2012年10月10日，德國(guó)紐必堡訊——英飛凌近日宣布推出第五代650V thinQ！TM SiC 肖特基勢(shì)壘二極管，壯大其SiC（碳化硅）產(chǎn)品陣容。
2012-10-10 13:37:10
1451 恢復(fù)二極管兩種：采用先進(jìn)的擴(kuò)鉑工藝生產(chǎn)的具有極低反向漏電、極短反向恢復(fù)時(shí)間和--的抗反向浪涌沖擊能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的具有
2019-10-24 14:25:15
電壓或高溫條件的器件非常有利。在高頻、高溫、高功率及惡劣環(huán)境下，仍具有更優(yōu)越的開關(guān)性能以及更小的結(jié)溫和結(jié)溫波動(dòng)。 碳化硅二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因素校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏
2020-09-24 16:22:14
。SiC-MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性MOSFET體二極管的另一個(gè)重要特性是反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。trr是二極管開關(guān)特性相關(guān)的重要參數(shù)這一點(diǎn)在SiC肖特基勢(shì)壘二極管一文中也已說(shuō)明過(guò)。不言而喻
2018-11-27 16:40:24
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢(shì)壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢(shì)壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品
2018-12-03 15:12:02
了參數(shù)的一致性。肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)器等電路，作為低壓、高頻、大電流
2018-10-19 11:44:47
整流二極管還具有較高的截止電壓參數(shù)。因此，D92-02特別適用于輸出電壓在12V左右的小功率輔助電源電路。 開關(guān)電源中的整流二極管采用D92-02快恢復(fù)二極管的具體原因如下：1、因?yàn)橹挥蠨92-02快恢復(fù)
2021-09-09 16:34:24
開關(guān)電源輸出整流肖特基二極管并聯(lián)的RC是吸收紅色框里的那段振蕩嗎？ 下圖是用示波器測(cè)得二極管兩端的電壓
2017-05-01 17:16:12
肖特基二極管在開關(guān)電源的作用是什么，一般開關(guān)電源的后面都會(huì)有這樣的二極管，謝謝。比如圖上的二極管，解釋下它的作用什么，謝謝大家
2017-03-28 19:59:58
肖特基勢(shì)壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流轉(zhuǎn)換器，以及作為續(xù)流二極管和極性保護(hù)二極管使用。 MBR系列所具有的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)如下： ?MBR系列極快的開關(guān)速度以及非常低的反向恢復(fù)
2016-04-11 11:53:55
(Schottky)二極管，又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。最顯著的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向?qū)▔航祪H0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管以及小信號(hào)檢波，主要用在低電壓、大電流的電路中，如驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源、變頻器、逆變器等電路。對(duì)于點(diǎn)接觸型肖特基二極管，主要用于微波通信電路?！ ×硗猓€有一種鋁硅肖特基二極管，除
2019-01-03 13:36:59
的條件下會(huì)處于導(dǎo)通的狀態(tài)，電壓也不再升高，所以用在重要元器件上，起到穩(wěn)壓作用。肖特基二極管正向壓降小，關(guān)斷速度快，多用于開關(guān)電源做整流用。穩(wěn)壓二極管不考慮正向使用，總是反向使用在擊穿狀態(tài)，需要考慮的是穩(wěn)壓
2020-09-25 15:38:08
加直流電壓時(shí)的值。用于直流電路，最大直流反向電壓對(duì)于確定允許值和上限值是很重要的。7.最高工作頻率fM：由于PN結(jié)的結(jié)電容存在，當(dāng)工作頻率超過(guò)某一值時(shí)，它的單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性將變差。肖特基二極管的fM值較高
2022-01-24 11:27:53
肖特基二極管一種應(yīng)用電路，這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復(fù)時(shí)間短的特點(diǎn)，這樣大部分電流就流過(guò)外部的肖特基二極管，從而集成電路內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規(guī)格書下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、驅(qū)動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)：肖特基二極管具有開關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應(yīng)用范圍。像在開關(guān)電源（SMPS）和功率因數(shù)校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
MDD肖特基二極管的最高結(jié)溫。四、小于MDD肖特基二極管的正向額定電流IF。五、對(duì)于比較苛刻的環(huán)境，為了保證可靠性，MDD肖特基二極管應(yīng)降額使用。六、肖特基二極管的代換盡量選用原型號(hào)、因?yàn)椴煌男吞?hào)的肖特基正向壓降VF和反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR都不同。肖特基二極管規(guī)格書下載：?
