通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件，可以獲得更高輸出電流，滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)。
2025-05-23 10:52:48
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在電力電子領(lǐng)域，當(dāng)多個(gè)SiC MOSFET模塊并聯(lián)時(shí)，受器件參數(shù)、寄生參數(shù)等因素影響，會出現(xiàn)動態(tài)電流不均的問題，制約系統(tǒng)性能。本章節(jié)帶你探究SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題。
2025-05-30 14:33:432260 
參數(shù)會有所差異，電源模塊并聯(lián)造成了各個(gè)模塊電應(yīng)力和熱應(yīng)力不同，大大降低了整個(gè)電源系統(tǒng)的可靠性運(yùn)行。為了保證各個(gè)模塊所受到的電應(yīng)力和熱應(yīng)力基本相同，需要對并聯(lián)模塊采用并聯(lián)均流技術(shù)。
2025-08-26 09:28:1515982 
本文通過對常用的電流檢測方法與均流控制的分析研究，提出了用一個(gè)RC網(wǎng)絡(luò)檢測電源輸出電流的方法，并在這種電流檢測方法的基礎(chǔ)上給出了一種簡單的并聯(lián)系統(tǒng)均流的方案。
2011-11-21 14:14:2923048 SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關(guān)速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。
2021-09-06 11:06:234940 
LTC4350 - Hot Swappable Load Share Controller - Linear Technology
2022-11-04 17:22:44
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián)，這個(gè)并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2024-01-08 07:21:12
DCDC的并聯(lián)均流怎么設(shè)計(jì)
2022-05-05 11:01:21
誰能幫我解釋一下：IGBT均流的問題：三相逆變的電流不平衡，相與相之間的電流相差10-15安培（兩個(gè)IGBT并聯(lián)在一起為一相電流）？
2012-06-02 09:02:05
等級，從而提升變流器的功率等級?？紤]到前者功率密度相對較低，從性價(jià)比出發(fā)，IGBT并聯(lián)技術(shù)是最好的選擇。1IGBT并聯(lián)運(yùn)行分析1.1 影響并聯(lián)IGBT均流的主要因素1)IGBT和反并聯(lián)二極管靜態(tài)參數(shù)
2015-03-11 13:18:21
MOS管具有正溫度系數(shù)，網(wǎng)上很多說不需要均流電阻。三極管是負(fù)溫度系數(shù)，才需要在發(fā)射極串接均流電阻。網(wǎng)上看到有人說，MOS管只在一定的電流范圍內(nèi)才能起到均流作用，那么大電流下還是要加均流電阻咯?，F(xiàn)在
2021-01-05 18:19:30
MOS管并聯(lián)均流技術(shù)分析IGBT管并聯(lián)均流技術(shù)分析BJT 管并聯(lián)均流技術(shù)分析普通的功率MOSFET因?yàn)閮?nèi)阻低、耐壓高、電流大、驅(qū)動簡易等優(yōu)良特性而得到了廣泛應(yīng)用。當(dāng)單個(gè)MOSFET的電流或耗散功率
2015-07-24 14:24:26
ZigBee技術(shù)在礦燈監(jiān)控中的應(yīng)用研究
2013-03-15 13:27:33
均流。均流的方法有很多種。例如：1.輸出阻抗法，又叫下垂法、傾斜法、電壓調(diào)整率法。是通過調(diào)節(jié)電源的輸出內(nèi)阻的方式來實(shí)現(xiàn)的。這個(gè)方法的特點(diǎn)是簡單。但最大的缺點(diǎn)是電壓調(diào)整率差。2.主從設(shè)置法，人為的在并聯(lián)
2018-07-28 14:13:50
流技術(shù)，那么這些技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用的過程中應(yīng)該如何進(jìn)行選擇？下面我們將會通過一個(gè)案例進(jìn)行實(shí)例說明，看在實(shí)際操作中怎樣選擇最恰當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">并聯(lián)均流輸出方法?！ ≡诒景咐?，我們要求設(shè)計(jì)并制作一個(gè)由兩個(gè)額定輸出功率
2018-10-23 15:58:49
的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果，試驗(yàn)結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2023-09-19 07:45:32
