，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。隨著技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣泛運(yùn)用到消費(fèi)類電子等領(lǐng)域，充電器便是其中一項(xiàng)
2020-08-26 09:23:26
8880 SlimQ 65W氮化鎵USB PD快充充電器的包裝盒異于常規(guī)產(chǎn)品，采用黑色的收納盒包裝，相比同類產(chǎn)品更為精致，也可以方便用戶后續(xù)收納使用。
2021-01-06 10:28:405320 點(diǎn)燃半導(dǎo)體業(yè)新戰(zhàn)火。 ? 第三代半導(dǎo)體主要和氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）兩種材料有關(guān)，不少大廠都已先期投資數(shù)十年，近年隨著蘋果、小米及現(xiàn)代汽車等大廠陸續(xù)宣布產(chǎn)品采用新材料的計(jì)劃，讓第三代半導(dǎo)體成為各界焦點(diǎn)。 ? 目前各大廠都運(yùn)用不同
2021-05-10 16:00:573039 / 45W+18W / 18W）最大輸出功率，100-200V 50/60Hz 電網(wǎng)下可提供 50W（45W+5W / 45W / 18W）最大輸出功率。 充電器采用第三代氮化鎵芯片制作，集功率器件、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
的代替材料就更加迫切。
氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅，它的性能成倍提升，而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大。氮化鎵芯片頻率遠(yuǎn)高于硅，有效降低內(nèi)部變壓器等原件體積，同時(shí)優(yōu)秀
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
器件產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)公司及產(chǎn)品進(jìn)展：歐美出于對(duì)我國(guó)技術(shù)發(fā)展速度的擔(dān)憂及遏制我國(guó)新材料技術(shù)的發(fā)展想法，在第三代半導(dǎo)體材料方面，對(duì)我國(guó)進(jìn)行幾乎全面技術(shù)封鎖和材料封鎖。在此情況下，我國(guó)科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)單位立足自主
2019-04-13 22:28:48
、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料?！ ≡诠怆娮?、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率器件在C波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
？到了上個(gè)世紀(jì)六七十年代，III-V族半導(dǎo)體的發(fā)展開辟了光電和微波應(yīng)用，與第一代半導(dǎo)體一起，將人類推進(jìn)了信息時(shí)代。八十年代開始，以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，開辟了人類
2017-05-15 17:09:48
由于換了三星手機(jī)，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機(jī)電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露，我國(guó)計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，...
2021-07-27 07:58:41
氮化鎵也處于這一階段，成本將會(huì)隨著市場(chǎng)需求量加速、大規(guī)模生產(chǎn)、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場(chǎng)也將會(huì)取代傳統(tǒng)的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產(chǎn)，可以大幅降低成本。第三代半導(dǎo)體的普及
2019-07-08 04:20:32
充電的話，還需要去淘寶買一個(gè)type-c轉(zhuǎn)聯(lián)想方口的一個(gè)轉(zhuǎn)接器。這樣下來，首先來講是可以使用的，但是由于快充協(xié)議的不兼容，充電器無法滿血65w為拯救者充電，拯救者原裝充電器是135w。顯而易見是差的很遠(yuǎn)的。筆記本正常使用的情況下，電量會(huì)保持不變，不會(huì)增加也不會(huì)減少。性能方面，我看了網(wǎng)上的文章，他用工
2021-09-14 06:06:21
星、努比亞、魅族在內(nèi)的六款氮化鎵快充充電器。加上華為在P40手機(jī)發(fā)布會(huì)上，也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化鎵快充充電器，成為第七家入局氮化鎵快充的手機(jī)廠商。從各大知名手機(jī)品牌的布局來看，氮化鎵快充普及趨勢(shì)
2021-04-16 09:33:21
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無塵生產(chǎn)車間，為客戶進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵（Gallium Nitride，GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化鋅（Zinc Oxide， ZnO）、氮化鋁（Aluminum
2017-11-10 11:35:57
