近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:54
2185 美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號：MSCC) 推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT) IGBT系列中的首款產(chǎn)品。
2012-05-18 09:25:341104 
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出600V絕緣閘雙極電晶體 （IGBT） 系列，藉以優(yōu)化在10kHz以下操作的馬達(dá)驅(qū)動應(yīng)用，包括冰箱及空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-06 09:51:002109 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 技術(shù)平臺。全新第八代 （Gen8） 1200V IGBT技術(shù)平臺采用
2012-11-17 10:40:171973 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及不間斷電源 （UPS） 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001842 1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-04 10:50:432596 
基本半導(dǎo)體1200V 碳化硅MOSFET采用平面柵碳化硅工藝，結(jié)合元胞鎮(zhèn)流電阻設(shè)計(jì)，開發(fā)出了短路耐受時間長，導(dǎo)通電阻小，閾值電壓穩(wěn)定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:0310727 
該器件耐受負(fù)瞬態(tài)電壓可達(dá)-100 V，支持重復(fù)700納秒寬脈沖，實(shí)現(xiàn)出色的耐用性和可靠運(yùn)行。
2020-12-04 13:36:151298 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）最近，又有國內(nèi)GaN廠商成功突破1200V GaN器件技術(shù)。7月26日，宇騰科技在社交平臺上宣布公司自主研發(fā)生產(chǎn)的藍(lán)寶石基GaN功率器件工作電壓達(dá)到1200V，已進(jìn)入
2024-07-31 01:06:005182 。尤其在高壓工作環(huán)境下，依然體現(xiàn)優(yōu)異的電氣特性，其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性，也大幅度提高電氣設(shè)備的整體效率?！ ‘a(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機(jī)控制器、UPS、充電樁、功率電源等領(lǐng)域?！ ?b class="flag-6" style="color: red">1200V碳化硅MOSFET系列選型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工業(yè)設(shè)備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
，如圖6所示，優(yōu)化的組裝技術(shù)顯著改善了功率循環(huán)（PC）周期。這至少能確保在工作結(jié)溫增大的情況下，輸出電流增大，但功率器件壽命不變。 圖6：1200V標(biāo)準(zhǔn)模塊的功率循環(huán)（PC）可靠性圖和搭載IGBT
2018-12-07 10:23:42
電壓（600V、1200V、1700V）均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級?？紤]到過載，電網(wǎng)波動，開關(guān)過程引起的電壓尖峰等因素，通常電力電子設(shè)備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收
2022-05-10 10:06:52
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時繼續(xù)工作。因此，將一個器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對硅LDMOS晶體管的耐用性測試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
ZNL-IR03工業(yè)機(jī)器人綜合實(shí)訓(xùn)平臺是什么？ZNL-IR03工業(yè)機(jī)器人綜合實(shí)訓(xùn)平臺有哪些特點(diǎn)？ZNL-IR03工業(yè)機(jī)器人綜合實(shí)訓(xùn)平臺有哪些技術(shù)參數(shù)？
2021-08-16 07:16:23
我想把nvidia tesla m40卡安裝到hp proliant dl380p gen8 p70服務(wù)器上。它不工作，在DMESG日志中發(fā)現(xiàn)以下錯誤。[959.113417] NVRM：系統(tǒng)
2018-09-12 15:57:03
) IGBT與非穿通(NPT)型IGBT(圖3 a與b)，過渡到目前國際最新的溝槽柵場截止(Trench+FS)技術(shù)(圖3 c)。針對焊機(jī)產(chǎn)品的1200V系列正是采用了這一最新技術(shù)。相對于PT和NPT
2014-08-13 09:01:33
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