準(zhǔn)備用幾個(gè)鋰電池并聯(lián)做大電流放電(2.5A峰值)用不用均流？有專門的IC賣嗎？求解答謝謝~
2016-01-05 17:50:04
本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細(xì)分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機(jī)為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實(shí)現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報(bào)警的計(jì)算機(jī)均流技術(shù)方案,實(shí)現(xiàn)了數(shù)字均流的智能化控制。
2011-03-09 12:20:43
某顆MOS管的電流比較大，這顆MOS管會發(fā)熱比較嚴(yán)重，內(nèi)阻會升高比較多，電流就會降下來，由此可以分析出MOS管有自動均流的特性而易于并聯(lián)。 2.MOS管的并聯(lián)電路 理論上MOS管可以由N顆并聯(lián)
2018-10-12 16:47:54
在電源的設(shè)計(jì)開發(fā)中，對于大功率電源的使用范圍也是越來越廣泛，此類電源是開關(guān)電源的一種，比較廣泛的應(yīng)用與電力通訊行業(yè)。大功率開關(guān)電源也同樣在近來幾年中開端盛行并聯(lián)均流的供電規(guī)劃。如今這樣的并聯(lián)均流
2016-04-07 11:40:06
兩相交錯(cuò)并聯(lián)Boost電路，當(dāng)兩支路的電感大小不同，而引起兩支路電流不相等時(shí)，應(yīng)該如何調(diào)節(jié)？？如何實(shí)現(xiàn)均流呢？？求助
2016-11-27 14:01:01
并聯(lián)的話，多個(gè)負(fù)載間電流差異可能比較大。在網(wǎng)上也查了些資料，大部分是講恒流負(fù)載功率擴(kuò)展并聯(lián)的，但是恒壓負(fù)載并聯(lián)使用的基本沒找到什么資料？請教高手指點(diǎn)一下，不甚感激?。?！
2018-10-11 17:56:37
經(jīng)常使用的均流技術(shù)有6種
2021-03-16 06:59:35
系統(tǒng)的發(fā)展和負(fù)載功率的擴(kuò)大，促使人們研究和應(yīng)用開關(guān)轉(zhuǎn)換器模塊的并聯(lián)冗余技術(shù)?！ 〈蠊β实墓╇婋娫聪到y(tǒng)，需要用若干臺AC/DC或DC/DC轉(zhuǎn)換器并聯(lián)工作以滿足負(fù)載功率的要求。例如，通信用輸出為48 V
2011-11-10 11:29:25
有關(guān)buck并聯(lián)供電系統(tǒng)中均流方案怎么弄
2017-04-17 23:59:52
和可靠運(yùn)行。均流技術(shù)就是對系統(tǒng)中各并聯(lián)電源的輸出電流加以控制，盡可能均分系統(tǒng)輸入總電流，確保多臺電源可靠運(yùn)行的一種特殊措施。圖1所示為多臺開關(guān)電源并聯(lián)均流實(shí)現(xiàn)大功率電源系統(tǒng)的示意圖。本文就自動均流技術(shù)
2011-07-13 15:19:57
都只能做到500W，假如先做4路并聯(lián)，均流問題有什么好的方案可以推薦嗎？如果后面再采用三個(gè)2KW并聯(lián)，這個(gè)并聯(lián)均流問題如何解決，能推薦一下嗎？謝謝！
2018-07-27 08:56:50
模塊電源市場日趨成熟，并聯(lián)均流有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-03-16 09:24:11
概述：LTC4350采用16引線窄體SSOP封裝，輸出電壓從1.5V至12V。允許系統(tǒng)均衡地使用多個(gè)以并聯(lián)方式相連的模塊,當(dāng)其中某一模塊出現(xiàn)故障時(shí),能夠使故障系統(tǒng)自動從系統(tǒng)中斷開,并進(jìn)行故障報(bào)警。
2021-04-09 07:28:42
基于LTC4350的并聯(lián)均流技術(shù)應(yīng)用研究(2)
2019-04-22 11:40:09
提出了一種逆變器無互連線并聯(lián)系統(tǒng)的基準(zhǔn)信號同步和均流控制解耦的控制思想，研究了基于電力線通信（PLC）的基準(zhǔn)同步先行的并聯(lián)控制方法以及基于數(shù)字信號處理器（DSP）的實(shí)
2009-04-08 15:09:22
18 :介紹了IGBT 擴(kuò)容的并聯(lián)方法,分析了導(dǎo)致IGBT 模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)不均流的各種因素,提出了相應(yīng)的解決措施,并進(jìn)行了仿真分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流
2009-05-01 09:56:5657 SVPWM在并聯(lián)有源電力濾波中的應(yīng)用研究及仿真:摘要：針對典型的三相整流電路對電網(wǎng)產(chǎn)生的影響，研究易于數(shù)字化的SVPWM 與無差拍算法，將其應(yīng)用于并聯(lián)有源電力濾波器內(nèi)層跟蹤控