1 第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。預(yù)測(cè)2018年是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化準(zhǔn)備的關(guān)鍵期，第三代半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將迎來景氣拐點(diǎn)。到2025年，第三代半導(dǎo)體器件將大規(guī)模的使用。
2017-12-19 11:56:163737 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì)，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。
2018-03-29 14:56:1236743 
本文首先介紹了第三代半導(dǎo)體的材料特性，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料性能應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)，最后分析了了我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨著的機(jī)遇挑戰(zhàn)。
2018-05-30 12:37:3336537 
本文首先分別對(duì)第一代半導(dǎo)體材料、第二代半導(dǎo)體材料和第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行了概述，其次介紹了第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)用領(lǐng)域及我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料的前景展望。
2018-05-30 14:27:17152617 耐威科技發(fā)力第三代半導(dǎo)體材料，其氮化鎵材料項(xiàng)目宣布簽約青島。
2018-07-10 11:13:4612767 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料更是引發(fā)全球矚目，攪動(dòng)著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-07-27 15:02:126757 近日科技部高新司在北京組織召開“十二五”期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的“第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)”項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過項(xiàng)目的實(shí)施，我國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光通信等領(lǐng)域取得突破。
2018-09-14 10:51:1621091 
日前，科技部高新司在北京組織召開十二五期間863計(jì)劃重點(diǎn)支持的第三代半導(dǎo)體器件制備及評(píng)價(jià)技術(shù)項(xiàng)目驗(yàn)收會(huì)。通過項(xiàng)目的實(shí)施，中國(guó)在第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵的碳化硅和氮化鎵材料、功率器件、高性能封裝以及可見光
2018-10-24 22:38:02893 近日，RAVPower發(fā)布了一款USB PD充電器新品，這款充電器內(nèi)置了時(shí)下關(guān)注度很高的GaN氮化鎵功率器件，這在業(yè)內(nèi)被稱為第三代半導(dǎo)體。
2018-12-01 09:51:257083 氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。
2019-01-03 09:53:441875 碳化硅、氮化鎵、氧化鎵和金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料（又稱“第三代半導(dǎo)體”），被視為世界各國(guó)競(jìng)相發(fā)展的戰(zhàn)略性、先導(dǎo)性領(lǐng)域，2017年以來亦成為國(guó)內(nèi)重點(diǎn)發(fā)展方向之一，各地政府相繼布局。
2019-01-04 10:38:225245 此前，我們見過了30W、45W、65W的氮化鎵USB PD充電器，但都是單USB-C接口的，今天從供應(yīng)鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器，總功率69W。
2019-03-31 10:07:073556 第三代半導(dǎo)體，又稱寬禁帶半導(dǎo)體，是以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的半導(dǎo)體材料，具備高壓、高溫、高頻大功率等特性。
2019-06-21 10:29:318929 5G將于2020年將邁入商用，加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì)，將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:575001 小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買價(jià)格99元)，同時(shí)小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱“小米GaN充電器Type-C 65W”，功率同樣65W，但更加小巧。
2020-02-13 16:44:014310 小米10系列發(fā)布會(huì)上，雷軍宣布了小米旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，最大功率65W。
