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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>基美電子新型KC-LINKTM電容器系列為快速開關(guān)寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能

基美電子新型KC-LINKTM電容器系列為快速開關(guān)寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用提供業(yè)界領(lǐng)先性能

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報(bào)名 | 半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會

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2018-07-26 09:09:001153

半導(dǎo)體是什么?該如何理解它比較好?

第三代半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域,包括電力電子,新能源汽車,光伏,機(jī)車牽引,以及微波通訊器件等,由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617

濟(jì)南將建設(shè)半導(dǎo)體小鎮(zhèn) 多項(xiàng)政策支持加快打造百億級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群

近日,2018中國功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會在濟(jì)南召開。會上,國家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè),為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253990

半導(dǎo)體器件的春天要來了嗎?

現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓,轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng),是因?yàn)椋菏紫?,高壓意味著低電流,這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會減少,結(jié)果會直接影響到系統(tǒng)成本的降低;其次,技術(shù)(通過高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038

濟(jì)南半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)開工 將著力打造具有國際影響力的半導(dǎo)體研發(fā)基地和產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)

先行區(qū)的橋頭堡。小鎮(zhèn)總占地面積約4900畝,將分“科技創(chuàng)新孵化區(qū)”、“產(chǎn)業(yè)先進(jìn)智造區(qū)”和“半導(dǎo)體生態(tài)科技城”三大功能區(qū),打造半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)先高地。
2019-05-17 17:18:524422

器件和仿真環(huán)境介紹

半導(dǎo)體提供圍繞帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng),包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外,我們還提供spice物理模型,幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能,縮短昂貴的測試
2020-05-28 09:58:592018

英諾賽科半導(dǎo)體項(xiàng)目完成

資料顯示,英諾賽科半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣,注冊資本20億元,占地368.6畝,主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì),驅(qū)動IC設(shè)計(jì)開發(fā),材料制造,器件制備,后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈
2020-07-06 08:54:551214

為第三代制造工藝提供支持,泰克新推S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)

基于新興GaN和SiC技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品,有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度,更寬的溫度范圍,更好的功率效率,以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297

致工程師系列之四:半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證

第三代半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn),推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換,且支持超快速開關(guān)切換頻率,帶來的測試挑戰(zhàn)也成了
2020-10-30 03:52:111116

Cree Wolfspeed攜手泰克,共迎半導(dǎo)體器件發(fā)展契機(jī)與挑戰(zhàn)

Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn),共同促進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258

半導(dǎo)體SiC功率器件有什么樣的發(fā)展現(xiàn)狀和展望說明

先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展,介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對我國半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:4629

功率MOSFET半導(dǎo)體器件的研究進(jìn)展詳細(xì)資料說明

器件性能的限制被認(rèn)識得越來越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場,也就是選擇半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024

什么是電容器,6種圖像電容器類型和用途

電容器類型和電容器有各種形狀、尺寸、長度和周長,以及各種材料。至少兩個(gè)電導(dǎo)體(稱為“板”)由每個(gè)導(dǎo)體中的絕緣層(稱為電介質(zhì))隔開。許多典型的電子設(shè)備使用電容器作為其電路的一部分。
2021-09-11 16:38:187504

駕馭狼的速度,泰克與忱芯強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手解決半導(dǎo)體測試難題

泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟,雙方將深度整合資源,優(yōu)勢互補(bǔ),圍繞功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作,為客戶解決半導(dǎo)體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217

第16屆“中國芯”-半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會成功舉辦

大會同期舉辦了面向半導(dǎo)體領(lǐng)域的“半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、蘇州晶湛半導(dǎo)體
2021-12-23 14:06:342826

淺談半導(dǎo)體行業(yè)概況

對于半導(dǎo)體行業(yè)目前概況,呂凌志博士直言,半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段,由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣,要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件,就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534541

半導(dǎo)體發(fā)展迅猛 碳化硅MOSFET未來可期

在高端應(yīng)用領(lǐng)域,碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的半導(dǎo)體發(fā)展迅猛,被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771

材料測試

材料是指帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料,以Ⅲ-Ⅴ族材料,SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121578

對話|成本下降對半導(dǎo)體應(yīng)用多重要?

隨著半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降,其應(yīng)用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按: 近年來,以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的半導(dǎo)體,展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢,迎來新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341760

半導(dǎo)體材料將成為電子信息產(chǎn)業(yè)的主宰

碳化硅(SiC)是目前發(fā)展最成熟的半導(dǎo)體材料,世界各國對SiC的研究非常重視,紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展,美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃,而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391947

CeraLink?電容器快速切換逆變器的革新

CeraLink是一系列非常緊湊的電容器,用于穩(wěn)定直流鏈路中的電壓。因此它們適合用作緩沖器或直流母線電容器。這些產(chǎn)品基于PLZT陶瓷,旨在為工程師提供針對快速開關(guān)轉(zhuǎn)換器、空間要求非常緊湊的轉(zhuǎn)換器
2022-12-07 16:25:051640

力科解答功率半導(dǎo)體測試探頭難題!