Transistor：JFET）效應(yīng)。以Trench + Field-Stop技術(shù)命名的IGBT主要包括英飛凌、富士電機(jī)、飛兆半導(dǎo)體和IR等公司的新型IGBT產(chǎn)品。表 2給出了英飛凌1200V/100A NPT
2015-12-24 18:23:36
2ED250E12-F_EVAL，2ED250E12-F評估驅(qū)動板的開發(fā)是為了在客戶使用1200V PrimePACK IGBT模塊進(jìn)行首次設(shè)計(jì)時為其提供支持。評估驅(qū)動板是一個功能齊全的IGBT模塊驅(qū)動器，其中兩個1ED020I12-F驅(qū)動器IC過程控制和反饋信號并提供電流絕緣
2020-04-14 09:54:37
第一部工業(yè)以太網(wǎng)解決方案的優(yōu)勢和作用目前，世界各地的制造工廠都依賴以太網(wǎng)解決方案來滿足工業(yè)應(yīng)用對實(shí)時性能和耐用性的要求。與傳統(tǒng)現(xiàn)場總線相比，以太網(wǎng)能提供更快的速率，能更好地處理大批量數(shù)據(jù)，最終還能
2019-07-18 07:40:03
上?；厥?b class="flag-6" style="color: red">IGBT模塊FF200R12KT3_E 200A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開關(guān),雙向變換器等 62mm ?回收IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759江蘇
2021-09-17 19:23:57
IR全新堅(jiān)固耐用的1200V控制集成電路
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動控制的額定1200VIR2214和
2009-07-06 08:42:281142 IR針對汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32955 Infineon 公司的EconoDUAL 3模塊是600A/1200V的IGBT,主要的典型應(yīng)用包括自動驅(qū)動系統(tǒng)的頻率變換器,光伏電壓系統(tǒng)的中央逆變器,汽車柴油發(fā)動機(jī)驅(qū)動器(CAV),同等封裝尺寸,可增加功率30%.本文
2010-06-21 21:52:093975 
華潤上華已開發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT(溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管)工藝平臺，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場。
2011-03-31 09:23:061846 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出針對感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管
2011-09-07 17:59:471673 國際整流器（IR）推出新一代絕緣閘雙極電晶體（IGBT）技術(shù)平臺。全新第八代（Gen8） 1200伏特（V）IGBT技術(shù)平臺利用IR新一代溝道閘極場截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越的性能。
2012-11-27 09:17:331340 飛兆半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的高性能電源和移動半導(dǎo)體解決方案的提供商，其推出一系列1200 V溝槽型場截止IGBT。以硬開關(guān)工業(yè)應(yīng)用為目標(biāo)，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）和電焊機(jī)，此新型IGBT 系列將幫助電源工程師在其設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更好的效率和可靠性。
2013-12-05 14:49:571438 驅(qū)動IGBT 1200V模塊的輔助電源（3 W反激式），感興趣的可以看看。
2016-05-11 18:08:45
34 英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化，兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿，相比1200V硅（Si）IGBT低了一個數(shù)量級。這在最初可以支持光伏逆變器、不間斷電源（UPS）或充電/儲能系統(tǒng)等應(yīng)用的系統(tǒng)改進(jìn)，此后可將其范圍擴(kuò)大到工業(yè)變頻器。
2016-05-10 17:17:498625 1200V溝槽柵場截止型IGBT終端設(shè)計(jì)_陳天
2017-01-08 14:36:357 中國，北京，2017年5月25日訊 -Littelfuse， Inc.，作為全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二極管，以配合2017年歐洲電力轉(zhuǎn)換與智能運(yùn)動（PCIM）展的開幕。
2017-05-26 14:43:591503 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2017-11-23 18:58:37738 新一代1200V TRENCHSTOP? IGBT6專門針對開關(guān)頻率在15kHz以上的硬開關(guān)和諧振拓?fù)涠O(shè)計(jì)，可滿足其對更高能效以及更低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的要求.