2020-02-17 15:03:1811286 小米10 Pro已經(jīng)標(biāo)配一顆65W功率的USB-C充電器(單買價(jià)格99元)，同時(shí)小米還發(fā)布了旗下第一款采用GaN氮化鎵材料的充電器，官方名稱“小米GaN充電器Type-C 65W”，功率同樣65W，但更加小巧。
2020-02-22 21:46:124923 隨著小米在2020年2月13日發(fā)布最65W氮化鎵充電器后，氮化鎵充電器又一次占領(lǐng)各大頭條熱搜榜，就連氮化鎵相關(guān)的證券板塊也波動(dòng)了一番。
2020-03-05 16:01:087765 19年12月份，購買了一款 明星產(chǎn)品：倍思的雙C＋A口 65W 氮化鎵GaN充電器產(chǎn)品。 京東上售價(jià) 268 元； 購買的目的就是想看看 氮化鎵GaN 是個(gè)啥？ 收到實(shí)物，內(nèi)心還是有點(diǎn)小激動(dòng)；外觀
2020-03-16 11:44:166376 “萬畝千億”平臺(tái)添新引擎。3月20日上午，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院簽約落戶嘉興科技城，為順利推進(jìn)氮化鎵射頻及功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，促進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在嘉興科技城集聚發(fā)展。
2020-03-21 10:13:043493 氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料。隨著技術(shù)突破成本得到控制，目前氮化鎵還被廣泛運(yùn)用到消費(fèi)類電子等領(lǐng)域，充電器便是其中一項(xiàng)。
2020-04-08 17:28:3383360 從供應(yīng)鏈獲悉，華為舉行的2020年春季發(fā)布會(huì)上，發(fā)布了一款充電器新品（單品），功率65W。這款充電器屬于GaN（氮化鎵）類型，支持雙口（Type-C和A）模式，能給手機(jī)和平板充電。
2020-04-10 14:45:118295 
昨天紫米推出了一款65W多口充電器，雖未采用氮化鎵材料，但身材同樣十分小巧。整體使用黑色設(shè)計(jì)，采用亮面與磨砂拼色機(jī)身，采用折疊插腳設(shè)計(jì)，支持三臺(tái)設(shè)備同時(shí)充電。
2020-08-26 17:40:06856 第一代材料是硅（Si），大家通俗理解的硅谷，就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。
第二代材料是砷化鎵（GaAs），為4G時(shí)代而生，目前的大部分通信設(shè)備的材料。
第三代材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料，是未來5G時(shí)代的標(biāo)配
2020-09-04 19:07:147928 
7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。 當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車
2020-09-12 09:28:093765 圖爺說 近期，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體概念異軍突起，在上周五大盤低迷的情況下依然創(chuàng)下較好的市場(chǎng)表現(xiàn)。人們的關(guān)注點(diǎn)也開始聚焦在半導(dǎo)體身上。 很多人可能人云亦云，跟風(fēng)購買了半導(dǎo)體股票
2020-09-26 11:04:024596 9月27日，努比亞65W氮化鎵Candy多彩系列充電器正式開售，到手價(jià)僅109元。目前大部分氮化鎵充電器采用黑白色設(shè)計(jì)，而努比亞新品充電器提供藍(lán)、綠、黃、粉四色可選，更加絢麗。
2020-09-27 16:34:161407 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體
2020-09-28 09:52:204126 
？為什么說第三代半導(dǎo)體有望成為國(guó)產(chǎn)替代希望？ 第三代半導(dǎo)體也被稱為寬帶隙半導(dǎo)體，主要是以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬帶隙半導(dǎo)體材料，其帶隙寬度大于2.2eV，是5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)新基建產(chǎn)業(yè)的重要材料，同時(shí)也是
2020-10-29 18:26:406023 
。 什么是第三代半導(dǎo)體？ 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅SiC、氮化鎵GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。 一、二、三代半導(dǎo)體什么區(qū)別？ 一、材料 第一代半導(dǎo)體材料，發(fā)
2020-11-04 15:12:375551 這款90W氮化鎵充電器采用“第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)”，有著更加出色的擊穿能力，更高的電子遷移率和電子密度。有效降低了導(dǎo)阻帶來的發(fā)熱量，最終呈現(xiàn)出高效率和高耐熱性。
2020-11-05 13:58:464997 些新興材料中，碳化硅、氮化鎵技術(shù)目前來看相對(duì)較為成熟，，因此這兩種材料也成為近年來市場(chǎng)布局的重點(diǎn)。下面查IC網(wǎng)小編帶大家一起看一看瑞能半導(dǎo)體沈鑫在全球CEO峰會(huì)發(fā)表的關(guān)于第三代半導(dǎo)體的主題演講。
