近日，在深圳福田會展中心舉辦的電源展會上，英諾賽科帶來的全線的氮化鎵產(chǎn)品亮相。高壓器件從650V提升到700V，并且升級了40V/100V/150V平臺。針對消費類、服務器、儲能和汽車這些氮化鎵
2023-03-24 09:10:25
10260 
摘要：英諾賽科推出 100V 雙向導通器件，可在電池管理系統(tǒng)、雙向變換器的高側負荷開關、電源系統(tǒng)中的開關電路等領域實現(xiàn)高效應用。 ? 英諾賽科宣布推出 100V 雙向導通器件
2023-10-13 13:46:591838 
科，在第三代半導體市場快速起量的近幾年發(fā)展如何呢？ ? 三年營收超7 億，虧損累計67 億 英諾賽科在招股書中表示，公司是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的
2024-06-17 00:11:005217 
IPO，英諾賽科擬募資13.999億港元。 ? 氮化鎵全球第一，虧損幅度逐年收窄 英諾賽科是全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導體產(chǎn)品的公司。其產(chǎn)品包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、
2024-12-30 00:11:007888 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日，功率半導體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績報告，本年度營收達到8.285億元，同比增長39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科集團憑借
2025-04-01 01:20:004221 
發(fā)燒友拍攝 “與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達 30W/mm，是硅的150倍，開關頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%?！?西安電子科技大學廣州研究院教授弓小武對媒體表示。當前，GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導體材料，近年
2025-04-21 09:10:422408 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機會，基于英諾賽科成熟的200mm硅基氮化鎵制造工藝，探索擴大
2025-12-04 07:42:0010991 近日，國內(nèi)功率半導體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日，中國智能電動汽車部件及解決方案提供商蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)股份有限公司與英諾賽科，共同宣布采用650V氮化鎵的新一代6.6KW OBC系統(tǒng)在長安汽車順利裝車，為車載電源技術樹立了新典范。
2025-12-24 00:56:008038 
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術應用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術的應用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術
2017-07-11 14:06:55
請問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅動器設計？
2021-06-17 06:45:48
12月11日，中關村天合寬禁帶半導體技術創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團體標準評審會在北京市大興區(qū)天榮街9號世農(nóng)大廈3層會議室順利召開。此次評審會包含《碳化硅單晶》等四項團體標準送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》等四項團體標準草案討論兩部分內(nèi)容。
2017-12-13 09:05:514919 近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應用技術創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，填補我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012151 寬禁帶功率半導體的研發(fā)與應用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領域發(fā)展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:009044 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應用在各個領域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038619 近日，2018中國寬禁帶功率半導體及應用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領導與技術專家、金融投資機構、知名企業(yè)負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設，為技術協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253991 現(xiàn)代電子技術偏愛高壓，轉向寬禁帶半導體的高壓系統(tǒng)，是因為：首先，高壓意味著低電流，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會減少，結果會直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(通過高壓實現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306039 關鍵詞：氮化鎵 , GaN , 英諾賽科 近日，世強與國產(chǎn)品牌英諾賽科（Innoscience）簽約，代理其全線產(chǎn)品。本次簽約，不僅意味著世強進一步拓展了功率和射頻器件的產(chǎn)品線，還意味著英諾賽科
2019-01-16 18:16:01894 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟南寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項目開工活動在濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟南槐蔭經(jīng)濟開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟南國際醫(yī)學中心，是濟南實施北跨發(fā)展和新舊動能轉換
2019-05-17 17:18:524423 英諾賽科（蘇州）半導體有限公司（以下簡稱英諾賽科）是一家專業(yè)從事新型第三代半導體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。近日，芯片項目主廠房經(jīng)過14個月的緊張建設，順利完成封頂。市委副書記朱民，吳江區(qū)及汾湖高新區(qū)領導李銘、吳琦、沈偉江出席封頂儀式。
2019-09-02 16:19:4913130 半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試
2020-05-28 09:58:592018 
近日，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段，標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設完成，同時也標志著中國半導體創(chuàng)新史步入一個新紀元。
2020-10-21 10:30:243072 此外，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示，按照規(guī)劃，項目開工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線，投產(chǎn)后三年將實現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導體電力電子器件的總目標。