2021-06-15 15:33:58
-SBD后，提高效率，除了減少耗電，更重要的是降低器件溫度，減少散熱成本，提高了至關(guān)重要的系統(tǒng)可靠性。在新能源汽車興起之前，服務(wù)器電源PFC-度是肖特基二極管最主要的市場(chǎng)。這個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">可靠性的要求較高，已經(jīng)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內(nèi)部的功耗就小了很多，提高了熱穩(wěn)定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速半導(dǎo)體器件。其反向恢復(fù)時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向?qū)▔航祪H0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
都是根據(jù)這兩個(gè)工作點(diǎn)計(jì)算的。然而，肖特基二極管的快速開關(guān)也會(huì)引起功耗，其表現(xiàn)形式為在開關(guān)期間出現(xiàn)的電壓和電流。 反向恢復(fù)也會(huì)引起功耗，這與SiC等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)發(fā)展有關(guān)。有許多不同類型的半導(dǎo)體
2019-02-21 13:39:32
開關(guān)電源(開關(guān)模式電源，SMPS)或電源整流器內(nèi)部的交流至直流轉(zhuǎn)換，以及直流電壓轉(zhuǎn)換；2)阻止直流電流和相反極性的直流的反向流動(dòng)，例如當(dāng)電池插入不正確時(shí)。由于其較高的開關(guān)速度，肖特基二極管主要用于高達(dá)微波
2017-04-19 16:33:24
截止時(shí)形成一個(gè)諧振電路，它可導(dǎo)致。因此，有必要在電源輸出中設(shè)置RC緩沖器以保護(hù)管子的安全。另外RC網(wǎng)絡(luò)還可以減少輸出噪音，減少管子的熱耗，提高產(chǎn)品的效率和可靠性。肖特基二極管規(guī)格書下載：?
2021-08-11 14:05:26
設(shè)計(jì)出好的開關(guān)電源，你就必須知道每一個(gè)開關(guān)電源上的每一個(gè)元器件的名稱，功能和特性。而這，也是今天ASEMI要隆重推出的一個(gè)主題：教你熟透開關(guān)電源設(shè)計(jì)的各種元器件。ASEMI主營(yíng)整流橋和二極管，所以
2018-11-03 11:21:21
，肖特基二極管MBR20100FCT是最佳選擇（由于此時(shí)反向耐壓低），另外肖特基二極管MBR20100FCT的正向壓降VF和結(jié)溫TJ呈現(xiàn)負(fù)溫度系數(shù)，所以其制造的開關(guān)電源效率高，溫升低、噪音低、可靠性高。
2021-10-08 16:35:18
小得多。此外，它的恢復(fù)時(shí)間很短，可以達(dá)到幾納秒。肖特基二極管多用作高頻、低壓、大電流的整流二極管（如驅(qū)動(dòng)器、開關(guān)電源、變頻器、逆變器）、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管，也可用于微波通信等電路中用作整流二極管
2021-10-18 16:45:00
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開關(guān)能力。本文檔介紹高級(jí)交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
編輯-Z為什么說(shuō)MBR20100FCT-ASEMI是開關(guān)電源常用肖特基二極管？開關(guān)電源不同于線性電源。開關(guān)電源中使用的大多數(shù)開關(guān)晶體管在全導(dǎo)通模式（飽和區(qū)）和全閉模式（截止區(qū)）之間切換。兩種模式都
2021-11-23 16:19:25
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導(dǎo)地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來(lái)開發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
是反向恢復(fù)時(shí)間極短，最小可以到達(dá)幾nS，而且它的正向?qū)▔航祪H0.4V左右。普遍用于用于大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管場(chǎng)合。有些開關(guān)電源需要用到肖特基二極管。 `
2019-04-15 12:03:20
電壓保護(hù)。肖特基二極管的低正向下降使它們?cè)谔?yáng)能電路中具有高能效。箝位: 在晶體管箝位電路中，用肖特基二極管作為開關(guān)二極管。為了箝位，肖特基二極管連接在集電極和驅(qū)動(dòng)晶體管的基極之間。當(dāng)開啟時(shí)，肖特基
2022-03-19 22:39:23
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。安森美半導(dǎo)體
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2020-07-30 07:14:58
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應(yīng)用于有六級(jí)能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復(fù)時(shí)間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達(dá)到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2022-01-24 15:00:32
時(shí)間短，速度快，正向?qū)▔航狄残。猿Ｓ脕?lái)做開關(guān)電源整流。MDD二極管依靠領(lǐng)先技術(shù)，高素質(zhì)人才和國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的生產(chǎn)檢驗(yàn)設(shè)備，不斷推出更好的低VF肖特基，且一貫注重產(chǎn)品質(zhì)量和信譽(yù)，精益求精，并能夠保證產(chǎn)品在付款后當(dāng)天或隔天內(nèi)發(fā)貨，為需求群體提供滿意的服務(wù)，優(yōu)良產(chǎn)品和完善的售后服務(wù)。低壓降肖特基二極管規(guī)格書下載：