2020-11-09 17:22:054782 相信最近關(guān)心手機(jī)行業(yè)的朋友們都有注意到“氮化鎵（GaN）”，這個(gè)名詞在近期出現(xiàn)比較頻繁。特別是隨著小米發(fā)布旗下首款65W氮化鎵快充充電器之后，“氮化鎵”這一名詞就開始廣泛出現(xiàn)在了大眾的視野中。那么，引入了“氮化鎵（GaN）”的充電器和傳統(tǒng)的普通充電器有什么不一樣呢？今天我們就來聊聊。
2020-11-20 14:22:3462974 在5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化鎵等第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)被放大。
2020-11-29 10:48:1292796 / 20V 3.25A，采用了第三代氮化鎵功率元件制造，體積非常小巧，重量?jī)H為 94.3g，尺寸為 48×48×27.9mm。為了保證安全，此款充電器具
2020-12-18 09:11:453711 日前，阿里巴巴達(dá)摩院預(yù)測(cè)了2021年科技趨勢(shì)，其中位列第一的是以氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體將迎來應(yīng)用大爆發(fā)。第三代半導(dǎo)體與前兩代有什么不同？為何這兩年會(huì)成為爆發(fā)的節(jié)點(diǎn)？第三代半導(dǎo)體之后
2021-01-07 14:19:484256 去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達(dá)65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩
2021-02-19 16:59:275049 2021年2月19日努比亞官方商城上架了一款全新氮化鎵充電器產(chǎn)品：努比亞65W GaN Pro，這款產(chǎn)品是對(duì)之前努比亞在去年所發(fā)布的氮化鎵充電器系列進(jìn)行的一次升級(jí)。其最大的變化就在于體積上的進(jìn)一步優(yōu)化，并且適應(yīng)更多應(yīng)用場(chǎng)景。
2021-02-20 10:43:033718 去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達(dá)65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩氮化鎵充電器等等。
2021-02-20 14:47:012556 小米 65W 1A1C 氮化鎵充電器，采用了納微半導(dǎo)體 NV6115 GaNFast 氮化鎵功率芯片。該芯片采用 5×6mm 的 QFN 封裝，并且采用高頻軟開關(guān)拓?fù)洌?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵開關(guān)管、獨(dú)立驅(qū)動(dòng)器以及邏輯控制電路。
2021-08-24 09:48:102573 
氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個(gè)非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場(chǎng)迅速增長(zhǎng)之際，65W這個(gè)功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點(diǎn)，從而率先成為了各大品牌的必爭(zhēng)之地，ncp1342替代料PN8213氮化鎵充電器主控芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。
2022-05-09 16:42:314115 
的行業(yè)痛點(diǎn)問題，安睿信科技現(xiàn)已推出基于國(guó)內(nèi)氮化鎵功率器件。 英諾賽科InnoGaN?的INN650設(shè)計(jì)出一系列大功率充電器方案，例如：下面介紹的這款已投放市場(chǎng)批量生產(chǎn)應(yīng)用的65w氮化鎵充電器方案。 GaN氮化鎵65W PD電源方案特點(diǎn)： （1）65W輸出
2022-06-02 15:32:523981 
深圳市譽(yù)鴻錦推出了一款NITRIDE品牌的餅干氮化鎵充電器，充電器內(nèi)置平面變壓器和氮化鎵器件、超薄X2安規(guī)電容，助力超薄設(shè)計(jì)，厚度僅為12.8mm。支持65W輸出功率，雙口同時(shí)使用時(shí)支持功率自動(dòng)分配，且雙口均支持快充，能夠滿足兩個(gè)設(shè)備的同時(shí)快充需求。
2022-12-02 16:35:031734 與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有更好的物理和化學(xué)特性，同時(shí)具有開關(guān)速度快、體積小、效率高、散熱快等
2022-12-08 09:56:031737 氮化鎵（GaN）主要是指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表， 研制微電子器件、光電子器件的新型材料。氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展。第三代半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-02-07 09:36:562408 
第三代半導(dǎo)體材料有哪些 第三代半導(dǎo)體材料: 氨化家、碳化硅、氧化鋅、氧化鋁和金剛石。 從半導(dǎo)體材料的三項(xiàng)重要參數(shù)看，第三代半導(dǎo)體材料在電子遷移率、飽和漂移速率、禁帶寬度三項(xiàng)指標(biāo)上均有著優(yōu)異的表現(xiàn)
2023-02-07 14:06:166766 材質(zhì)上比普通的快充更加的高級(jí)，氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優(yōu)勢(shì)。