2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析功率半導(dǎo)體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料,它們具有
2022-12-09 14:29:421621

半導(dǎo)體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

半導(dǎo)體,指的是價(jià)帶和導(dǎo)之間的能量偏差(隙)大,決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)所需要的能量。更寬的隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531

半導(dǎo)體是什么?

半導(dǎo)體泛指室溫下隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料,是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的帶寬度越大,對應(yīng)電子躍遷導(dǎo)能量越大,從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810870

半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域

 第三代半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸,受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483756

什么是半導(dǎo)體?

)為主的半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211801

什么是半導(dǎo)體?

(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。什么是?物質(zhì)的導(dǎo)電需要
2023-05-06 10:31:466543

如何選擇超級電容器型號,超級電容器的選購技巧

超級電容器是一種性能介于常規(guī)電容器和二次電池之間的新型儲能元件,具有功率密度高、免維護(hù)、壽命長等優(yōu)異性能。本文將詳細(xì)介紹超級電容器的優(yōu)勢以及選購超級電容器時(shí)需要考慮的參數(shù)和技巧。
2023-07-19 11:05:062975

半導(dǎo)體紫外光電探測器設(shè)計(jì)研究

半導(dǎo)體光電探測技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用,提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測功能,推動了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092639

第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:291898

半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

碳化硅襯底是新近發(fā)展的半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828

直播回顧 | 半導(dǎo)體材料及功率半導(dǎo)體器件測試

半導(dǎo)體材料。 半導(dǎo)體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件,正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料,在半導(dǎo)體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
2023-11-03 12:10:021785

超級電容器與傳統(tǒng)電容器的區(qū)別 影響超級電容器性能的因素

超級電容器與傳統(tǒng)電容器的區(qū)別 影響超級電容器性能的因素 在現(xiàn)代電子技術(shù)和能量儲存領(lǐng)域,超級電容器(也稱為超級電容)作為一種重要的儲能裝置備受關(guān)注。相較于傳統(tǒng)電容器,超級電容器具有許多獨(dú)特的特征和性能
2024-02-02 10:28:116334

超級電容器的概念是什么?

超級電容器的概念是什么?超級電容技術(shù)介紹超級電容是一種介于傳統(tǒng)電容和蓄電池之間的新型儲能器件,其既具有電容器快速充放電的特性,又具備電池的儲能特性。超級電容器電容量達(dá)到法拉級別,是傳統(tǒng)電容器的數(shù)百
2024-03-22 10:03:125038

超級電容器在高性能電源應(yīng)用中的優(yōu)勢

超級電容器在高性能電源應(yīng)用中的優(yōu)勢超級電容器(法拉電容)作為一種新型儲能技術(shù),在高性能電源應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢,憑借其快速響應(yīng)、高效能儲能、長壽命、低維護(hù)成本、高度可靠和安全、環(huán)保和可持續(xù)等諸多特點(diǎn)
2024-06-04 09:31:011327

理解半導(dǎo)體的重要性和挑戰(zhàn)

功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色,尤其是在可再生能源和電動交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求,我們需充分認(rèn)識并保證(WBG)半導(dǎo)體(如碳化硅(SiC)和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645

安世半導(dǎo)體斥資2億美元擴(kuò)產(chǎn)德國基地,聚焦半導(dǎo)體技術(shù)

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天,芯片制造商N(yùn)experia(安世半導(dǎo)體)再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日,該公司宣布將投資高達(dá)2億美元,用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代半導(dǎo)體產(chǎn)品,并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261671

功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體的區(qū)別

功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別: 材料類型:功率半導(dǎo)體通常由硅(Si)或硅碳化物(SiC)等材料制成,而
2024-07-31 09:07:121517

半導(dǎo)體材料有哪些

半導(dǎo)體材料是指具有較寬的帶寬度(Eg>2.3eV)的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中,半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202

KEMET KC-LINK系列表面安裝電容器的優(yōu)勢和應(yīng)用

KEMET 的 KC-LINK 表面安裝電容器旨在滿足對在更高電壓、溫度和頻率下工作的快速開關(guān)半導(dǎo)體的日益增長的需求。
2024-08-19 10:38:341086

超級電容器和普通電容器的區(qū)別

超級電容器(Supercapacitor)和普通電容器(Capacitor)都是電子設(shè)備中用于儲存和釋放電能的元件,但它們在結(jié)構(gòu)、工作原理、性能參數(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域上有著顯著的不同。 在現(xiàn)代電子技術(shù)中
2024-09-27 10:27:073699

第三代半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102784

車規(guī)電容C2220C系列和C2225C系列的產(chǎn)品優(yōu)勢和典型應(yīng)用

美作為全球領(lǐng)先電子元件制造商,其車規(guī)級多層陶瓷電容器(MLCC)在汽車電子領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。其中,C2220C和C2225C系列是其車規(guī)電容中的代表性產(chǎn)品,具備高可靠性、高耐壓和優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性
2025-08-26 17:06:541479

博世引領(lǐng)半導(dǎo)體技術(shù)革新

隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進(jìn),半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是半導(dǎo)體材料,如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),因其卓越的電氣性能,正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680

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