2020-10-28 16:49:06
，判定被測(cè)管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極，②腳為公共陰極。第二，因①?②、③?②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性。第三，內(nèi)部?jī)芍?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V
2018-12-10 15:19:35
大功率適配器為了減小對(duì)電網(wǎng)的干擾，都會(huì)采用PFC電路、使用氮化鎵的充電器，基本也離不開碳化硅二極管，第三代半導(dǎo)體材料幾乎都是同時(shí)出現(xiàn)，強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手避免短板。創(chuàng)能動(dòng)力推出的碳化硅二極管
2023-02-22 15:27:51
SiC-SBD，藍(lán)色是第二代，可確認(rèn)VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使開關(guān)損耗降低，加之VF的改善，在功率二極管中可以說(shuō)是損耗最小的二極管。促進(jìn)電源系統(tǒng)應(yīng)用的效率提高與小型化前面已經(jīng)介紹了
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
2019-07-25 07:51:59
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價(jià)比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
耗散，因此降低了熱和電傳導(dǎo)損耗。它的高結(jié)溫能力提高了高環(huán)境溫度下或無(wú)法獲得充分冷卻的應(yīng)用中的可靠性。肖特基二極管的應(yīng)用:MBR系列肖特基勢(shì)壘整流器的典型應(yīng)用包括不間斷電源、高頻開關(guān)式電源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
）SiC器件可以減少功率器件的體積和電路損耗。4.3 碳化硅肖特基二極管的應(yīng)用SiC肖特基二極管可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、功率因數(shù)校正（PFC）電路、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著降低
2023-02-07 15:59:32
，中間的為空腳，一般在出廠時(shí)剪掉，但也有不剪的。 2.若在對(duì)管中有一只管子破壞，則可作單管使用?！ ?.在彩色電視機(jī)和多頻顯示器的開關(guān)電源的輸出電路和行輸出電路中，整流肖特基二極管和行輸出阻尼二極管大都
2018-12-05 11:54:21
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡(jiǎn)稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-16 14:56:38
一、快恢復(fù)二極管恢復(fù)二極管，簡(jiǎn)稱FRD，它是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，與普通二極管一樣具有單向?qū)щ?b class="flag-6" style="color: red">性，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中，主要作為高頻
2023-02-20 15:22:29
流IR也同樣得到大幅改善。普通肖特基勢(shì)壘二極管的特性存在一種矛盾關(guān)系，即當(dāng)試圖降低正向電壓時(shí)，漏電流就會(huì)增加。第三代SiC-SBD不僅繼承了正向電壓低的特點(diǎn)，還通過(guò)采用JBS結(jié)構(gòu)而大幅降低了漏電
2018-12-03 15:11:25
；肖特基二極管的耐壓能常較低，但是它的恢復(fù)速度快，可以用在高頻場(chǎng)合，故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用，盡管如此，開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的?？旎謴?fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下
2019-06-12 02:34:10
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢(shì)壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號(hào)即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
250V左右。對(duì)于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開始使用碳化硅(SiC)制造器件，因?yàn)樗軌蚰褪茌^高的電壓?！ 〕艘酝獾钠骷?shù)均相當(dāng)于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒(méi)有用它來(lái)替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導(dǎo)通電
2023-04-11 15:29:18
反向恢復(fù)電流，其關(guān)斷過(guò)程很快，開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高，可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。在3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域，由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23
，能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?！ √蓟杈哂休d流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn)，應(yīng)用開關(guān)頻率可達(dá)到1MHz，在高頻應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)明顯，其中碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。在開關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50