2023-02-09 17:24:594889 氮化鎵屬于第三代半導(dǎo)體材料，相對(duì)硅而言，氮化鎵間隙更寬，導(dǎo)電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:509674 為什么，這款倍思65w氮化鎵充電器，不能給我的聯(lián)想小新Air15寸2021款銳龍版筆記本充電呢？？？？？
我在2020年夏天買的一款倍思的65w氮化鎵充電器，具體寫的是GaN2 Pro。使用這款倍
2023-02-21 14:55:000 鎵充電器主控芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。 NCP1342替代料PN8213芯片特征■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路■ 供電電壓9~57V適合寬輸出電壓應(yīng)用■ Valley Lock：技術(shù)提高效率改善系
2023-02-21 14:26:0516 數(shù)碼設(shè)備都支持PD充電，所以挑選一款安全好用的65W氮化鎵充電器，確實(shí)可以讓我們的日常充電更方便一些。 上個(gè)月我用過一款AOHi的20W充電器，感覺質(zhì)量不錯(cuò)，最近AOHi又出了一款65W的氮化鎵充電器，就叫
2023-02-22 15:43:337 鎵充電器主控芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。 NCP1342替代料PN8213芯片特征■ 內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路■ 供電電壓9~57V適合寬輸出電壓應(yīng)用■ Valley Lock：技術(shù)提高效率改善
2023-02-22 15:38:373 氮化鎵充電器的誕生讓大功率的充電器濃縮成一個(gè)小小的產(chǎn)品，不起眼的充電器也能變成發(fā)燒友的玩物，65W功率上已有多款氮化鎵面世，但對(duì)于大功率的氮化鎵
充電器，市面上推出的產(chǎn)品并不多。日前眾籌網(wǎng)站indiegogo上出現(xiàn)了一款100W氮化鎵充電器，他就是SlimQ F100。
2023-02-22 15:24:096 、30W還有65W等不同的規(guī)格，其中兼容性更廣的應(yīng)該還是65W的充電器。 另外今年氮化鎵GaN充電器也開始普及了，市面上的選擇非常豐富，而且體積越來越小，外出使用也毫無壓力，像是我最近用的一款AOHi
2023-02-22 15:25:101 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 15:23:542 第一代、第二代、第三代半導(dǎo)體之間應(yīng)用場(chǎng)景是有差異的。以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景十分廣泛，
從尖端的CPU、GPU、存儲(chǔ)芯片，再到各種充電器中的功率器件都可以做。雖然在某些
2023-02-27 15:20:113 、射頻應(yīng)用中的顯著
性能優(yōu)勢(shì)，第三代半導(dǎo)體逐漸顯露出廣闊的應(yīng)用前景和市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿Α?
所謂第三代半導(dǎo)體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，又稱寬禁帶半導(dǎo)體。常見的第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化
硅（SiC）、氮化鎵
2023-02-27 14:37:561 整流控制IC及PD3.0協(xié)議IC)可達(dá)到最佳匹配。 GaN/氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料經(jīng)常被用在PD快充里面；氮化鎵（GaN）擁有極高的穩(wěn)定性，將GaN用于充電器的整流管后，能降低開關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。 一、方案概述： 尺寸設(shè)計(jì)
2023-03-01 17:25:562624 
愛美雅公司推出的小型 65W 氮化鎵 2C1A 多口充電頭，采用茂睿芯成熟穩(wěn)定的 IC 芯片及第三代半導(dǎo)體制造商-潤(rùn)新微 GaN-MOS，充電器具備 2C1A 三個(gè)輸出接口，兩個(gè) USB-C 口均
2023-04-07 10:59:142743 
、筆記本電腦、路由器等數(shù)碼產(chǎn)品中?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵功率器件，研發(fā)出的快充電源方案，可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率，極大提升充電體驗(yàn)。本文介紹了一款65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案，該方案采用功成半導(dǎo)體最新
2023-04-21 11:00:204182 
又以碳化硅和氮化鎵材料技術(shù)的發(fā)展最為成熟。與第一代、第二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料通常具備更寬的禁帶寬度、更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更高的熱導(dǎo)率，電子飽和速率和抗輻射能力也更勝一籌，在高溫、高壓、高頻、高功率等嚴(yán)苛環(huán)境下，依然能夠保證性能穩(wěn)定。
2023-05-18 10:57:362108 智融65W 氮化鎵 充電器+充電寶二合一全套解決方案！
2023-06-13 09:10:593421 
鎵充電器主控芯片，適用于65w氮化鎵充電器芯片方案。NCP1342替代料PN8213芯片特征■內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路■供電電壓9~57V,適合寬輸出電壓應(yīng)用■Valle
