三相模塊的母線電壓可以達(dá)到800V，如果DCDC仍然采用傳統(tǒng)的兩電平拓?fù)?，那么DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。而目前市場(chǎng)上這樣的MOS管型號(hào)非常少，而且很貴。如果采用三電平拓?fù)洌涂梢岳^續(xù)采用600V的MOS管了，型號(hào)豐富，成本也低。
2023-03-21 09:42:19
24837 
德國(guó)英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，并在2012年5月8日～10日于德國(guó)舉行的電源技術(shù)展會(huì)“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:482140 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:341103 
英飛凌推出具備整合診斷功能的智慧型電源開關(guān) 英飛凌科技股份有限公司針對(duì)24V 工業(yè)控制及自動(dòng)化應(yīng)用，推出第二代 ISOFACE電氣隔離8通道高壓側(cè)開關(guān)。全新ISO2H823V 整合廣泛的診斷功能
2012-11-13 14:25:303437 大聯(lián)大控股宣布，其旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-10 14:04:348342 
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432592 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時(shí)間長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310726 
CIPOS Maxi IPM集成了改進(jìn)的6通道1200 V絕緣體上硅（SOI）柵極驅(qū)動(dòng)器和六個(gè)CoolSiC? MOSFET，以提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化PCB尺寸和系統(tǒng)成本。
2020-12-11 17:01:081369 量產(chǎn)階段并通過(guò)可靠性測(cè)試。 ? 1200V 藍(lán)寶石基GaN 器件 ? 據(jù)介紹，目前宇騰科技的1200V GaN功率器件已量產(chǎn)四種規(guī)格的型號(hào)，包括150mΩ/12A、100mΩ/15A、75mΩ/22A
2024-07-31 01:06:005182 影響?正向?qū)妷?V為正溫度系數(shù)F應(yīng)用?太陽(yáng)能升壓器?逆變器續(xù)流反并聯(lián)二極管器件編號(hào) 封裝 IV1D12010T2 TO247-2 ?維也納三相 PFC 整流變換器?AC/DC 變換器?開關(guān)電源
2020-03-13 13:42:49
有的場(chǎng)合沒(méi)有三相電，只有單相電，手頭上的三相電機(jī)沒(méi)有電源可以使用，下面推薦兩種三相380V電機(jī)用單相220V驅(qū)動(dòng)的方法。
2021-01-26 06:14:57
套件簡(jiǎn)介：英飛凌現(xiàn)已推出一款全新的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用套件，以幫助設(shè)計(jì)人員在更短的時(shí)間內(nèi)完成具有卓越的速度控制、更低噪聲和更高系統(tǒng)可靠性的高能效電機(jī)控制設(shè)計(jì)，縮短將產(chǎn)品推向市場(chǎng)所需的時(shí)間。該套件的核心
2018-12-04 09:53:07
中國(guó)民用供電使用三相電作為樓層或小區(qū)進(jìn)線，多用星形接法，其相電壓為220V，而線電壓為380V(近似值)，需要中性線，一般也都有地線，即為三相五線制。而進(jìn)戶線為單相線，即三相中的一相，對(duì)地或?qū)χ行跃€電壓均為220V。一些大功率空調(diào)等家用電器也使用三相四線制接法，此時(shí)進(jìn)戶線必須是三相線。
2019-09-27 09:01:39
這是三相相序保護(hù)產(chǎn)品的原理圖，想請(qǐng)教下，這個(gè)三相是通過(guò)什么原理識(shí)別出來(lái)的？還有這個(gè)三相識(shí)別的功能要是去掉，要如何去改電路呢？請(qǐng)大神告知下，謝謝。
2017-08-28 16:36:35
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆變器控制所需的 PWM 信號(hào)。主要特色 三相逆變器系統(tǒng)具有：額定電壓為 1200V、額定電流范圍為 50A-200A 的 IGBT 模塊。（支持多家供應(yīng)商）7 個(gè)增強(qiáng)型隔離式
2018-12-27 11:41:40
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少
2018-11-29 11:38:26
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:23:30
RD-354，參考設(shè)計(jì)使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆變器。該參考設(shè)計(jì)支持1200 V Motion SPM 2系列的設(shè)計(jì)
2020-07-18 12:46:31
能夠在高輸出功率電平下承受嚴(yán)苛的負(fù)載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負(fù)載失配狀態(tài)下時(shí)，它的輸出功率有很大一部分會(huì)被反射進(jìn)器件，此時(shí)功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時(shí)，重要的是檢查不同器件制造商達(dá)到其耐用性結(jié)果的條件，因?yàn)椴煌圃焐痰臏y(cè)試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
