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什么是并聯(lián)均流技術(shù)

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2017-11-08 18:20:0417824

電源并聯(lián)技術(shù)在航天器測試中的應(yīng)用

針對單臺穩(wěn)壓電源功率無法滿足大型航天器測試供電的問題,設(shè)計了一種多電源并聯(lián)的航天器測試供電系統(tǒng)。采用通用性強的VC#軟件編程實現(xiàn)了的自動閉環(huán)控制,通過硬件架構(gòu)設(shè)計使得系統(tǒng)中各電源電氣獨立
2017-11-14 17:54:5612

并聯(lián)RC網(wǎng)絡(luò)電源的方法

主從法適用于電流型控制的并聯(lián)開關(guān)電源系統(tǒng)中。這種系統(tǒng)中有電壓控制和電流控制,形成雙閉環(huán)控制系統(tǒng)。這種方法要求每個模塊問有通訊,所以使系統(tǒng)復(fù)雜化,并且當(dāng)主模塊失效時,整個電源系統(tǒng)便不能工作。
2018-07-05 07:06:005334

基于STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計解析

摘要:為了實現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計方案,并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片,通過CAN總線
2017-12-12 11:54:372

虛擬阻抗對UPS并聯(lián)系統(tǒng)控制

系統(tǒng)UPS之問產(chǎn)生環(huán)流,降低UPS并聯(lián)系統(tǒng)的特性和穩(wěn)定性。為解決該問題,在電壓電流雙閉環(huán)之外引入虛擬電阻環(huán)節(jié),虛擬阻抗的加入可減小UPS逆變器參數(shù)不同造成的輸出內(nèi)阻抗差異,提高控制精度。詳細介紹了虛擬阻抗對UPS并聯(lián)系統(tǒng)特性的影響。兩臺單套功率40 kVA的三相四線
2017-12-13 16:04:0922

大功率電源模塊并聯(lián)的設(shè)計方案

目前國內(nèi)大部分的模塊并聯(lián)輸出設(shè)計,都使用了有源法。這種方法采用母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過取樣各個模塊輸出電流進行比較進而調(diào)整各個模塊輸出電壓的辦法實現(xiàn),具有效率高的優(yōu)點。
2018-03-06 14:27:3413616

整流二極管并聯(lián)的實現(xiàn)

整流二極管的并聯(lián)使用要實現(xiàn)是一個難題。最主要的原因是二極管是正溫度系數(shù)的器件。
2019-09-07 11:01:1915255

用基本的物理原理理解IGBT—并聯(lián)不簡單

,沒有并聯(lián),就不是IGBT。 但是這里面就牽扯到并聯(lián)問題。 2、芯片越大越好? 有些人感覺把IGBT芯片做大一點,一顆頂兩顆,這樣就可以減少封裝中的并聯(lián)問題了。事實顯然沒有那么簡單。 首先,IGBT芯片是很多個元胞組成的,按15um的元胞寬度,方形
2022-11-15 17:18:004648

淺談技術(shù)

我們經(jīng)常使用的技術(shù)有 6 種,分別為: 1. 改變單元輸出內(nèi)阻法(斜率控制法); 改變單元輸出內(nèi)阻法有兩種方式:一是固定輸出電壓,然后改變斜率,另一個是固定斜率,然后改變輸出電壓 2. 主
2022-11-30 10:46:433438

分析和比較驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT特性的影響

決該矛盾的有效方法。然而,并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無法達到完全的對稱,使得理想化的靜、動態(tài)電流分布難以實現(xiàn)進而限制了并聯(lián)器件的利用率。本文主要分析和比較了驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)和功率回路耦合特性對于并聯(lián)IGBT特性的影響,并
2021-02-14 11:43:005801

如何使用ARM實現(xiàn)BUCK型開關(guān)電源的設(shè)計

為了滿足計算機、通訊等行業(yè)對高性能電源產(chǎn)品的需求, 提出了一種基于ARM 的BUCK 型開關(guān)電源的設(shè)計方案。文中介紹了BUCK 型的控制方式和并聯(lián)技術(shù), 并在此基礎(chǔ)上給出了系統(tǒng)的硬件電路設(shè)計
2021-01-26 14:15:0023

三相全橋逆變器的并聯(lián)設(shè)計

的差異,導(dǎo)致IGBT并聯(lián)時電流不均衡。本文分析了帶輸出電抗器的三相三相全橋逆變器的并聯(lián)特性,設(shè)計了輸出電抗器參數(shù),給出了仿真和試驗結(jié)果,試驗結(jié)果表明了對并聯(lián)特性分析的合理性及有效性。
2021-04-12 15:23:3224

降壓方法的分析.設(shè)計與性能評估

分析了下垂電流的分配方法,并提出了一種提出了一般設(shè)計程序。 結(jié)果表明N + 1電源的精度是輸出電壓設(shè)定點精度,輸出電壓下降的斜率和控制環(huán)路的增益。 發(fā)現(xiàn)實現(xiàn)精度為輸出電壓的10%并聯(lián)電源需要設(shè)置在0.35%以內(nèi)。 這設(shè)計程序的準(zhǔn)確性與三個并聯(lián)工作的電源的測量結(jié)果。
2021-04-16 09:46:468

開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)

開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)(史上最牛電源技術(shù)總結(jié))-?開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)摘 要:大功率輸出和分布式電源是電源技術(shù)發(fā)展的方向,而并聯(lián)開關(guān)變換器模塊間采用技術(shù),是實現(xiàn) 大功率電源和冗余電源的關(guān)鍵,本文
2021-09-27 09:21:2845

兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源有功能,只有開關(guān)電源有功能的才可以并聯(lián)使用。沒有的切記不可并聯(lián)使用。電工之家百度快照課復(fù)制(可以把網(wǎng)址復(fù)制到百度搜索欄,不是http網(wǎng)址搜索欄)

兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎時間:2018-08-07 08:46 來源:電工之家兩個開關(guān)電源可以并聯(lián)使用嗎開關(guān)電源并聯(lián)使用,就是我們常說的開關(guān)電源有功能,只有開關(guān)電源有功能的才可以并聯(lián)
2021-11-07 11:21:0417

如何通過設(shè)計確保IGBT并聯(lián)

由于并聯(lián)IGBT自身參數(shù)的不一致及電路布局不對稱等,必引起器件電流分配不均,嚴重時會使器件失效甚至損壞主電路,因此,IGBT并聯(lián)的重點是考慮如何通過設(shè)計確保。目前現(xiàn)有的一些IGBT并聯(lián)措施包括:降額法、柵極電阻匹配法、發(fā)射極電阻反饋法、外加電感平衡法等。
2022-02-18 11:11:334225

SiC MOSFET單管的并聯(lián)特性

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題,英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料,幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境,分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的特性。
2022-08-01 09:51:153087

并聯(lián)MOSFET應(yīng)用中的技術(shù)

為了實現(xiàn)良好的并聯(lián)設(shè)計,傳統(tǒng)上選擇 MOSFET——通過篩選——基于它們的閾值電壓相似,以確保它們同時導(dǎo)通。然而,屏蔽 MOSFET 會增加成本和復(fù)雜性,并且仍然容易受到溫度不穩(wěn)定性的影響。因此,考慮到上述問題,專用 MOSFET 技術(shù)可以在并聯(lián)應(yīng)用中提供更好的解決方案,而無需額外的篩選過程。
2022-08-04 08:59:517058

求一種大功率電源模塊并聯(lián)的設(shè)計方案

目前國內(nèi)大部分的電源模塊并聯(lián)輸出設(shè)計,都使用了有源法。這種方法采用母線方式,各模塊之間存在相互關(guān)聯(lián),通過取樣各個模塊輸出電流進行比較進而調(diào)整各個模塊輸出電壓的辦法實現(xiàn)
2023-05-02 14:57:001916

UPS電源“十全十測”之9:UPS并機性能測試

一、什么是UPS并機性能UPS(不間斷電源)并機性能指的是在多臺UPS并聯(lián)運行時,各臺UPS能夠均勻分擔(dān)負載電流的能力。在實際應(yīng)用中,為了確保電力系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性,往往需要采用多臺UPS
2025-01-10 17:23:382163

碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述

碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
2025-02-05 14:36:011509

MOS管的并聯(lián)使用:如何保證電流?

。因此,如何保證并聯(lián)MOS管的電流,是設(shè)計中的一個關(guān)鍵問題。今天我們將從選型、布局和電路設(shè)計三個方面,探討實現(xiàn)電流的方法: 1. MOS管選型與匹配 1.1 選擇參數(shù)一致的MOS管 導(dǎo)通電阻(Rds(on)) :MOS管的導(dǎo)通電阻直接影響電流分配。選擇
2025-02-13 14:06:354244

武漢特高壓串聯(lián)諧振如何突破行業(yè)三大痛點?

,THD<1% 環(huán)境適應(yīng)性差 高溫/高濕環(huán)境易故障 IP54防護 + 寬溫域設(shè)計(-20℃~50℃) ? 二、核心技術(shù)解析 ? ? 動態(tài)頻率跟蹤算法 ?: 采用DSP+FPGA雙芯片架構(gòu),實時計算負載電容變化,諧振頻率誤差±0.05Hz。 ? 高效功率模塊 ?: IGBT并聯(lián)技術(shù),單模塊輸
2025-02-27 13:35:01632

MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何與提高耐壓能力?

電力電子電路設(shè)計,有時單個整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求,此時可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時需要解決問題,串聯(lián)時要保證壓,否則會導(dǎo)致器件提前失效
2025-03-17 11:45:362478

【精選資料】開關(guān)電源、正弦波逆變器、直流無刷電機原理圖資料分享

前往下載2、絕了!六種開關(guān)電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)大到位!開關(guān)電源是利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈
2025-06-24 08:04:42967

并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計中的MDD快恢復(fù)整流器:與耐壓怎么搞?

會考慮將快恢復(fù)整流器進行并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)計。但看似簡單的“疊加”,實際涉及一系列電氣與熱學(xué)挑戰(zhàn),尤其是壓控制問題。本文將深入剖析快恢復(fù)整流器在并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用中
2025-06-25 10:31:08516

并聯(lián)MOSFET設(shè)計指南:、寄生參數(shù)與熱平衡

的整體可靠性。然而,MOSFET并聯(lián)設(shè)計并非簡單的“多加幾個”過程,必須考慮到、寄生參數(shù)與熱平衡等諸多因素。本文將探討如何在實際設(shè)計中有效應(yīng)對這些挑戰(zhàn),優(yōu)化并
2025-07-04 10:03:51670

快恢復(fù)二極管串聯(lián)與并聯(lián)設(shè)計:與應(yīng)用挑戰(zhàn)

實現(xiàn)更高的耐壓或電流能力。然而,F(xiàn)RD在串并聯(lián)應(yīng)用中會面臨壓、以及熱穩(wěn)定性的挑戰(zhàn)。一、串聯(lián)應(yīng)用:提高耐壓能力問題背景單顆快恢復(fù)二極管的反向耐壓(VRRM)通常
2025-07-23 09:56:29776

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