2022-05-07 15:29:192305 
第三代半導(dǎo)體功率器件的理想材料，可以在溶劑中生長(zhǎng)。
2022-01-13 17:39:233688 
第三代半導(dǎo)體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導(dǎo)體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:541658 
材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國(guó)外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體，或?qū)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:276880 
隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子領(lǐng)域正在發(fā)生著深刻的變化。在這個(gè)變化中，第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）技術(shù)成為了焦點(diǎn)，其對(duì)于充電器的性能和效率都帶來了革命性的影響。
在傳統(tǒng)的硅基材料中，電力電子器件
2023-10-11 16:30:48874 近年來，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)熱點(diǎn)之一。
2023-10-16 14:45:062238 驪微電子推出NCP1342國(guó)產(chǎn)化65W氮化鎵pd充電器方案-PN8213，外圍電路更為簡(jiǎn)單，并具有較大的成本及供貨優(yōu)勢(shì)。更多PN821365w氮化鎵充電器芯片產(chǎn)品手冊(cè)及應(yīng)用資料請(qǐng)向芯朋微代理商驪微電子申請(qǐng)。>>
2022-05-17 14:23:4528 供應(yīng)FM2842替代料65W氮化鎵pd充電器方案PN8213，更多PN821365W氮化鎵pd充電器方案產(chǎn)品手冊(cè)及應(yīng)用資料請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。
2022-06-13 15:19:0529 氮化鎵充電器什么意思？氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么？ 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵（GaN）材料制造的充電器。GaN是一種新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高電子遷移率、高熱
2023-11-21 16:15:247002 相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù)，其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來提供電源。相比之下，普通充電器主要依賴于硅材料。這些區(qū)別使得氮化鎵充電器在
2024-01-10 10:01:534543 氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電學(xué)和光學(xué)特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:292310 普通充電器通常采用硅半導(dǎo)體技術(shù)。氮化鎵材料具有許多優(yōu)點(diǎn)，例如高能效、高功率密度和低熱耗散等。相比之下，硅半導(dǎo)體材料的功率密度較低，效率不高，而且容易產(chǎn)生較多的熱量。因此，小米氮化鎵充電器在充電效率和發(fā)熱方面具有明
2024-01-10 10:28:558622 充電頭網(wǎng)拿到了安克的一款65W多口氮化鎵充電器，這款充電器為長(zhǎng)條機(jī)身，具有藍(lán)、白、紫、黑四種配色，外觀設(shè)計(jì)簡(jiǎn)約。充電器配有國(guó)標(biāo)折疊插腳，整體小巧便攜。支持100-240V全球?qū)掚妷狠斎?，并具?b class="flag-6" style="color: red">65W
2024-01-13 08:23:114243 
聯(lián)想發(fā)布的兩款新品——小新105 W三口氮化鎵充電器和拯救者C170W氮化鎵充電器采用，分別主打日常出行和性能電競(jìng)，為消費(fèi)者帶來全新的快充體驗(yàn)。
2024-06-21 14:45:442670 在科技日新月異的今天，充電技術(shù)正不斷取得新的突破。近日，納微半導(dǎo)體宣布其先進(jìn)的GaNFast氮化鎵功率芯片被聯(lián)想兩款全新充電器所采用，為消費(fèi)者帶來了前所未有的快充體驗(yàn)。這兩款充電器分別是小新105W
2024-06-22 14:13:491787 第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛
2024-11-27 16:06:503150 
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102784 
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?b class="flag-6" style="color: red">一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
2024-12-16 14:19:551388 隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
2025-05-22 15:04:051951 第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
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