請(qǐng)問(wèn)這個(gè)三相的兩電平逆變器180度導(dǎo)電方式(每次三個(gè)管子導(dǎo)通，SPWM或者SVPWM導(dǎo)電方式)，如圖所示，相電壓有2*Ud/3,-2*Ud/3,Ud/3,-Ud/3，相電壓會(huì)出現(xiàn)0的情況嗎我是這樣想
2018-07-09 12:02:26
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
高達(dá)2A，使它適用于直接驅(qū)動(dòng)更小的MOSFET 和 IGBT功率模塊（通常高達(dá)100A）。它具備相關(guān)的控制和安全功能，可提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。該驅(qū)動(dòng)器由實(shí)現(xiàn)了高低壓電平的隔離：芯片輸入側(cè)，直接連接一個(gè)
2018-12-06 09:57:11
請(qǐng)問(wèn)國(guó)外工廠的供電是三相200V，我出口的儀器是220V單相的，到國(guó)外后直接從三相200V中取出1相給我的儀器供電可以嗎？
2020-03-30 09:00:11
如何實(shí)現(xiàn)三相五電平CSI拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)？三相多電平CSI在選取控制策略時(shí)需要考慮哪些因素？三相直接式五電平CSI的調(diào)制方式有哪些？
2021-04-14 06:10:34
長(zhǎng)期高價(jià)回收英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3_E 300A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?無(wú)錫不限量收購(gòu)回收英飛凌IGBT模塊FF400R12KT3_E
2021-09-17 19:23:57
東莞雷奧哈德耐用中型減速電機(jī)研發(fā)生產(chǎn)公司，是一家一輩子只做耐用設(shè)備耐用減速電機(jī)馬達(dá)的研發(fā)生產(chǎn)廠家，主要產(chǎn)品有保修2年可延保6年，保用10年的耐用中型減速電機(jī)、耐用減速馬達(dá)、耐用調(diào)速電機(jī)、三相
2021-09-18 16:26:44
IR全新堅(jiān)固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:281142 IR針對(duì)汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出新一代絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)利用IR新一代溝道閘極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能
2012-11-21 09:39:403382 一種三相三電平變流器的SVPWM新算法。
2016-03-30 14:40:32
15 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢(shì)。它們?cè)趧?dòng)態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 三電平三相逆變器快速有限控制集模型預(yù)測(cè)控制方法_楊勇
2017-01-07 18:12:513 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造 商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS
2017-12-07 06:22:21884 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-12-07 17:53:08622 大聯(lián)大旗下品佳代理的英飛凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
2018-04-23 16:18:004336 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897 隨著市場(chǎng)對(duì)SiC技術(shù)的效率和功率密度的要求不斷上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇。
2019-05-17 08:51:431044 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管
2020-08-20 18:50:000 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS
2020-08-12 18:52:001 英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模塊（IPM），并在今年大規(guī)模推出了SiC解決方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:514444 三相380V的電機(jī)改成三相220V的方法介紹。
2021-06-16 10:39:3429 ?東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025818 作為國(guó)內(nèi)首批自主研發(fā)并量產(chǎn)應(yīng)用SiC器件的公司，在SiC功率器件領(lǐng)域，比亞迪半導(dǎo)體于2020年取得重大技術(shù)突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全橋SiC功率模塊，并已實(shí)現(xiàn)在新能源汽車高端車型電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制器中的規(guī)?；瘧?yīng)用。
2022-06-21 14:40:572382 新技術(shù)星期二：耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501798 