2009-09-21 08:35:3635 針對平均電流均流法的不足，給出了在平均電流均流法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的最大電流均流法及其均流控制的分析；為了實(shí)現(xiàn)模塊化電源系統(tǒng)的支路限流功能，提出了一種電壓環(huán)和限
2009-10-16 09:04:3223 模塊電源并聯(lián)使用時(shí)均流問題的資料:Analysis, Design, and Performance Evaluation of Droop Current-Sharing
2009-11-28 11:17:4833 本文在對APFC大功率高頻開關(guān)電源研究的過程中，著重對開關(guān)管的并聯(lián)均流技術(shù)進(jìn)行了深入研究，并對一種新的并聯(lián)均流技術(shù)進(jìn)行了理論分析、模擬仿真，結(jié)合中功率(3KW)ZVT-APFC模
2009-12-16 14:17:25102 本文針對UPS 逆變器無互連線并聯(lián)系統(tǒng)，結(jié)合均流的基本原理提出了均流的一種方案，并通過理論分析和仿真結(jié)果與原有PQ 法進(jìn)行了比較。結(jié)果表明，該方案在線性負(fù)載均流性能良
2010-01-11 14:25:3943 本文針對UPS逆變器無互連線并聯(lián)系統(tǒng),結(jié)合均流的基本原理提出了均流的一種方案,并通過理論分析和仿真結(jié)果與原有PQ法進(jìn)行了比較。結(jié)果表明,該方案在線性負(fù)載均流性能良好的情況
2010-07-14 16:13:1625 論文中采用推挽式PWM DC／DC電路研制了大功率開關(guān)電源的子模塊，并設(shè)計(jì)出多個(gè)電源模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)的均流控制電路。論文重點(diǎn)分析了相關(guān)工作原理，設(shè)計(jì)了電路參數(shù)，研制成
2010-08-14 17:18:46344 摘要：介紹了將電源模塊并聯(lián)，并構(gòu)成冗余結(jié)構(gòu)進(jìn)行供電的好處，講述了幾種傳統(tǒng)的并聯(lián)均流電路，討論了各種方式下的工作過程及優(yōu)缺點(diǎn)，并對均流技術(shù)的發(fā)展做了展望。
2006-03-11 13:10:543660 
功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究
對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進(jìn)行了研究，詳細(xì)分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參
2009-06-30 13:38:074092 
UPS逆變模塊的Nm冗余并聯(lián)結(jié)構(gòu)和均流
0 引言
隨著國民經(jīng)濟(jì)的發(fā)展和用電設(shè)備的不斷增加，對UPS容量的要求越來越大。大容量的UPS有兩
2009-07-06 08:18:171227 
電源模塊并聯(lián)供電的冗余結(jié)構(gòu)及均流技術(shù)
摘要：介紹了將電源模塊并聯(lián)，并構(gòu)成冗余結(jié)構(gòu)進(jìn)行供電的好處，講述了幾種傳統(tǒng)的并聯(lián)均
2009-07-11 13:57:323833 
高頻開關(guān)電源的并聯(lián)均流系統(tǒng)
摘要：介紹了高頻開關(guān)電源的控制電路和并聯(lián)均流系統(tǒng)?？刂齐娐凡捎肨L494脈寬調(diào)制控制器來產(chǎn)生PWM脈
2009-07-14 08:16:341225 
開關(guān)電源并聯(lián)系統(tǒng)的數(shù)字均流技術(shù)
摘要：分布式電源系統(tǒng)應(yīng)用中，并聯(lián)開關(guān)變換器模塊間需要采用均流措施，
2009-07-15 09:14:433016 
逆變器并聯(lián)運(yùn)行中的均流技術(shù)
1引言
單個(gè)電源組件的容量是有限的，為了增加電源的容量，提高供電可靠性，常采
2009-07-17 08:29:034987 
UC3902均流芯片的應(yīng)用
摘要：在直流模塊并聯(lián)方案中，自主均流法以其優(yōu)越的性能而得到廣泛的應(yīng)用。UC3902芯片的問世，
2009-07-20 15:07:5311272 開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)
Technique of Parallel Balanced Current in SMPS
摘要：討論幾種常用的開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)，闡述其主要工作原理及特點(diǎn)。
2009-07-24 12:07:143295 
本文主要通過對Droop法DC/DC變換器
并聯(lián)均流技術(shù)的
研究，設(shè)計(jì)了一種基于反激式電路拓?fù)涞膬蓚€(gè)DC/DC變換器
并聯(lián)輸出的
均流變換器。
單端反激電路的電路拓?fù)浼肮ぷ?/div>
2010-08-26 11:31:017985 