2018-07-11 11:28:575622 
ROHM新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-13 18:30:571897 隨著市場對SiC技術(shù)的效率和功率密度的要求不斷上升，新推出的700V MOSFET和700V、1200V SBD可為客戶提供更多選擇。
2019-05-17 08:51:431044 據(jù)外媒報道，最近，日本羅姆半導(dǎo)體公司（ROHM）宣布新增兩款車用級1200V耐壓絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），此類晶體管非常適合用于電子壓縮機(jī)內(nèi)的逆變器，以及正溫度系數(shù)（PTC）加熱器中的開關(guān)電路。
2019-05-27 08:41:501845 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都）新推出四款支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1）的1200V耐壓IGBT“RGS系列”產(chǎn)品。
2019-05-29 15:15:505922 英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率
2021-03-01 12:16:023163 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”；額定電壓為1700V、額定漏極
2022-02-01 20:22:025819 是一款1200V、25A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。
2022-07-14 09:27:502812 
是一款1200V、15A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片；1200V壕溝和現(xiàn)場停止技術(shù)；低開關(guān)損耗；正溫度系數(shù)；簡單的平行技術(shù)。
2022-07-28 09:27:241917 
Nytro XF1440 2.5 英寸和 Nytro XM1440 M.2 NVMe 固態(tài)硬盤面向具有高可靠性和耐用性的企業(yè)和云應(yīng)用。它們具有 PCIe Gen 3 ×4 接口。
2022-08-29 10:24:241639 新技術(shù)星期二：耐用性、可靠性 Power Entertainment@Amphenol Connectors
2022-12-29 10:02:501798 
功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來出色的效率。但對于汽車應(yīng)用這樣的市場，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術(shù)不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產(chǎn)中兼顧質(zhì)量、可靠性和可擴(kuò)展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應(yīng)用。
2023-02-09 09:36:50796 
ROHM新開發(fā)的“RGS系列”是滿足汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的1200V耐壓IGBT。此次推出的4款型號，傳導(dǎo)損耗非常低，非常有助于應(yīng)用的小型化與高效化。
2023-02-09 10:19:231199 
功率 MOSFET 單次和重復(fù)雪崩耐用性等級-AN10273
2023-02-09 19:23:424 。此次，賽米控丹佛斯向低功率領(lǐng)域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產(chǎn)品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續(xù)保持緊密合作，全力響應(yīng)全球電機(jī)驅(qū)動用戶的需求。 ROHM Co., Ltd. 董事 常務(wù)執(zhí)行官?CFO 伊野和英 （左） ? 賽米控丹佛斯?
2023-04-26 09:17:511651 
RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-05-15 20:18:540 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-05-15 20:25:300 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:480 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-05-15 20:25:590 碳化硅（SiC）是一種陶瓷材料，出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的，通常以單晶形式生長。其固有的材料特性，加上作為單晶生長，使其成為市場上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種耐用性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了其電氣性能。
2023-05-24 11:22:401846 1200 V 絕緣體上硅（SOI）三相柵極驅(qū)動器之后，現(xiàn)又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，進(jìn)一步擴(kuò)展其產(chǎn)品組合。該驅(qū)動器 IC系列的半橋配置補(bǔ)充了現(xiàn)有的 1200V SOI 系列
2023-06-06 11:03:03963 
提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12
2022-04-20 09:56:201544 
RJH1CV7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 35A - IGBT/Application: Inverter)
2023-07-12 19:11:330 RJH1CM7DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 25A - IGBT / Application: Inverter )