功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來(lái)出色的效率。但對(duì)于汽車應(yīng)用這樣的市場(chǎng)，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術(shù)不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產(chǎn)中兼顧質(zhì)量、可靠性和可擴(kuò)展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應(yīng)用。
2023-02-09 09:36:50796 
新推出的160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC
2023-02-10 16:58:26637 本文介紹了二極管中點(diǎn)箝位式三電平電壓型逆變器為主電路的逆變裝置，詳細(xì)分析了三相三電平逆變器SVPWM傳統(tǒng)算
法的原理，詳細(xì)闡述了SVPWM波形發(fā)生的方法，在Matlab/simulink里以三電平
2023-02-28 14:41:2712 一般來(lái)說(shuō)，將三相電機(jī)改成220伏電的方法是通過(guò)使用一個(gè)稱為“相轉(zhuǎn)換器”或“變頻器”的設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)。這種設(shè)備可以將單相電源的電壓轉(zhuǎn)換為三相電源，從而使三相電機(jī)可以在220伏電的電源下運(yùn)行。
2023-03-10 17:24:4015319 一般來(lái)說(shuō)，將三相電機(jī)改成220伏電的方法是通過(guò)使用一個(gè)稱為“相轉(zhuǎn)換器”或“變頻器”的設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)。這種設(shè)備可以將單相電源的電壓轉(zhuǎn)換為三相電源，從而使三相電機(jī)可以在220伏電的電源下運(yùn)行。
2023-03-14 18:12:467911 本文對(duì)三相兩電平逆變器的Simulink仿真建模及SPWM進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
2023-03-17 11:07:5017936 
該拓?fù)渑c傳統(tǒng)三相三電平VIENNA主要區(qū)別是每相都有一個(gè)三態(tài)開關(guān)電路。所謂三態(tài)開關(guān)中的“三態(tài)”，就是指每相都會(huì)有三種開關(guān)狀態(tài)或者工作狀態(tài)，同時(shí)會(huì)在橋臂端口Vx點(diǎn)的位置形成五種電平狀態(tài)，因此也稱
2023-03-23 09:26:2712140 
三相三電平VIENNA PFC電路需要做到三個(gè)方面的控制。
2023-03-23 09:35:0210186 
英飛凌 | 集成電源管理的160V三相MOTIX?門級(jí)驅(qū)動(dòng)器
2023-05-03 11:30:121071 
(核心)三相三電平LLC諧振直流變換器-胡高平
2023-05-08 09:33:560 EiceDRIVER SOI系列誕生了首批1200V SOI半橋產(chǎn)品，用于高功率應(yīng)用，如商用HVAC、熱泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、工業(yè)變頻器、泵和風(fēng)機(jī)（高達(dá)10kW）。
2023-05-18 16:18:241124 碳化硅（SiC）是一種陶瓷材料，出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的，通常以單晶形式生長(zhǎng)。其固有的材料特性，加上作為單晶生長(zhǎng)，使其成為市場(chǎng)上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種耐用性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了其電氣性能。
2023-05-24 11:22:401845 三相模塊的母線電壓可以達(dá)到800V，如果DCDC仍然采用傳統(tǒng)的兩電平拓?fù)?，那么DC MOS管必須采用1200V耐壓的MOS管。而目前市場(chǎng)上這樣的MOS管型號(hào)非常少，而且很貴。如果采用三電平拓?fù)?，就可以繼續(xù)采用600V的MOS管了，型號(hào)豐富，成本也低。
2023-05-29 09:21:213723 
1200 V 絕緣體上硅（SOI）三相柵極驅(qū)動(dòng)器之后，現(xiàn)又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其產(chǎn)品組合。該驅(qū)動(dòng)器 IC系列的半橋配置補(bǔ)充了現(xiàn)有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03962 
電量，逆變器效率的提高必不可少，在三相光伏逆變器上的升壓部分通常會(huì)放置一顆1200V的SiCMOSFET來(lái)替代普通的1200V的SI器件，相比具有相同額定值的12
2022-08-15 09:57:421545 
：6ED2742S01QMOTIX6ED2742S01Q是一款基于SOI的160V柵極驅(qū)動(dòng)器，用于三相無(wú)刷直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。集成的自舉二極管用于為三個(gè)外部高邊充電
2023-01-31 10:35:572137 
新品EiceDRIVER0.35A/0.65A1200VSOI技術(shù)的三相柵極驅(qū)動(dòng)器EiceDRIVER1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器，典型的0.35A源電流和0.65A灌電流。其采用DSO-24引腳封裝
2023-02-22 11:11:491968 三相平衡一定相等嗎 三相電平衡怎么分配? 三相電力系統(tǒng)是現(xiàn)代電力系統(tǒng)中最常見的形式之一。三相電力是指使用三根電源線（A、B、C）連接到一個(gè)交流電源，而每一根電源線上的電壓波形之間的相對(duì)位相相差120