摘要：本文首先分析了電源的并聯(lián)特性及均流的一般原理,又詳細(xì)分析了幾種電源并聯(lián)均流的技術(shù),最后提出了基于AVR單片機(jī)為控制核心,附帶有RS485通信協(xié)議、電壓電流采集和顯示以及調(diào)節(jié)電源的輸出電壓和實(shí)現(xiàn)各路電源的異常工作的聲光報(bào)警的計(jì)算機(jī)均流技術(shù)方案,實(shí)
2011-02-18 13:25:01133 摘要:介紹了IGBT 擴(kuò)容的并聯(lián)方法,分析了導(dǎo)致IGBT 模塊并聯(lián)運(yùn)行時(shí)不均流的各種因素,提出了相應(yīng)的解 決措施,并進(jìn)行了仿真分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。 關(guān)鍵詞:絕緣柵雙極晶體管; 并聯(lián)/ 靜態(tài)均流; 動態(tài)均流
2011-03-08 15:33:27112 文中分析了LTC4350自主均流法的工作原理和性能特點(diǎn)，采用LTC4350制作了兩塊實(shí)驗(yàn)電源模塊，并讓其并聯(lián)工作，做均流和熱插拔實(shí)驗(yàn)，達(dá)到了滿意的效果。
2011-08-17 15:48:332131 
本內(nèi)容介紹了平面變壓器中并聯(lián)繞組的均流設(shè)計(jì)
2011-11-10 17:04:1861 如果均流母線是并聯(lián)模塊電流的平均值，則是平均值均流法;如果是并聯(lián)模塊電流的最大值，則是最大值均流法;如果均流母線是并聯(lián)模塊中的主模塊的電流，則就是主從均流法。
2011-11-21 14:24:359963 基于SVPWM并聯(lián)有源電力濾波的應(yīng)用研究及仿真
2016-04-18 10:13:4511 LCL型濾波器在并聯(lián)APF中的應(yīng)用研究_王紅艷
2016-12-30 15:05:075 ZigBee和GPRS技術(shù)在水文監(jiān)測系統(tǒng)中的應(yīng)用研究
2017-01-08 15:31:3510 并聯(lián)IGBT模塊靜動態(tài)均流方法研究_肖雅偉
2017-01-08 10:11:417 基于UWB無線通信技術(shù)在礦井中的應(yīng)用研究
2020-11-18 09:41:0711 開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)
2017-02-07 15:27:3447 一種用于工作流的結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)模型及應(yīng)用研究_胡飛虎
2017-03-19 11:45:570 均流的主要任務(wù)是：
?。?）當(dāng)負(fù)載變化時(shí)，每臺電源的輸出電壓變化相同。
?。?）使每臺電源的輸出電流按功率份額均攤。
2017-08-31 09:25:2912 電源并聯(lián)的自動均流技術(shù)及其應(yīng)用
2017-09-14 09:11:1031 自動均流技術(shù)及負(fù)載均流集成電路控制器
2017-09-18 10:33:4215 ］和［6］還從均流系數(shù)的角度，給出了對器件的要求。然而從器件及其篩選匹配方面，我們認(rèn)為還有進(jìn)一步的探討和研究的必要。從事器件應(yīng)用的，注重器件的內(nèi)在性能；從事器件設(shè)計(jì)的，注重線路對器件的要求，兩方面的結(jié)合是提升器件性
2017-10-31 10:11:1311 但是電源輸出參數(shù)的擴(kuò)展，僅僅通過簡單的串、并聯(lián)方式還不能完全保證整個(gè)擴(kuò)展后的電源系統(tǒng)穩(wěn)定可靠的工作。不論電源模塊是擴(kuò)壓還是擴(kuò)流，均存在一個(gè)“均壓”、“均流”的問題，而解決方法的不同，對整個(gè)電源擴(kuò)展系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性都有很大的影響。
2017-11-09 15:02:5714993 
針對單臺穩(wěn)壓電源功率無法滿足大型航天器測試供電的問題，設(shè)計(jì)了一種多電源并聯(lián)均流的航天器測試供電系統(tǒng)。采用通用性強(qiáng)的VC#軟件編程實(shí)現(xiàn)了均流的自動閉環(huán)控制，通過硬件架構(gòu)設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)中各電源電氣獨(dú)立
2017-11-14 17:54:5612 主從法適用于電流型控制的并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)中。這種均流系統(tǒng)中有電壓控制和電流控制，形成雙閉環(huán)控制系統(tǒng)。這種方法要求每個(gè)模塊問有通訊，所以使系統(tǒng)復(fù)雜化，并且當(dāng)主模塊失效時(shí)，整個(gè)電源系統(tǒng)便不能工作。
2018-07-05 07:06:005334 
系統(tǒng)UPS之問產(chǎn)生環(huán)流，降低UPS并聯(lián)系統(tǒng)的均流特性和穩(wěn)定性。為解決該問題，在電壓電流雙閉環(huán)之外引入虛擬電阻環(huán)節(jié)，虛擬阻抗的加入可減小UPS逆變器參數(shù)不同造成的輸出內(nèi)阻抗差異，提高均流控制精度。詳細(xì)介紹了虛擬阻抗對UPS并聯(lián)系統(tǒng)均流特性的影響。兩臺單套功率40 kVA的三相四線