2020-11-05 09:41:534981 Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰(zhàn)，共同促進寬禁帶半導體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 發(fā)燒友特別采訪了英諾賽科產(chǎn)品應用經(jīng)理鄒艷波，他對2021年半導體市場提供了自己的前瞻觀點和技術趨勢分析。div style=text-align:center;img alt= src=https
2020-12-25 15:31:154331 2021中國半導體投資聯(lián)盟年會暨中國IC 風云榜頒獎典禮在北京舉辦。英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡稱：英諾賽科）榮獲2021中國IC風云榜“年度獨角獸獎”。
2021-01-19 10:24:045220 先進研究計劃局DARPA的高功率電子器件應用寬禁帶技術HPE項目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時對我國寬禁帶半導體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現(xiàn)低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024 理工大學等純研究機構。 幾年來，這些單位的規(guī)劃總投資已經(jīng)超過300億元，總產(chǎn)能超過180萬片/年。專家預計，2022年，此類產(chǎn)品成本逐步下降之后，國內(nèi)產(chǎn)品有望實現(xiàn)部分國產(chǎn)替代。 寬禁帶（WBG）半導體包括碳化硅還有氮化鎵（GaN），其啟蒙階段的“頂流
2021-06-08 15:29:092216 作為2021年技術熱詞，寬禁帶總會在各大技術熱文中被提起，我們在以往的文章中也笑稱，寬禁帶半導體是電動汽車的“寵兒”，但也有些朋友會問我們，寬禁帶半導體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283018 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
大會同期舉辦了面向寬禁帶半導體領域的“寬禁帶半導體助力碳中和發(fā)展峰會”。峰會以“創(chuàng)新技術應用，推動后摩爾時代發(fā)展”為主題，邀請了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州晶湛半導體
2021-12-23 14:06:342831 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導體的產(chǎn)能，進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。
2022-02-21 16:47:151118 近年來，一直發(fā)力第三代半導體測試解決方案的泰克科技，近期攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應用未來，雙方將合作攻克氮化鎵更快開關速度、更高開關頻率等一系列挑戰(zhàn)，讓優(yōu)異的氮化鎵產(chǎn)品進入更多應用領域，一起為未來科技充電！
2022-04-22 16:55:192948 中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應用未來。未來，雙方將攜手克服氮化鎵更快開關速度、更高開關頻率等等一系列挑戰(zhàn)
2022-04-25 16:30:232414 
對于寬禁帶半導體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設備控制都不一樣，要想做好這個行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534544 在高端應用領域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。
2022-08-02 17:22:121579 隨著寬禁帶半導體材料成本得到明顯下降，其應用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導體，展示出高頻、高壓、高溫等獨特的性能優(yōu)勢，迎來新的發(fā)展機遇
2022-10-28 11:04:341761 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導體器件。
2022-11-29 09:10:391949 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421622 
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應電子躍遷導帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810873 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應用于各個領域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 ）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
英諾賽科（Innoscience）一直致力于推動GaN技術的發(fā)展，從而推動新一代電力電子設備的快速普及。2023年8月，英諾賽科推出了一款100V的GaN新品，采用FCQFN封裝，再次彰顯了其在GaN領域的領導地位。
2023-08-14 15:07:062681 寬禁帶半導體光電探測技術在科學、工業(yè)和醫(yī)療領域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉換和探測功能，推動了許多現(xiàn)代科技應用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
點擊藍字?關注我們 寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應用前景。根據(jù)市場調研機構的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02967 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點擊上方 “泰克科技” 關注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用
將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。
2023-11-22 15:27:561481 ? 點擊上方? “?意法半導體中國” ， 關注我們 ???????? 在半導體行業(yè)，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。 在整個
2023-12-07 10:45:021168 在半導體行業(yè)，新的材料技術有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導體材料脫穎而出。在整個能源轉換鏈中，寬禁帶半導體的節(jié)能潛力可為實現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標作出貢獻。寬
2023-12-16 08:30:341285 
Technologies Austria AG）對英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英諾賽科美國
2024-03-14 18:04:211530 英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機構涉嫌侵犯有關GaN技術的美國專利，尋求永久禁令。
2024-03-15 09:56:041823 英諾賽科，這家成立于2015年12月的高新技術企業(yè)，近日傳出計劃今年內(nèi)在香港進行IPO的消息，預計融資規(guī)模將達到3億美元。
2024-03-20 14:36:532672 英飛凌就其GaN相關的美國專利對英諾賽科提起訴訟，目前正在尋求永久禁令! 3月14日英飛凌官網(wǎng)發(fā)布消息稱英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)將通過其子公司英飛凌
2024-03-21 11:00:361246 
近日，有消息透露，英諾賽科公司正籌備在今年內(nèi)赴香港進行首次公開募股（IPO），預計融資規(guī)模將達到約3億美元。
