2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊
產(chǎn)品優(yōu)勢及應(yīng)用
該模塊采用創(chuàng)新封裝和三相全橋設(shè)計，內(nèi)置1200V碳化硅MOSFET和熱敏電阻，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達900V-1000V，工作頻率可達30kHz，輸出功率可達300kW。LPD模塊具有耐久、安全的性能優(yōu)勢，性價比超國外產(chǎn)品，適用于電動汽車、氫能源汽車、高速電機驅(qū)動、光伏風(fēng)能發(fā)電等領(lǐng)域。
1 應(yīng)用領(lǐng)域：
電動汽車，氫能源汽車，高速電機驅(qū)動，光伏風(fēng)能逆變，電網(wǎng)濾波。
2 產(chǎn)品特點：
三項全橋設(shè)計
內(nèi)置 1200V SiC MOSFET，
內(nèi)置熱敏電阻
模塊雜散電感 2.5nH
超低開關(guān)損耗
工作電源電壓大于 900V
工作節(jié)溫 175°C
銅 Pin-Fin 底板直接水冷散熱
模塊電路及結(jié)構(gòu)圖
模塊及驅(qū)動板實物圖
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