2023-08-31 16:44:126041 彈簧扭轉(zhuǎn)測(cè)試儀如何測(cè)量彈性與耐用性？|深圳磐石測(cè)控儀器
2023-09-26 09:34:122092 
近日，瞻芯電子正式推出一款車規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z，該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分別獲得了AQG324與AEC-Q101車規(guī)級(jí)可靠性認(rèn)證。
2024-04-07 11:37:323562 
在成功發(fā)布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后，先導(dǎo)中心再度展現(xiàn)了其技術(shù)實(shí)力，推出了全新的1200V 100A 三電平全碳化硅模塊。
2024-05-09 14:25:261354 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-05-23 11:34:581695 科技最近發(fā)布的全新一代HPT Pro 3~15kW三相并網(wǎng)逆變器系列產(chǎn)品提供1200 V TRENCHSTOP? IGBT7系列，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的1200V CoolSiC?? MOSFET功率器件，以及配套
2024-05-30 13:49:30447 
變頻器是一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的電力電子設(shè)備，其主要功能是將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為可調(diào)節(jié)頻率的交流電，以實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)機(jī)的調(diào)速控制。在實(shí)際應(yīng)用中，變頻器的輸入電壓通常有三相220V和三相380V兩種
2024-06-18 09:12:114182 變頻器是一種將交流電能轉(zhuǎn)換為可調(diào)頻率的交流電能的電氣設(shè)備，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，變頻器輸出電壓有三相220V和三相380V兩種類型，它們之間存在一些區(qū)別。本文將從以下
2024-06-18 09:53:5110314 ? ? ? 變頻器是一種廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域的電力電子設(shè)備，其主要功能是將輸入的交流電轉(zhuǎn)換為可調(diào)節(jié)頻率的交流電，以實(shí)現(xiàn)對(duì)電動(dòng)機(jī)的調(diào)速控制。在實(shí)際應(yīng)用中，變頻器的輸入電壓通常有三相220V和三相
2024-06-23 08:38:067253 
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201944 
1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V，工作頻率可達(dá)30kHz，輸出功率可達(dá)300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢(shì)，性價(jià)比超國(guó)外產(chǎn)品，適用于電動(dòng)汽車、氫能源汽車、高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
2024-09-18 17:18:171723 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《三相三電平逆變器的中心對(duì)齊SVPWM實(shí)現(xiàn).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-12 11:25:131 ?1200V光伏逆變器的工作原理?是通過(guò)將光伏電池板產(chǎn)生的可變直流電壓轉(zhuǎn)換為市電頻率的交流電（AC），以供電網(wǎng)使用或反饋回商用輸電系統(tǒng)。逆變器的主要功能是將光伏陣列產(chǎn)生的直流電（DC）逆變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">三相正弦交流電（AC），輸出符合電網(wǎng)要求的電能?。
2024-11-14 09:41:071100 
在光伏發(fā)電驅(qū)動(dòng)空調(diào)系統(tǒng)的過(guò)程中，三相400V轉(zhuǎn)三相340V的隔離變壓器扮演著至關(guān)重要的角色。這款變壓器不僅實(shí)現(xiàn)了電壓的精準(zhǔn)轉(zhuǎn)換，還具備溫控和恒流風(fēng)機(jī)等高級(jí)功能，確保了空調(diào)系統(tǒng)在適配電壓下的高效穩(wěn)定運(yùn)行
2024-11-26 14:17:231145 
在光伏發(fā)電驅(qū)動(dòng)空調(diào)系統(tǒng)的過(guò)程中，三相400V轉(zhuǎn)三相340V的隔離變壓器扮演著至關(guān)重要的角色。這款變壓器不僅實(shí)現(xiàn)了電壓的精準(zhǔn)轉(zhuǎn)換，還具備溫控和恒流風(fēng)機(jī)等高級(jí)功能，確保了空調(diào)系統(tǒng)在適配電壓下的高效穩(wěn)定運(yùn)行
2024-11-26 14:23:20966 
三相220V50HZ轉(zhuǎn)三相380V60HZ變頻變壓電源是一種特殊的電力設(shè)備，它能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">三相220V、50Hz的電源轉(zhuǎn)換為三相380V、60Hz的電源。以下是對(duì)這種變頻變壓電源的詳細(xì)解析：一、定義
2024-11-28 19:08:591264 