2023-07-12 19:18:220 RJH1CM6DPQ-E0 數(shù)據(jù)表(1200V - 20A - IGBT /Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:350 RJH1CM5DPQ-E0 數(shù)據(jù)表 (1200V - 15A - IGBT / Application: Inverter)
2023-07-12 19:18:500 增強(qiáng)型1代1200V CoolSiC? MOSFET的EasyDUAL? 1B半橋模塊，采用PressFIT壓接式安裝技術(shù)和溫度檢測NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44707 NTC，并有使用預(yù)涂的熱界面材料（TIM）版本。產(chǎn)品型號：FF17MR12W1M1H_B1117mΩ1200VFF17MR12W1M1H_B7017mΩ1200V低
2023-07-31 16:57:591730 
彈簧扭轉(zhuǎn)測試儀如何測量彈性與耐用性？|深圳磐石測控儀器
2023-09-26 09:34:122092 
本文介紹了針對電機(jī)驅(qū)動進(jìn)行優(yōu)化的全新1200 V IGBT和二極管技術(shù)。該IGBT結(jié)構(gòu)基于全新微溝槽技術(shù)，與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)相比，可大幅減少靜態(tài)損耗，并具備高可控性。而二極管因?yàn)閮?yōu)化了場截止設(shè)計(jì)，其振蕩發(fā)生
2024-01-09 14:24:501483 
博士和韓國化學(xué)工業(yè)大學(xué)的Jong-hyeop Baek博士組成的團(tuán)隊(duì)韓國光子學(xué)與技術(shù)研究所的光學(xué)半導(dǎo)體顯示研究部門開發(fā)出技術(shù)來克服超細(xì) Micro LED 光效率和耐用性的挑戰(zhàn)。
2024-03-08 17:38:402194 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 15A溝槽和場阻IGBT JJT15N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 15:23:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 25A溝槽和場阻IGBT JJT25N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 16:59:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120HE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:11:310 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120SE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:14:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 40A溝槽和場阻IGBT JJT40N120UE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 17:16:100 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120HA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 18:02:380 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《1200V 75A溝槽和場阻IGBT JJT75N120SA數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-10 18:05:173 德索工程師說道在電子設(shè)備和系統(tǒng)的連接中，4針M5公頭產(chǎn)品因其特定的設(shè)計(jì)和功能，被廣泛應(yīng)用于各種場景。其耐用性和穩(wěn)定性不僅關(guān)系到設(shè)備的使用壽命，還直接影響到整個系統(tǒng)的運(yùn)行效率和安全性。以下是對4針M5公頭產(chǎn)品耐用性和穩(wěn)定性的詳細(xì)分析。
2024-05-13 17:47:22928 
德索工程師說道在當(dāng)今日益發(fā)展的電子與電氣行業(yè)中，連接器的質(zhì)量直接影響到整個系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。8芯M16接頭作為一種常見的連接器，其高品質(zhì)與耐用性備受關(guān)注。下面，我們將從材料選擇、工藝制造、性能特點(diǎn)以及應(yīng)用場景等多個方面，對8芯M16接頭的高品質(zhì)與耐用性進(jìn)行深入的解析。
2024-05-16 17:59:22860 無論是機(jī)械設(shè)備，還是精密傳動元件，高精度微型絲桿是各種機(jī)械設(shè)備中不可或缺的重要組件。它的精度和耐用性直接影響著工作效率和產(chǎn)品品質(zhì)，在工業(yè)技術(shù)不斷進(jìn)步的情況下，對微型絲桿的性能要求也越來越高
2024-06-17 17:47:261197 
功率密度、強(qiáng)可靠性和耐用性的需求。1200VeSiCMOSFET為系統(tǒng)提供了顯著的優(yōu)勢，包括功率密度增加、效率提高、冷卻要求降低(這是由于其功率損耗顯著降低所致)
2024-07-17 10:53:00116089 
提升工業(yè)顯示屏耐用性與穩(wěn)定性的方法主要包括以下幾個方面：
2024-09-12 10:14:251122 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向車載電動壓縮機(jī)、HV加熱器、工業(yè)設(shè)備用逆變器等應(yīng)用，開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101*1、1200V耐壓、實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低損耗和超高短路耐受能力*2的第4代IGBT*3。
2024-11-13 13:55:451374 
本文介紹了為工業(yè)應(yīng)用設(shè)計(jì)的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進(jìn)的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制
