(dòng)態(tài)均流的影響:驅(qū)動(dòng)電路對(duì)并聯(lián)均流的影響也是顯而易見(jiàn)的,如果并聯(lián)工作的IGBT驅(qū)動(dòng)電路不同步,則先驅(qū)動(dòng)的IGBT要承擔(dān)大得多的動(dòng)態(tài)電流。
2023-10-20 10:31:55
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N+1個(gè)熱插拔電源模塊并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì) 摘要 目前工業(yè)及國(guó)防領(lǐng)域中對(duì)開(kāi)關(guān)電源的體積、功率、可靠性等要求高,急需一種新型拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">電源系統(tǒng)。介紹了一種采用Vicor高功率密度器件設(shè)計(jì)的具有熱插拔功能
2024-11-21 09:36:25
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一、什么是UPS并機(jī)均流性能UPS(不間斷電源)并機(jī)均流性能指的是在多臺(tái)UPS并聯(lián)運(yùn)行時(shí),各臺(tái)UPS能夠均勻分擔(dān)負(fù)載電流的能力。在實(shí)際應(yīng)用中,為了確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,往往需要采用多臺(tái)UPS
2025-01-10 17:23:38
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碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:01
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。因此,如何保證并聯(lián)MOS管的電流均流,是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面,探討實(shí)現(xiàn)電流均流的方法: 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻(Rds(on)) :MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:35
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電力電子電路設(shè)計(jì),有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無(wú)法滿足應(yīng)用需求,此時(shí)可以通過(guò)并聯(lián)或串聯(lián)方式來(lái)增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時(shí)需要解決均流問(wèn)題,串聯(lián)時(shí)要保證均壓,否則會(huì)導(dǎo)致器件提前失效
2025-03-17 11:45:36
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的整體可靠性。然而,MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡(jiǎn)單的“多加幾個(gè)”過(guò)程,必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn),優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51
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實(shí)現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而,F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會(huì)面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用:提高耐壓能力問(wèn)題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓(VRRM)通常
2025-07-23 09:56:29
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評(píng)論