2017-12-13 16:04:0922 目前國內(nèi)大部分的模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì)，都使用了有源法。這種方法采用均流母線方式，各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián)，通過取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)均流，具有效率高的優(yōu)點(diǎn)。
2018-03-06 14:27:3413616 
LTC7851 / LTC7851-1 是四通道輸出、多相同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器，其運(yùn)用了一種恒定頻率電壓模式架構(gòu)。當(dāng)與其內(nèi)部均流環(huán)路并聯(lián)時(shí)，這兩款器件可在通道之間保持卓越的電流平衡。無損 DCR
2018-07-11 09:45:002299 
整流二極管的并聯(lián)使用要實(shí)現(xiàn)均流是一個(gè)難題。最主要的原因是二極管是正溫度系數(shù)的器件。
2019-09-07 11:01:1915255 
，沒有并聯(lián)，就不是IGBT。 但是這里面就牽扯到并聯(lián)均流問題。 2、芯片越大越好？ 有些人感覺把IGBT芯片做大一點(diǎn)，一顆頂兩顆，這樣就可以減少封裝中的并聯(lián)均流問題了。事實(shí)顯然沒有那么簡單。 首先，IGBT芯片是很多個(gè)元胞組成的，按15um的元胞寬度，方形
2022-11-15 17:18:004648 我們經(jīng)常使用的均流技術(shù)有 6 種，分別為： 1. 改變單元輸出內(nèi)阻法（斜率控制法）； 改變單元輸出內(nèi)阻法有兩種方式：一是固定輸出電壓，然后改變斜率，另一個(gè)是固定斜率，然后改變輸出電壓 2. 主
2022-11-30 10:46:433438 的差異，導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時(shí)電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器均流的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)均流特性，設(shè)計(jì)了輸出電抗器參數(shù)，給出了仿真和試驗(yàn)結(jié)果，試驗(yàn)結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2021-04-12 15:23:3224 分析了下垂電流的分配方法，并提出了一種提出了一般設(shè)計(jì)程序。 結(jié)果表明N + 1電源的均流精度是輸出電壓設(shè)定點(diǎn)精度，輸出電壓下降的斜率和控制環(huán)路的增益。 發(fā)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)均流精度為輸出電壓的10％并聯(lián)電源需要設(shè)置在0.35％以內(nèi)。 這設(shè)計(jì)程序的準(zhǔn)確性與三個(gè)并聯(lián)工作的電源的測量結(jié)果。
2021-04-16 09:46:468 LTC3860：具有均流功能的雙相多相降壓型DC/DC控制器
2021-04-25 20:36:549 LTC3861-1：帶精確均流數(shù)據(jù)表的雙相多相降壓型DC/DC控制器
2021-04-27 10:27:539 LTC3861：雙相、多相降壓模式DC/DC控制器，具有精確的均流數(shù)據(jù)表
2021-05-17 15:30:237 開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)(史上最牛電源技術(shù)總結(jié))-?開關(guān)電源并聯(lián)均流技術(shù)摘 要：大功率輸出和分布式電源是電源技術(shù)發(fā)展的方向，而并聯(lián)開關(guān)變換器模塊間采用均流技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)
大功率電源和冗余電源的關(guān)鍵，本文
2021-09-27 09:21:2845 兩個(gè)開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時(shí)間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個(gè)開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源并聯(lián)使用，就是我們常說的開關(guān)電源有均流功能，只有開關(guān)電源有均流功能的才可以并聯(lián)