森國(guó)科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款I(lǐng)GBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng)，當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時(shí)無(wú)閂鎖效應(yīng)，短路時(shí)間極短，僅5μs，最大工作結(jié)溫?cái)U(kuò)大到175℃，有助于延長(zhǎng)產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281122 
頻率：50HZ
這些參數(shù)表明轉(zhuǎn)換器可以將電力轉(zhuǎn)換為適合中國(guó)等使用380V、50HZ電力系統(tǒng)的國(guó)家的電力。
三相電壓轉(zhuǎn)換器：
三相電是指由三個(gè)頻率相同、振幅相等、相位互差120°的交流電組成的電力系統(tǒng)。
三相電壓轉(zhuǎn)換器專門用于處理三相電，確保轉(zhuǎn)換后的電力仍然保持三相特性。
2024-12-26 14:11:47805 
。 這款變壓器具備兩種卓越的電壓轉(zhuǎn)換模式：三相 240V 變三相 220V 以及三相 460V 變 208V，精準(zhǔn)滿足美國(guó)不同場(chǎng)景下復(fù)雜多樣的用電需求。從原理上看，其依托先進(jìn)且成熟的電磁感應(yīng)技術(shù)，核心的鐵芯選用頂級(jí)高導(dǎo)磁率材料，經(jīng)過(guò)精細(xì)加工工
2025-02-06 17:14:28825 
在雷迪埃，我們的深厚專業(yè)知識(shí)和豐富的產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)保證了產(chǎn)品的出色耐用性，使得雷迪埃的產(chǎn)品即使在嚴(yán)苛的工作環(huán)境中也能展現(xiàn)出可靠且持久的性能。根據(jù)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，我們的解決方案能夠靈活地呈現(xiàn)多樣化的形式，以滿足各種特定需求。
2024-12-27 14:16:41871 
同軸線纜作為常用線纜，其自身與其他線纜一樣，都有耐用度的需求。本期我們將從多個(gè)層面深度解析同軸耐用性的相關(guān)指標(biāo)，方便在使用前參考。
2025-02-13 16:53:221279 近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
，聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET，為電動(dòng)汽車行業(yè)注入強(qiáng)勁新動(dòng)能。
2025-05-14 17:55:021063 新品儲(chǔ)能用1200V500ANPC2三電平IGBTEasyPACK3B模塊1200V500ANPC2三電平模塊，采用EasyPACK3B封裝和最新開發(fā)的1200
2025-05-16 17:08:47826 新品針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模塊英飛凌推出針對(duì)車載充電和電動(dòng)汽車應(yīng)用的EasyPACK2B模塊，采用六單元配置，通過(guò)AQG324認(rèn)證。一個(gè)模塊采用
2025-07-31 17:04:34835 ）的電壓轉(zhuǎn)換是常見需求。東莞卓爾凡電源推出的三相 220V 變 380V 變壓器，專為實(shí)現(xiàn)三相四線輸入到三相五線輸出的安全轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)，廣泛適配設(shè)備供電需求。本文將從接線原理、步驟、注意事項(xiàng)三方面，詳解該類變壓器的專業(yè)接線方法，東莞市卓爾凡電力科技有限公司方經(jīng)
2025-08-07 11:20:272216 
將深入探討英飛凌（Infineon）的EVAL - 2EDGAN - INV - 1KW評(píng)估板，它在驅(qū)動(dòng)650V CoolGaN? GIT G5方面表現(xiàn)出色，搭配IFX SOI EiceDRIVER
2025-12-18 11:50:06529 2ED1324S12P/2ED1323S12P：1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器的卓越之選 在電子工程師的日常工作中，選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入探討英飛凌（Infineon）的兩款出色
2025-12-20 11:15:12666 Technologies EiceDRIVER? 1200V半橋柵極驅(qū)動(dòng)器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款器件屬于2ED132x系列，能夠在半橋配置中控制最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件。其獨(dú)
2025-12-20 11:30:021309 ）的6ED2230S12T，一款具備集成自舉二極管和過(guò)流保護(hù)（OCP）功能的1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器。 文件下載： 6ED2230S12T.pdf 產(chǎn)品概述 6ED2230S12T采用英飛凌的薄膜SOI（Silicon
2025-12-20 14:20:09587 的6ED2231S12T，一款具備集成自舉二極管和過(guò)流保護(hù)（OCP）功能的1200V三相柵極驅(qū)動(dòng)器。 文件下載： 6ED2231S12T.pdf 產(chǎn)品概述 6ED2231S12T采用英飛凌的薄膜SOI
2025-12-20 14:25:02658 1200V CoolSiC? MOSFET評(píng)估平臺(tái)：設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析 作為電子工程師，我們總是在尋找性能更優(yōu)、效率更高的器件和評(píng)估平臺(tái)，以滿足不斷發(fā)展的電子系統(tǒng)需求。今天就來(lái)深入探討一下英飛凌
2025-12-21 10:45:06472
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