、RBR2LAM60B、RBR2LAM60A、RBR1LAM60A系列肖特基二極管具有可靠性高、功耗小、正向壓降小、反向峰值電流大等特點(diǎn)，特別適合用于整流電路上。RBR5LAM60A、RBR3LAM60B
2019-04-18 03:48:05
英飛凌推出了第二代碳化硅（SiC）肖特基二極管——thinQ!2G™。該二極管是由一個(gè)肖特基結(jié)構(gòu)和一個(gè)與它平行的獨(dú)特的低電阻PN 結(jié)結(jié)構(gòu)組成，因此具備更加強(qiáng)大的浪涌電流處理
2010-05-10 00:09:49
19 肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理
基本原理是：在肖特基二極管,什么是肖特基二極管,肖特基二極管原理金屬（例如鉛）和半導(dǎo)
2010-02-26 13:38:584312 肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)器等電路，作為低壓、高頻、大電流整流二極管、保護(hù)二極管、續(xù)流二極管等使用
2017-10-23 14:57:394379 肖特基二極管廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源中，每一個(gè)從事電子行業(yè)的人都有聽過(guò)肖特基，但我們是否真正了解，肖特基內(nèi)部結(jié)構(gòu)、應(yīng)用范圍以及為什么肖特基廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源中？那么下面就讓我們一起走進(jìn)肖特基的世界尋找
2017-11-10 10:54:1415 肖特基二極管是一種熱載流子二極管。肖特基二極管也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管是一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件，肖特基二極管被廣泛應(yīng)用于變頻器、開關(guān)電源、驅(qū)動(dòng)器等電路，作為低壓、高頻、大電流整流二極管、保護(hù)
2018-01-21 10:44:3724950 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴(kuò)展了SiC二極管產(chǎn)品組合。
2018-03-01 13:14:179301 前面讓我介紹基礎(chǔ)內(nèi)容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)與特點(diǎn)，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:507154 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結(jié)果，讓碳化硅肖特基二極管的設(shè)計(jì)和開發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢(shì)，性能一代更比一代強(qiáng)。因此，G6是英飛凌最具有性價(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
Vishay DFN1006-2A 封裝二極管 40 V 和 100 V 器件通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證 與傳統(tǒng) SOD/T 封裝二極管相比節(jié)省空間并提高了散熱性能 Vishay 推出超小型可潤(rùn)濕
2021-10-19 16:57:522955 
肖特基二極管因?yàn)閹缀鯖](méi)有反向恢復(fù)trr。因此，可以在很高開關(guān)頻率下運(yùn)行，而VF又非常小，受到電源工程師的廣泛青睞。不過(guò)，因?yàn)榉聪蚵╇娏鱅R大，如下圖1 所示，所以不適合用作高耐壓元件，通常最高耐壓可達(dá)200V。
2022-04-12 09:34:532420 ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱"SiC-SBD"）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續(xù)改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:071642 
ROHM推出了SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產(chǎn)品“SCS3系列”。SCS3系列是進(jìn)一步改善了第二代SiC SBD實(shí)現(xiàn)的當(dāng)時(shí)業(yè)界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產(chǎn)品。
2023-02-16 09:55:061350 
什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個(gè)是相對(duì)以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473720 肖特基整流二極管具有工作頻率高、工作電流大、正向壓降低、反向漏電小、可靠性高等特點(diǎn)，廣泛用于開關(guān)電源及功率變換器中。
2023-04-17 17:14:143948 
Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
二極管具有許多顯著不同之處。肖特基二極管的開關(guān)速度非?？欤哂械头聪螂娏骱偷吐╇娏?。在一些電路中，它可以被用來(lái)代替普通二極管。 肖特基二極管最主要的功能是作為開關(guān)或者整流器。下面將會(huì)具體分析一下肖特基二極管的一些
2023-08-28 17:22:3914445 肖特基二極管的作用 三腳肖特基二極管的作用 肖特基二極管常見型號(hào)與作用? 肖特基二極管是一種半導(dǎo)體器件，利用P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間的PN結(jié)形成的二極管性質(zhì)進(jìn)行電子的輸送，是一種具有優(yōu)良高頻特性