2024-03-25 15:40:081459 近日，全球寬禁帶領域的領軍企業(yè)意法半導體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領域專業(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341128 2024年3月29日，2024上海全球投資促進會在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時刻。
2024-04-03 09:23:101094 會上，臨港新片區(qū)管委會聯(lián)動萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561151 功率電子學在現(xiàn)代科技領域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶（WBG）半導體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311647 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股（IPO）的上市申請，標志著這家全球氮化鎵功率半導體領域的領軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場的重要步伐。
2024-06-15 09:50:031456 當今，氣候變化與如何應對持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18789 
在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術創(chuàng)新和產(chǎn)品質量著稱的公司宣布，計劃投資高達2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎設施。
2024-06-28 11:12:341392 下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節(jié)能半導體領導者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，并擴大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261673 英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導體技術推進可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311370 在半導體行業(yè)的快速變革中，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司以卓越的氮化鎵產(chǎn)品，已發(fā)展成為全球領先的第三代半導體高新技術企業(yè)。近期發(fā)布的招股書數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科不僅在多個應用領域獲得了客戶的廣泛認可
2024-07-08 12:53:04785 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2024年7月23日在美國加利福尼亞北區(qū)地方法院，對英諾賽科（珠海）科技有限公司、英諾賽科美國公司及其關聯(lián)公司（以下簡稱：英
2024-07-29 13:41:52751 功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們在電子器件中的應用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質，使其在許多高科技領域具有廣泛的應用。 在現(xiàn)代電子學和光電子學中，半導體材料扮演著至關重要
2024-07-31 09:09:063202 ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導體
2024-12-05 09:37:102785 
，已成為推動功率半導體行業(yè)轉型升級的核心力量。 在這一領域，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“英諾賽科”)憑借其深厚的技術底蘊和前瞻性的戰(zhàn)略布局，成功躋身行業(yè)領先地位。作為公認的頭部企業(yè)，英諾賽科在功率半導
2024-12-25 13:49:05923 近日，國內(nèi)氮化鎵功率半導體領域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標志著國內(nèi)氮化鎵半導體第一股正式誕生，為行業(yè)樹立了新的里程碑。 英諾賽科作為一家
2025-01-02 14:36:301522 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導體領域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場增添了一枚稀缺且優(yōu)質的投資標的。 英諾賽科作為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141125 ?無需焊接或探針，即可輕松準確地測量寬禁帶功率半導體裸片的動態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實現(xiàn)快速、重復測試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實現(xiàn)干凈的動態(tài)測試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯(lián)交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片制造及電源解決方案企業(yè)。 今日，英諾賽科宣布其
2025-03-19 13:57:341492 ??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術。 ??英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023812 
近日，氮化鎵行業(yè)的領軍企業(yè)英諾賽科正式對外宣布，將進一步擴大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導體領域引發(fā)了廣泛關注，標志著英諾賽科在鞏固自身行業(yè)地位的同時，也將為全球氮化鎵市場注入新的活力。 英
2025-07-17 17:10:59678 制造成本被再次推上臺面。 對于高度依賴全球制造網(wǎng)絡的半導體行業(yè)而言，這一輪政策調整不僅抬高了成本，也將“在哪里制造”成為影響定價結構與交付路徑的核心變量。 ?就在政策正式公布前三天，意法半導體(以下簡稱“ST”)與英諾賽科
2025-07-23 16:31:471148 
：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導體技術的最新進展。從SiC與GaN技術的創(chuàng)新應用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
尺寸小型化等方面的優(yōu)勢，共同為新能源汽車開發(fā)先進的電力電子系統(tǒng)。 ? ? ? 英諾賽科作為全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)的龍頭，自 2017 年成立以來成績斐然。2024 年完成 E 輪融資后，其投后估值達 235 億元，成功躋身超級獨角獸行列，并于同年 1
2025-07-31 17:14:13887 
）控告英諾賽科（Innoscience）關于氮化鎵（GaN）技術專利侵權的一審判決中，判定英飛凌勝訴。該案的核心是英諾賽科未經(jīng)授權使用了英飛凌受專利保護的氮化鎵（GaN，以下同）技術。氮化鎵技術在實現(xiàn)高性能及高能效的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著關鍵作用，應用范圍廣泛涵蓋可再生能源系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化以及電動
2025-08-04 18:28:251668 隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進，半導體技術已成為推動這一變革的關鍵驅動力。特別是寬禁帶半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-10-13 11:41:042483 安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美
2025-12-11 17:47:04656
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