2024-11-14 14:59:192867 
長晶科技本次推出了FST3.0（對標(biāo)國際Gen7.0） 650V和1200V系列的三款IGBT單管，主要用于光伏儲能等應(yīng)用。
2024-12-02 09:36:571282 森國科推出的1200V/25A IGBT(選型：KG025N120LD-R)適用于逆變焊機(jī)、不間斷電源和電磁加熱器等方面。新款IGBT的魯棒性和耐用性極強(qiáng)，當(dāng)實(shí)際電流是標(biāo)準(zhǔn)電流的四倍時無閂鎖效應(yīng)，短路時間極短，僅5μs，最大工作結(jié)溫擴(kuò)大到175℃，有助于延長產(chǎn)品的使用壽命。
2024-12-04 16:16:281123 
在工業(yè)領(lǐng)域，連接器是電路中不可或缺的紐帶，而防水連接器更是以其獨(dú)特的耐用性，成為了這一領(lǐng)域的“長壽將軍”。本文將深入探討防水連接器的耐用性如何一步步成為工業(yè)使用的新標(biāo)準(zhǔn)，以及它如何引領(lǐng)行業(yè)走向更加
2025-02-10 15:53:09722 
同軸線纜作為常用線纜，其自身與其他線纜一樣，都有耐用度的需求。本期我們將從多個層面深度解析同軸耐用性的相關(guān)指標(biāo)，方便在使用前參考。
2025-02-13 16:53:221280 陸芯科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管，產(chǎn)品型號為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901 
近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進(jìn)的表面貼裝(SMD
2025-03-20 11:18:11964 
在選型M12航空插座時，需綜合考慮環(huán)境適應(yīng)性與耐用性等多方面因素。德索精密工業(yè)豐富的產(chǎn)品型號與先進(jìn)技術(shù)，能夠滿足不同使用環(huán)境與插拔頻次要求。只有精準(zhǔn)匹配德索的產(chǎn)品，才能充分發(fā)揮M12航空插座的性能優(yōu)勢，保障設(shè)備長期穩(wěn)定運(yùn)行。
2025-04-12 09:35:20595 
在功率器件快速發(fā)展的當(dāng)下，如何實(shí)現(xiàn)更低的損耗、更強(qiáng)的可靠性與更寬的應(yīng)用覆蓋，成為行業(yè)關(guān)注焦點(diǎn)。龍騰半導(dǎo)體推出**1200V 50A Field Stop Trench IGBT**新品，專為高頻應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。依托先進(jìn)工藝平臺與系統(tǒng)化設(shè)計(jì)能力，為工業(yè)逆變、UPS、新能源等場景注入高效驅(qū)動力。
2025-04-29 14:43:471044 新品EasyDUAL1B和2B，1200V共發(fā)射極IGBT模塊EasyDUAL1B，2B1200V共發(fā)射極模塊采用成熟的TRENCHSTOPIGBTT7和Emcon7芯片技術(shù)，電流等級涵蓋75A
2025-05-13 17:04:461315 在全球新能源汽車加速普及的今天，續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn)，高功率電壓系統(tǒng)對1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切，1200V SiC功率器件成為行業(yè)競相攻堅(jiān)的焦點(diǎn)。在這一趨勢下
2025-05-14 17:55:021066 國產(chǎn)主板在耐用性和可靠性上有著諸多令人矚目的具體表現(xiàn)，在不同領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
2025-07-22 18:21:13900 CoolSiCMOSFET技術(shù)1200V、17mΩ，配備NTC和PressFIT壓接技術(shù)。另一個模塊基于TRENCHSTOPIGBT7技術(shù)1200V、100A，配備
2025-07-31 17:04:34837 揚(yáng)杰科技近日推出了新一代 To-247PLUS 封裝1200V IGBT單管，產(chǎn)品采用新一代微溝槽工藝平臺，極大的優(yōu)化了器件的導(dǎo)通損耗，產(chǎn)品參數(shù)一致性好，可靠性優(yōu)良，適用于伺服、變頻器等各類中低頻應(yīng)用領(lǐng)域。
2025-09-18 18:01:392486 
、應(yīng)用場景及選型建議五個方面展開分析： 一、耐壓性能 耐壓值 ：1200V的耐壓值遠(yuǎn)超常規(guī)鋁電解電容（通常為幾十伏至幾百伏），能夠承受工業(yè)變頻器中可能出現(xiàn)的瞬態(tài)高壓沖擊，如電機(jī)啟動、制動或電網(wǎng)波動時產(chǎn)生的電壓尖峰。 安全性 ：高耐壓設(shè)計(jì)
2025-12-08 10:57:02246 EiceDRIVER? 1200V高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動器.pdf 產(chǎn)品概述 這兩款驅(qū)動器屬于2ED132x系列，專為控制半橋配置中最大阻斷電壓為+1200V的IGBT或SiC MOSFET功率器件而設(shè)計(jì)
2025-12-20 11:15:12667 （Silicon - on - Insulator）技術(shù)，可在高達(dá)+1200V的電壓下全功能運(yùn)行。它專為IGBT和SiC MOSFET優(yōu)化設(shè)計(jì)，集成了超浮通道，適用于自舉操作。其輸出源/灌電流能力
2025-12-20 14:25:02660 1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺：設(shè)計(jì)與應(yīng)用全解析 作為電子工程師，我們總是在尋找性能更優(yōu)、效率更高的器件和評估平臺，以滿足不斷發(fā)展的電子系統(tǒng)需求。今天就來深入探討一下英飛凌
2025-12-21 10:45:06472 1200V CoolSiC? MOSFET評估平臺：深入解析與使用指南 在電力電子領(lǐng)域，準(zhǔn)確評估MOSFET、IGBT及其驅(qū)動的開關(guān)特性至關(guān)重要。英飛凌的1200V CoolSiC? MOSFET
2025-12-21 10:50:03597
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