2023-08-31 17:29:573609 肖特基二極管為什么三個(gè)引腳 三端型肖特基二極管接法 肖特基二極管是一種半導(dǎo)體器件，與普通二極管相比，它的電壓降低和回復(fù)時(shí)間更短，因此在許多電路中都被廣泛應(yīng)用。肖特基二極管有三個(gè)引腳，其中兩個(gè)為正極
2023-09-02 10:33:5812154 肖特基二極管在開關(guān)電源中發(fā)揮著十分重要的作用，它可以擴(kuò)大交流電轉(zhuǎn)化為直流電的范圍，提高開關(guān)電源的效率，還可以節(jié)省成本，增加使用壽命。本文將就肖特基二極管在開關(guān)電源中的作用進(jìn)行探討，并分析應(yīng)該如何選擇
2023-09-02 10:34:004723 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出 650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應(yīng)用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32840 1000h SiC MOSFET體二極管可靠性報(bào)告
2023-12-05 14:34:461464 
近日，半導(dǎo)體器件領(lǐng)域企業(yè)SemiQ宣布，其QSiC?產(chǎn)品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創(chuàng)新舉措旨在滿足包括開關(guān)電源(SMPS)、不間斷電源(UPS
2024-06-14 11:36:491351 
近日，上海瞻芯電子科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱“瞻芯電子”）基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品（IV3Q12013T4Z）通過(guò)了車規(guī)級(jí)可靠性(AEC-Q101)測(cè)試
2024-06-24 09:13:201944 
新型碳化硅 (SiC) 肖特基二極管 器件采用?MPS?結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，額定電流?5 A ~ 40 A 低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低 Vishay?推出?16?款新型第三代?1200 V?碳化硅
2024-07-05 09:36:122318 
Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN
2024-07-24 09:26:20822 
SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢(shì)壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用范疇。SiC作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比
2024-09-10 14:55:023943 SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一，其工作原理和結(jié)構(gòu)在電力電子領(lǐng)域具有獨(dú)特的重要性。以下將詳細(xì)闡述SiC二極管的工作原理和結(jié)構(gòu)，同時(shí)結(jié)合其技術(shù)特性和應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行深入分析。
2024-09-10 15:09:393508 時(shí)間短和開關(guān)損耗小，因此廣泛應(yīng)用在變頻器、開關(guān)電源、模塊電源、驅(qū)動(dòng)電路等場(chǎng)合。以下是對(duì)肖特基二極管應(yīng)用領(lǐng)域及其在開關(guān)電源中應(yīng)用的介紹： 肖特基二極管的應(yīng)用領(lǐng)域 電源管理 ：肖特基二極管廣泛應(yīng)用于電腦電源的整機(jī)電路、筆
2024-12-13 16:17:022603 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《AN028：SiC功率二極管的可靠性.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-23 16:38:360 轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。 碳化硅（SiC）屬于第三代半導(dǎo)體，派恩杰獨(dú)有的SiC 肖特基二極管結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有
2025-02-25 15:44:15791 
轉(zhuǎn)換器。 碳化硅（SiC）屬于第三代半導(dǎo)體，派恩杰獨(dú)有的SiC 肖特基二極管結(jié)構(gòu)相比于傳統(tǒng)Si肖特基二極管具有更高的耐
2025-02-25 16:01:30888 
40 A至240 A雙二極管和單相橋式器件正向壓降低至1.36 V，QC僅為56 nC 威世科技宣布，推出16款采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOT-227封裝的新型650 V和1200 V 碳化硅（SiC）肖特基
2025-02-27 12:49:35763 
使用反向并聯(lián)的肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進(jìn)展。SiC
2025-03-20 11:16:591046 
——FAE視角下的效率優(yōu)化關(guān)鍵器件在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，
開關(guān)電源（SMPS）以其高效率和小型化優(yōu)勢(shì)成為主流
電源解決方案。而在SMPS設(shè)計(jì)中，MDD
肖特基二極管作為關(guān)鍵整流器件，因其優(yōu)異的正向?qū)ㄌ匦?/div>
2025-04-15 09:37:43617 
在當(dāng)今電子設(shè)備不斷追求高性能、高可靠性和小型化的時(shí)代，功率半導(dǎo)體器件的性能提升至關(guān)重要。碳化硅（SiC）肖特基二極管作為新一代功率半導(dǎo)體，憑借其卓越的性能，正逐漸成為眾多應(yīng)用領(lǐng)域的首選。今天，我們就來(lái)深入探討 onsemi 的 NDSH40120C-F155 SiC 肖特基二極管。
2025-11-28 14:15:39205 已全部加載完成
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