2021-11-07 11:21:0417 由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對稱等，必引起器件電流分配不均，嚴(yán)重時(shí)會使器件失效甚至損壞主電路，因此，IGBT并聯(lián)的重點(diǎn)是考慮如何通過設(shè)計(jì)確保均流。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)均流措施包括：降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:334225 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:153087 
為了實(shí)現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計(jì)，傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似，以確保它們同時(shí)導(dǎo)通。然而，屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性，并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此，考慮到上述問題，專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案，而無需額外的篩選過程。
2022-08-04 08:59:517058 
目前國內(nèi)大部分的電源模塊并聯(lián)輸出設(shè)計(jì)，都使用了有源法。這種方法采用均流母線方式，各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián)，通過取樣各個(gè)模塊輸出電流進(jìn)行比較進(jìn)而調(diào)整各個(gè)模塊輸出電壓的辦法實(shí)現(xiàn)均流
2023-05-02 14:57:001916 
隨著微流控技術(shù)的不斷發(fā)展，其在生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境監(jiān)測、化學(xué)分析等領(lǐng)域中的應(yīng)用越來越廣泛，也對相關(guān)器件的性能提出了更高的要求。其中，高壓放大器作為一種電子元器件，在微流控技術(shù)中具有重要的作用。下面安泰電子將從高壓放大器在微流控技術(shù)中的應(yīng)用研究方面進(jìn)行介紹。
2023-06-05 17:45:001153 
碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:011509 
。因此，如何保證并聯(lián)MOS管的電流均流，是設(shè)計(jì)中的一個(gè)關(guān)鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計(jì)三個(gè)方面，探討實(shí)現(xiàn)電流均流的方法： 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻（Rds(on)） ：MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354244 
電力電子電路設(shè)計(jì)，有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求，此時(shí)可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而，并聯(lián)時(shí)需要解決均流問題，串聯(lián)時(shí)要保證均壓，否則會導(dǎo)致器件提前失效
2025-03-17 11:45:362478 
的整體可靠性。然而，MOSFET并聯(lián)設(shè)計(jì)并非簡單的“多加幾個(gè)”過程，必須考慮到均流、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實(shí)際設(shè)計(jì)中有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51670 
實(shí)現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而，F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會面臨均壓、均流以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用：提高耐壓能力問題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓（VRRM）通常
2025-07-23 09:56:29776 
SiC MOSFET在并聯(lián)應(yīng)用中的安全性和穩(wěn)定性提出了挑戰(zhàn)當(dāng)SiC MOSFET應(yīng)用在橋式電路時(shí)高速開關(guān)動作引發(fā)的串?dāng)_問題嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的可靠性.為了使SiC MOSFET在電路系統(tǒng)中穩(wěn)定運(yùn)行本文主要針對并聯(lián)均流和串?dāng)_抑制問題展開研究.第一部分首先對SiC MOSFET電氣特性
2025-08-18 15:36:271 已全部加載完成
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